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公开(公告)号：CN104741821B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510181770.5
申请日：2015-04-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K35/26 , B23K35/363 , B23K35/14
Abstract: 本发明公开了一种用于电子模块高温封装微纳米铜颗粒填充Sn基焊膏及其制备方法，所述微纳米铜颗粒填充Sn基焊膏按质量比由铜锡微纳米颗粒80~90、分散剂2~8、助焊剂2~8、触变剂2~8制成，采用直接液相多元顺序可控还原方法顺序还原出微纳米铜、微纳米锡，同时实现微纳米铜锡颗粒的高度均匀化混合，将制备得到的混装铜锡微纳米颗粒与分散剂、助焊剂、触变剂等混合，通过混装分散工艺制成焊膏。本发明采用直接液相多元顺序可控还原方法制备微纳米铜颗粒，在含有铜颗粒的反应液中直接二次制备微纳米锡颗粒的方法制备微纳米铜颗粒填充Sn基焊膏，具有方法简单，生产效率高，工艺适用范围广，焊膏铜锡可控，与传统封装工艺匹配的优势。
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公开(公告)号：CN105081500A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510553532.2
申请日：2015-09-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: B23K1/19 , B23K1/20 , B32B15/00 , B32B17/061 , B32B38/00 , C23C14/16 , C23C14/18 , C23C14/5886
Abstract: 本发明公开了一种采用激光前向转印具有特定晶粒取向和数量薄膜诱发金属间化合物生长的方法，其步骤如下：步骤一：在基板表面制备种子层；步骤二：在种子层表面继续制备金属薄膜；步骤三：在金属薄膜表面制备Sn膜；步骤四：加热上述基板及双层薄膜，制备出金属间化合物薄膜；步骤五：将金属间化合物薄膜分别转移到芯片、基板焊盘表面；步骤六：在金属间化合物薄膜表面镀Sn薄膜；步骤七：将焊盘对接，施加压力，放入回流炉中，经历预热、保温、再流、冷却阶段。本发明大大缩短可用于高温封装互连的金属间化合物焊点的制备时间，并实现对后续生长金属间化合物的晶粒取向和数量的控制，达到金属间化合物焊点快速制备、微观组织可控的目的。
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公开(公告)号：CN104862701A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510235060.6
申请日：2015-05-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种采用多层微米、亚微米薄膜快速制备可高温服役全IMC微焊点的方法，其步骤如下：在圆片或芯片焊盘表面制备Cu或Ag膜，再依次沉积微米或亚微米级厚度的Sn/(Cu或Ag)，可以根据所需焊点的高度重复上述Sn/(Cu或Ag)膜层的沉积步骤，达到所需厚度后，在上述多层微米、亚微米薄膜表面制备Sn膜；将上述圆片或芯片的多层薄膜结构与基板或其它圆片、芯片需要连接焊盘对准，并施加压力；将该体系放入回流炉中，经历预热阶段、保温阶段、再流阶段、冷却阶段，最终实现全IMC焊点的制备。本发明中全IMC焊点的制备工艺可以很好的与传统的钎料再流焊工艺或热压焊工艺兼容，在低温、短时间内实现全IMC焊点的制备。在成本低、生产效率高的前提下实现焊点低温键合高温服役。
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公开(公告)号：CN102935535B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201210516546.3
申请日：2012-12-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K3/03
Abstract: 一种可提高导线与焊盘焊接效率及可靠性的手工电烙铁头，它涉及手工电烙铁头，本发明是要解决现有电烙铁通过热传导的方式加热导线和焊盘，会延长预热和焊接时间导致电路板受到高温而损坏问题，以及待焊部位温度不均匀导致焊缝内部的微观组织结构存在差异，长时间反应使界面反应剧烈导致焊点的可靠性下降的问题。本发明中的手工电烙铁头，其结构为：电烙铁头端部的中部有一豁口，此豁口长度为3mm~10mm；豁口的右侧部分长于豁口的左侧部分，施焊过程中焊丝于豁口的左侧部分与焊盘平面之间形成的空间处添加。本发明适用于电子器件焊接工程领域。
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公开(公告)号：CN102491261B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201110439586.8
申请日：2011-12-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B81C3/00
Abstract: 一种基于引线键合的MEMS自组装过程的限位方法，它涉及一种MEMS自组装过程的限位方法，具体涉及一种基于引线键合的MEMS自组装过程的限位方法。本发明为了解决现有MEMS自组装过程中的限位方法是通过微加工工艺制造完成，工艺复杂、成品率低、成本高的问题。本发明的具体步骤为：将需要进行自组装的MEMS芯片进行牺牲层释放，使活动微结构不受约束，然后将MEMS芯片夹持在夹具上，在活动微结构的两侧分别各制作有一个用于进行丝球键合用焊盘；在MEMS芯片的活动微结构的上方通过丝球键合工艺制作一个梯形形状的金属丝限位结构；通过外部激励机制，激励活动微结构发生自组装运动；当活动微结构接触到金属丝限位结构后，即可发生止动。本发明用于MEMS自组装过程中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102231367B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201110103942.9
