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公开(公告)号：CN102593207B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201210073692.3
申请日：2012-03-19
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/075 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: 一种局域化发射区结构的太阳能电池及其制备方法，涉及一种太阳能电池。局域化发射区结构的太阳能电池设有衬底，在衬底表面外延本征半导体层，本征半导体层上设有凹槽，在凹槽内通过扩散或外延等方法形成半导体层，在半导体层上分别蒸镀上电极和减反膜，在衬底底部蒸镀背电极，当衬底为p型半导体层时，半导体层为n型半导体层；当衬底为n型半导体层时，半导体层为p型半导体层。将衬底生长本征半导体层；在样品热生长或沉积一层遮挡层；在样品上表面刻出图形，去除遮挡层，刻出凹槽；在凹槽内形成半导体层，去除遮挡层形成发射区；沉积上电极，剥离；在样品上表面刻出上电极的反图形后沉积减反膜，剥离；在样品背面沉积背电极。
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公开(公告)号：CN101807644A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN201010120848.X
申请日：2010-03-05
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种高出光效率GaN基发光二极管的制备方法，涉及一种发光二极管。制备LED的掩膜版，形成粗化的侧面；将光刻后的外延片从P型表面到N型GaN面刻蚀，刻蚀出台面结构，形成与台面高度相同的粗化结构，形成粗化的侧面；在具有台面结构的GaN基LED外延片表面涂上正性胶，在样品表面沉积Ti/Al/Ti/Au金属层得N电极；在具有台面结构和N电极的GaN基LED外延片表面涂上正性胶，在样品表面沉积Ni/Au金属层得P型电流扩展层；在具有电流扩展层的GaN基LED外延片表面涂上正性胶，在样品表面沉积一层Au得P电极；在具有电极结构的GaN基LED外延片表面沉积一层SiO2。
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公开(公告)号：CN101789473A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN201010116025.X
申请日：2010-02-23
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L33/04
Abstract: 一种GaN基垂直结构发光二极管及其制备方法，涉及一种发光二极管。从下到上依次为蓝宝石衬底、低温GaN缓冲层、第1掺硅GaN层、5～10个周期的n-InGaN/n-AlGaN或n-AlGaN/n-GaN超晶格层、第2掺硅GaN层、5个周期的固定或渐变组分InGaN/GaN量子阱、掺镁AlGaN层、掺镁GaN层、5个周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层、p-InGaN盖层。将蓝宝石衬底装入反应室，对衬底依次进行热处理和氮化处理后依次生长GaN缓冲层至p-InGaN盖层，退火后得GaN基垂直结构发光二极管。
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公开(公告)号：CN101593804A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200910112086.6
申请日：2009-06-26
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L33/00
Abstract: GaN基多量子阱结构的高亮度发光二极管及其制备方法，涉及发光二极管。发光二极管从下到上依次为衬底、低温缓冲层、n型掺杂的GaN层、3～5个InGaN/GaN多量子阱、p型掺杂的AlGaN层、p型掺杂的GaN层、5个周期的p－InGaN/p－AlGaN超晶格层、p型欧姆接触层、在n型掺杂的GaN层上制备n型欧姆接触层。将衬底装入反应室热处理，依次生长GaN缓冲层、n型掺硅GaN层、3～5个周期的渐变组分InGaN/GaN多量子阱、p型掺Mg的AlGaN层、p型掺Mg的GaN层和5个周期掺Mg的p－InGaN/p－AlGaN超晶格层，外延生长完退火，刻蚀出n型GaN层，再制备n型和p型欧姆接触层。
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公开(公告)号：CN100557772C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200810070781.6
申请日：2008-03-19
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/20
Abstract: 镓极性氮化镓缓冲层的生长方法，涉及一种氮化镓缓冲层，尤其是涉及一种采用四步骤生长氮化镓缓冲层的方法。提供一种位错较少的单纯镓极性氮化镓缓冲层的生长方法。在蓝宝石衬底上高温生长第一层氮化镓缓冲层，高温生长的温度为1030～1050℃；在纯H2气氛中保持高温一段时间，使第一层氮化镓缓冲层中氮极性氮化镓完全升华掉；降低温度，在保留下来的镓极性氮化镓及蓝宝石衬底上低温生长第二层氮化镓缓冲层；在纯H2气氛高温退火，得单纯镓极性氮化镓缓冲层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100514558C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200710009955.3
