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公开(公告)号：CN104810455B
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201510219302.2
申请日：2015-04-30
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种紫外半导体发光器件及其制造方法。该半导体发光器件包括主要由n型层、量子阱层和p型层组成的外延结构层以及p型、n型电极，所述p型层上还依次设有石墨烯‑Ag纳米复合层和导电反射层，所述石墨烯‑Ag纳米复合层与p型层形成欧姆接触。进一步的，所述石墨烯‑Ag纳米复合层包括：形成于p型层上的Ag纳米材料层，所述Ag纳米材料层包含Ag纳米点和/或Ag纳米线以及覆盖在所述Ag纳米材料层上的石墨烯薄膜；或者，石墨烯量子点负载Ag纳米粒子复合体层。本发明的半导体发光器件具有外部量子效率高、出光效率高、开启电压低、散热性好、稳定性高等优点，且制备工艺简单可控，成本低廉，适于工业化生产。
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公开(公告)号：CN106024821A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610545538.X
申请日：2016-07-07
Applicant: 南京大学
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14634 , H01L27/14618 , H01L27/1462
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹波探测器件封装，包含至少一太赫兹波探测芯片和承载所述太赫兹波探测芯片的基板或支架，芯片电气面与所述基板或支架上的外引线电极的焊接面朝同一方向。在芯片电气面上方设置太赫兹波反射层，实现芯片对太赫兹波的二次吸收，从而提高探测器芯片的吸收效率。本发明的一种太赫兹波探测器件封装具有制作成本低、太赫兹波吸收效率高等优点，适于工业化生产，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN119325318A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202411794697.4
申请日：2024-12-09
IPC: H10H29/30 , H10H29/855 , H10H29/01 , G09F9/33
Abstract: 本申请公开了一种显示面板及其制作方法，涉及显示领域，该显示面板包括：沿垂直于显示面板所在平面方向排布的第一阵列芯片、第二阵列芯片和第三阵列芯片；第一阵列芯片包括多个第一发光单元；第三阵列芯片位于第一阵列芯片的出光侧，第三阵列芯片包括多个第二发光单元，第三阵列芯片远离第一阵列芯片的一侧为显示面板的出光侧；第二阵列芯片位于第一阵列芯片和第三阵列芯片之间，用于为第一发光单元和第二发光单元提供显示驱动信号；第一发光单元所在层和第二发光单元所在层之间设置有光线处理层，光线处理层用于基于部分第一发光单元出射的光线形成第三颜色的光线出射。该显示面板可以实现更高的集成度、更高的性能、更高的可靠性及更低的功耗。
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公开(公告)号：CN112786767B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202110034154.2
申请日：2021-01-11
Applicant: 南京大学
IPC: H01L33/62 , H01L33/36 , H01L25/075
Abstract: 本发明公开了一种流体组装的微米级器件模组及其制造方法。所述流体组装的微米级器件模组包括支撑基板和微米级器件，所述微米级器件包括微米级功能芯片和中介基板，所述微米级功能芯片包括外延结构、第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极分别背对设置在所述外延结构的两侧，且所述第一电极与所述中介基板电连接；当通过流体组装方式使所述微米级器件与支撑基板结合时，所述微米级器件的第二电极直接与所述电路布线层电连接，第一电极经所述中介基板与所述电路布线层电连接。本发明缩小了微米级芯片尺寸、大幅度降低了大规模微米级器件模组的成本，且可通过预选测试挑选微米级功能芯片和微米级器件，大幅度提升大规模微米级器件模组的良率。
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公开(公告)号：CN112038418B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202010952681.7
申请日：2020-09-11
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/02 , H01L31/103 , H01L31/105 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种高波长选择性的紫外探测器件及其制作方法。所述紫外探测器件包括：第一极性半导体层、第二极性半导体层、第一欧姆接触层以及第二欧姆接触层；所述第一极性半导体层设置在所述第二极性半导体层上，所述第一欧姆接触层、第二欧姆接触层分别与第一极性半导体层、第二极性半导体层形成欧姆接触，所述第一欧姆接触层包括覆设在第一极性半导体层上的Ag‑Au合金薄膜，所述Ag‑Au合金薄膜可选择性地使紫外光透过。本发明实施例提供的高波长选择性的紫外探测器件在体积小、容易使用的基础上，实现了对特定波段紫外光的高选择性探测，同时Ag‑Au合金薄膜与第一极性半导体层之间的欧姆接触保证了器件的优异探测性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109935614B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201910278874.6
