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公开(公告)号：CN104112805B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201410338035.6
申请日：2014-07-16
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种具有防扩层的发光二极管的制造方法，采用前期增加外延生长防扩层，后期二极管制作工艺中在防扩层之上形成金属反射镜，并在防扩层嵌入金属导电通道，通过采用氧化工艺将防扩层变成氧化物介质层，且与金属反射镜、导电通道构成复合的全方位反射效果，通过叠加布拉格反射层而组成的两部分复合结构，获得较高的发光亮度。采用此方法解决了传统倒置芯片制作过程中，在外延层蒸镀氧化膜工艺，外延层与氧化膜、金属反射镜存在材料界面容易剥离的问题，提高发光二极管的稳定性及生产制造过程的成品率。本发明还公开所述方法制造的具有防扩层的发光二极管，使外量子效率较高，且内部层结构连接较为稳定。
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公开(公告)号：CN104332535B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201410551438.9
申请日：2014-10-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种衬底可重复利用的大功率发光二极管外延结构，包括外延衬底、衬底保护层、氧化剥离层、外延保护层、金属反射层及外延发光结构；在外延衬底与外延发光结构之间设置氧化剥离层，氧化剥离层与外延发光结构之间设置外延保护层，氧化剥离层与外延衬底之间设置衬底保护层；在外延发光结构上设置金属反射层，在金属反射层上设置基板。本发明可以解决剥离二极管的外延衬底而导致外延层破损问题，从而可以重复利用衬底，节约成本。
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公开(公告)号：CN105720139A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201610098961.X
申请日：2016-02-24
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/0075 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L21/0254 , H01L21/02584
Abstract: 提高氮化物发光二极管P型掺杂浓度的外延生长方法，涉及氮化物外延技术领域，本发明在衬底上依次生长缓冲层、N型层、发光有源层、电子阻挡层、P型层和接触层，其特征在于：在N2和氨气的氛围下，通过控制三甲基铟流量分层生长形成P型层，形成的P?AlXGa1?XN材料层空穴浓度可明显提高，方块电阻可明显降低，基于此材料层的LED光电性能可明显提升。
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公开(公告)号：CN104332542A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201410551495.7
申请日：2014-10-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/20
CPC classification number: H01L33/0079
Abstract: 本发明公开一种衬底可重复利用的外延结构制作方法，包括以下步骤：一、在外延衬底表面由下自上依次形成缓冲层、衬底保护层、外延剥离层、外延保护层及外延发光结构；二、对外延剥离层进行氧化，形成氧化剥离层；三，在外延发光结构的第二型电流扩展层上蒸镀金属反射层；将金属反射层与基板键合；四、采用强碱腐蚀氧化剥离层，使用带旋转功能的腐蚀装置腐蚀氧化剥离层，直至外延发光结构与外延衬底剥离，得到可重复利用的外延衬底。本发明可以解决剥离二极管而导致外延层破损问题，且可重复利用衬底，节约成本。
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公开(公告)号：CN104201265A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410457099.8
申请日：2014-09-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种具有高可靠性电极的红外发光二极管，在外延发光结构的一侧上设置粗化层，在粗化层上设置腐蚀截止层，在腐蚀截止层上设置欧姆接触层，欧姆接触层表面形成扩展电极，微粗化层设置在欧姆接触层上，焊盘电极设置在微粗化层上，与扩展电极连接导通；在外延发光结构的另一侧设置金属反射镜，金属反射镜上设置基板，基板上设置背电极。本发明有效提高焊台电极的可靠性，解决焊台电极由于粘附性差而容易脱落的问题，也解决打金线时焊台电极下的外延层容易被打碎的封装难题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104167473A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201410391548.3
申请日：2014-08-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L33/02 , H01L33/06
Abstract: 本发明公开一种高晶体质量红外发光二极管的外延生长方法，包括以下步骤：在衬底上依次外延生长缓冲层、腐蚀截止层、欧姆接触层及电流传输层；电流传输层生长结束后停顿1分钟，压力降低30mbar生长粗化层；在粗化层之上外延生长第一型导电层；在第一型导电层上生长量子垒；在量子垒外延结束后，改变Al、Ga的生长流量，过渡到Al组分较低AlGaAs材料构成的组分渐变降温层；外延生长AlGaInAs量子阱层；暂停外延生长，温度回升至与量子垒生长温度相同；继续依次生长量子垒、组分渐变降温层及量子阱；在有源层上外延生长第二型导电层。本发明解决有源区的量子阱与其它外延层存在失配的技术问题，提高红外发光二极管发光效率。
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公开(公告)号：CN204144308U
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201420392581.3
申请日：2014-07-16
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开一种具有防扩层的外延结构和发光二极管，所述的外延结构和发光二极管都包括：有源层一侧依次为第一型限制层、第一型电流扩展层及第一电极，在有源层另一侧依次形成第二型限制层、第二型电流扩展层、衬底及第二电极；在第二型电流扩展层与衬底之间形成防扩层，所述防扩层至少包括第二防扩层，第二防扩层被氧化为氧化物介质膜，防扩层为无导电型掺杂的绝缘层；所述的发光二极管还包括：在防扩层中形成导电通道，且在防扩层上形成金属反射镜，金属反射镜位于防扩层与衬底之间。本实用新型可以使外量子效率较高，且内部层结构连接较为稳定。
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公开(公告)号：CN204102927U
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201420449785.6
申请日：2014-08-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开一种具有多粗化层的红外发光二极管，在基板上形成发光结构，在发光结构上形成N层粗化层，N≧3，在粗化层上形成第一电极，在基板的另一面上形成第二电极；不同粗化层的表面及侧面形成粗化界面。本实用新型可以减少有源层在出光界面上出现全反射，增加二极管表面出光面积，提高红外发光二极管的外量子效率。
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公开(公告)号：CN204303856U
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201420601218.8
申请日：2014-10-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开一种衬底可重复利用的大功率发光二极管外延结构，包括外延衬底、衬底保护层、氧化剥离层、外延保护层、金属反射层及外延发光结构；在外延衬底与外延发光结构之间设置氧化剥离层，氧化剥离层与外延发光结构之间设置外延保护层，氧化剥离层与外延衬底之间设置衬底保护层；在外延发光结构上设置金属反射层，在金属反射层上设置基板。本实用新型可以解决剥离二极管的外延衬底而导致外延层破损问题，从而可以重复利用衬底，节约成本。
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公开(公告)号：CN204257688U
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201420601237.0
申请日：2014-10-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开一种具有电极出光的发光二极管，在外延发光结构上形成第一电极及第二电极，其中，第一电极或第二电极作为焊台电极，在作为焊台电极的第一电极或第二电极内部设置若干规则的微细透明柱体，且透明柱体与外延发光结构形成连接。本实用新型可以减少电极挡光面积，提高发光二极管的外量子效率。
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