申请日：2007-12-10
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/04 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L33/00 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种p-GaN低阻欧姆接触的制备方法，涉及一种p型氮化镓(p-GaN)。提供一种p-GaN低阻欧姆接触的制备方法。将(0001)取向的蓝宝石衬底装入反应室，在H2气氛下对衬底热处理，降温对衬底氮化处理；降温生长GaN缓冲层，升温使GaN缓冲层重新结晶；外延生长GaN层；降温生长掺镁GaN层；再降温生长5个周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层；在5个周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层上再生长p-InGaN盖层。结果表明采用p-InGaN/p-AlGaN超晶格作顶层可以获得更低的比接触电阻。
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公开(公告)号：CN100495750C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200710009956.8
申请日：2007-12-10
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种氮化镓基发光二极管外延片结构及其制备方法，涉及一种发光二极管。提供一种出光效率高、晶体质量好的氮化镓基发光二极管外延片结构及其制备方法。设有衬底、GaN缓冲层、第1掺硅GaN层、介质层、第2掺硅GaN层，InGaN/GaN多量子阱、掺镁AlGaN层和掺镁GaN层，并从下至上设于衬底上。将(0001)面的蓝宝石衬底装入反应室，在H2气氛下热处理；降温生长GaN缓冲层；在GaN缓冲层上生长第1掺硅GaN层，降温取出样品；在样品上沉积介质层，沿第1掺硅GaN层的 方向刻出窗口作为图形衬底，样品清洗后外延生长：整个外延生长完成后，将外延片退火。
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公开(公告)号：CN1862843A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200510072427.3
申请日：2005-05-11
Applicant: 厦门大学
Abstract: 氮化镓基蓝光发光二极管，涉及一种发光管，尤其是涉及一种高效率的氮化镓基蓝光发光二极管。提供一种发光效率较高、使用寿命较长的氮化镓基蓝光发光二极管。从下至上设有蓝宝石衬底、N－GaN层、有源层、P－GaN层和电流扩展层，在电流扩展层的上表面至N－GaN层设有n型台面，在电流扩展层的上表面设有柱形体阵列，在电流扩展层的上表面和N－GaN层的n型台面上分别设有接线柱。通过运用非平面技术的方法，破坏光学谐振腔，解决光在GaN材料与空气以及三氧化二铝与空气的接触面的全反射问题。又采用ITO透明电极取代合金电极，使其透光率大为提高。
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公开(公告)号：CN1118159C
公开(公告)日：2003-08-13
申请号：CN99119122.6
申请日：1999-09-16
Applicant: 厦门大学
IPC: H04B10/12
Abstract: 涉及一种用于计算机以太网通信的100Mbps光纤收发器，采用CSMA/CD方式，执行IEEE802.3u标准，设两块执行芯片U1、U2，光信号经光纤接口接光纤信号收发模块，收发模块的电转换输出经第一块执行芯片U1的解码—电阻组—第二块执行芯片U2的编码后，从双胶线接收端经耦合器接至RJ45接口，RJ45接口的发射端接耦合器，并经第二块执行芯片U2的解码—电阻组—第一块执行芯片U1的编码后，接收发模块，并从收发模块的LED再经光纤接口向网络发射光信号。印刷电路板设电源、接地等4层。
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公开(公告)号：CN111396755A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010197749.5
申请日：2020-03-19
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种新的半导体激光照明显示方法，属于激光照明技术领域。采用几何体耐高温容器，上壁开口，在内壁镀上具有高反射率的材料形成镜面层；选取环氧与荧光粉混合，形成掺有荧光粉的混合物，并在几何容器内高温固化；在几何体侧面上凿一个小孔，使孔径大小刚好能使激光光束通过，并使激光器发射的激光与容器侧壁层一定角度发射，以使得该激光发射器发射的激光束在几何体耐高温容器内部传播，激光光束与荧光粉原子触碰发生反射和折射，并碰到镜面层时发生全反射，使容器内荧光粉受到激发发出黄光，这一黄光与蓝光混合成肉眼可见的白光，最终从容器顶以漫反射的形式发出所需求的光束。便于携带，还可减少原材料的消耗；提高照明强度，寿命长，成本低。
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