申请日：2019-04-09
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于深硅刻蚀模板量子点转移工艺的微米全色QLED阵列器件。在蓝光LED外延片上设有贯穿p型GaN层、量子阱有源层，深至n型GaN层的阵列式正方形台面结构，其上刻蚀形成微米孔。台面结构每2*2个构成一个RGB像素单元，四个微米孔中，分别填充有红光、绿光、黄光量子点，一个自身发蓝光/填充蓝光量子点。在硅片上利用深硅刻蚀技术刻穿硅片上的微米孔，将硅片上的微米孔与Micro‑LED上的量子点填充区域对齐，将量子点通过硅片上的微米孔旋涂进Micro‑LED中。并公开了其制备方法。三块不同的深硅刻蚀掩膜板可完成对Micro‑LED中绿光、红光、黄光量子点的旋涂，实现RGB像素单元的全色显示，形成QLED阵列器件。
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公开(公告)号：CN108878469B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201810725971.0
申请日：2018-07-04
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于III族氮化物半导体/量子点的混合型RGB微米孔LED阵列器件，设有贯穿p型GaN层、量子阱有源层，深至n型GaN层的相互隔离的阵列式正方形台面结构，正方形台面上刻蚀形成微米孔；所述正方形台面结构每2*2个构成一个RGB像素单元，每个RGB像素单元的四个微米孔中，一个填充有红光量子点，另一个填充有绿光量子点。并公开其制备方法。本发明的微米孔LED阵列器件，反向漏电流低至10‑10A量级，并通过喷墨打印技术将II‑VI族核壳结构CdSe/ZnS的红光量子点、绿光量子点填充至微米孔内，红光量子点经蓝光Micro‑LED激发发红光，绿光量子点经蓝光Micro‑LED激发发绿光，实现了每个RGB像素单元的三色显示。
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公开(公告)号：CN109841710A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201910293737.X
申请日：2019-04-12
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种用于透明显示的GaN Micro-LED阵列器件，将硅基GaN Micro-LED阵列器件的硅衬底层刻蚀掉，然后在硅衬底层的位置粘合上玻璃基板。并公开其制备方法。本发明的可用于透明显示的GaN Micro-LED阵列器件，首先在硅衬底上制备Micro-LED阵列器件，然后利用粘结键合和刻蚀技术将器件转移到玻璃基板上。本发明通过绝缘层使得Micro-LED阵列器件的漏电流更小，不易被氧化；使用硅衬底降低制备成本，更有利于走剥离衬底的路线；通过粘结键合、湿法腐蚀、等离子体刻蚀等方法，将GaN Micro-LED阵列器件从硅衬底转移到了玻璃基板上，实现了背面出光，可以用于透明显示。
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公开(公告)号：CN106024821B
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201610545538.X
申请日：2016-07-07
Applicant: 南京大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹波探测器件封装，包含至少一太赫兹波探测芯片和承载所述太赫兹波探测芯片的基板或支架，芯片电气面与所述基板或支架上的外引线电极的焊接面朝同一方向。在芯片电气面上方设置太赫兹波反射层，实现芯片对太赫兹波的二次吸收，从而提高探测器芯片的吸收效率。本发明的一种太赫兹波探测器件封装具有制作成本低、太赫兹波吸收效率高等优点，适于工业化生产，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN106816417B
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201710033551.1
申请日：2017-01-13
Applicant: 南京大学
IPC: H01L23/31 , H01L23/488 , H01L21/56
Abstract: 本发明公开了一种高密度封装及其制造方法，包含基板和芯片两部分，基板与芯片通过凸点阵列连接。一部分设置有硬质金属空心柱提供凹槽，另一部分设置有硬质金属凸点与凹槽一一对应，将凸点对应插入于凹槽中，高温加热使预先沉积或电镀的焊料熔融，实现基板与芯片的连接。凹槽开口可以是漏斗形貌，其倾斜角优选为45°左右。本发明采用一种高密度封装，并可结合漏斗状开口，以简易的操作提高互连对准精度，提高互连的可靠性和稳定性，得到的封装结构具有较好的共面性。同时，本发明解决了实际芯片的翘曲度所导致的焊接问题，解决了传统封装因焊料蔓延而导致的短路、桥接。综上，本发明有助于达到更高密度的封装，可进一步推动电子器件的微型化发展。
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