申请日：2011-04-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/70
Abstract: 扫描式薄膜图形激光转移方法，它涉及一种薄膜图形的激光转移方法。本发明解决了薄膜器件或电路制备过程中需要预先加工多层掩模版，成本高昂且工序复杂的问题。本发明的步骤：将过渡层薄膜和源薄膜先后通过溅射、蒸镀、电镀、刷镀、旋涂、化学气相沉积、等离子体镀或分子束外延的方法制作到透明源基板上，过渡层薄膜和源薄膜构成薄膜材料层；将透明源基板设置在目标基板的上方，透明源基板与目标基板之间的垂直距离为0毫米～5毫米；激光束穿透透明源基板，照射在过渡层薄膜上，薄膜材料层受热蒸发，薄膜材料层从透明源基板上脱离；脱离的薄膜材料层向目标基板撞击，并在目标基板的表面形成目标薄膜及图形。本发明适用于薄膜器件或电路制备。
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公开(公告)号：CN102183542B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110033879.6
申请日：2011-01-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N25/18
Abstract: 采用红外多点测温热阻法检测电路板焊点可靠性的检测系统，属于印刷电路板的焊点虚焊检测技术领域。它解决了现有检测技术对外观正常，又有电气连接的虚焊焊点无法识别的问题。它将XY旋转载物台设置在系统平台上，光学显微摄像机和红外热像仪位于XY旋转载物台的正上方，红外激光器位于XY旋转载物台的侧上方，载物台驱动控制器的位移信号输出端连接XY旋转载物台的位移信号输入端，红外激光器的控制信号输入端连接激光器控制器的控制信号输出端，光学显微摄像机的图像信号输出端连接计算机的图像信号输入端，红外热像仪的采集信号输出端连接计算机的热像仪信号输入端。本发明用于电路板焊点可靠性的检测。
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公开(公告)号：CN101857188B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010222496.9
申请日：2010-07-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B81C3/00
Abstract: 面向MEMS立体封装和组装的锡球凸点键合方法，属于MEMS器件的封装互连和组装领域。它解决了现有MEMS器件的封装键合工艺没有实现标准化，现有MEMS器件的自动化键合技术仅适用于特定焊盘平面的激光凸点制作，不能够将凸点制作及互连一体化实现，并且不适于进行MEMS器件立体封装的问题。它首先将待键合芯片运送到图像采集装置的视觉系统工作区域，采集图像信息，然后计算得到待键合芯片的所有待键合焊盘中心的位置，同时存储所有位置信息；然后根据位置信息，规划植球键合路径；根据植球键合路径对每一个焊盘进行键合：它包括由吸嘴吸取微钎料球、释放微钎料球在焊盘中心及完成键合。本发明用于对MEMS器件进行立体封装。
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公开(公告)号：CN102244022A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110105396.2
申请日：2011-04-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/603 , H01L23/00 , H01L23/488 , B23K31/02
CPC classification number: H01L2224/16503 , H01L2224/8181
Abstract: 倒装芯片单金属间化合物微互连结构制备方法，本发明涉及一种倒装芯片金属间化合物微互连结构制备方法，针对倒装芯片微互连焊点在钎料合金、金属间化合物和金属焊盘连接界面处发生断裂问题。方案一：在芯片的金属表面上制备芯片金属基层(芯片金属焊盘)和表层，在基板的金属表面上制备基板金属基层(基板金属焊盘)和表层，芯片与基板金属表层由纯Sn制成；在芯片金属表层及基板金属表层上涂钎剂；芯片倒置，使芯片金属焊盘和基板金属焊盘相对应，施压、加热，冷却，形成倒装芯片单金属间化合物微互连结构；方案二与一不同：在芯片金属基层及基板金属基层上涂钎剂，芯片倒置，芯片金属焊盘和基板金属焊盘通过Sn箔接触。本发明用于电子封装结构中。
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公开(公告)号：CN102184905A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110105411.3
申请日：2011-04-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L23/488
Abstract: 单金属间化合物微互连焊点结构，它涉及一种微互连焊点结构。针对目前微互连焊点结构在外力或由不同材料热胀冷缩不一致情况下产生的应力作用下，容易发生断裂的问题。所述焊点结构包括芯片基板、第一金属焊盘、单种金属间化合物层、第二金属焊盘和电路板，芯片基板的下端面与第一金属焊盘的上端面连接，第一金属焊盘的下端面与单种金属间化合物层的上端面连接，单种金属间化合物层的下端面与第二金属焊盘的上端面连接，第二金属焊盘的下端面与电路板的上端面连接。本发明适用于芯片间或芯片与电路板间电气信号及机械连接。
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