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公开(公告)号：CN113224216B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202110521392.6
申请日：2021-05-12
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种具有同材质高反射p、n欧姆接触的倒装LED芯片及制法。所述倒装LED芯片，其特征在于包括：外延结构层和p电极、n电极，所述外延结构层包括依次叠层设置的n型层、量子阱层和p型层，所述p电极设置在p型层上，所述n电极设置在所述n型层上；所述p电极和n电极均包括高反射欧姆接触结构，所述高反射欧姆接触结构包括叠设的第一金属层和第二金属层，所述第一金属层设置在所述p型层和n型层上，并与所述p型层和n型层形成欧姆接触，其中，所述第一金属层包含金属Ag和金属Mg。本发明实施例提供的倒装LED芯片具有出光效率高、散热性好、稳定性高等优点，且制备工艺简单，成本低廉，更适于工业化生产。
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公开(公告)号：CN111525010B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202010362919.0
申请日：2020-04-30
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种高发光效率的深紫外发光二极管芯片及其制作方法。该高发光效率的深紫外发光二极管芯片包括外延结构以及与所述外延结构相匹配的P型电极、N型电极，其中，所述外延结构包括依次叠层设置的p‑AlGaN层、多量子阱层以及n‑AlGaN层，所述n‑AlGaN层上形成有台面，所述台面包含多个六棱锥体结构。本发明实施例提供一种高发光效率的深紫外发光二极管芯片，在对n‑AlGaN进行图形化的同时，基于特定图形、尺寸以及表面覆盖率的设置，有效降低了DUV LED的全反射，并显著提高了DUV LED的光提取效率。
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公开(公告)号：CN113224216A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110521392.6
申请日：2021-05-12
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种具有同材质高反射p、n欧姆接触的倒装LED芯片及制法。所述倒装LED芯片，其特征在于包括：外延结构层和p电极、n电极，所述外延结构层包括依次叠层设置的n型层、量子阱层和p型层，所述p电极设置在p型层上，所述n电极设置在所述n型层上；所述p电极和n电极均包括高反射欧姆接触结构，所述高反射欧姆接触结构包括叠设的第一金属层和第二金属层，所述第一金属层设置在所述p型层和n型层上，并与所述p型层和n型层形成欧姆接触，其中，所述第一金属层包含金属Ag和金属Mg。本发明实施例提供的倒装LED芯片具有出光效率高、散热性好、稳定性高等优点，且制备工艺简单，成本低廉，更适于工业化生产。
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公开(公告)号：CN114927511A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210413625.5
申请日：2022-04-19
Applicant: 南京大学
IPC: H01L25/075 , H01L25/16 , H01L33/50
Abstract: 本发明提供了一种单片集成大面积多色高分辨显示的Micro‑LED芯片及其制作方法。所述Micro‑LED芯片包括层叠设置的第一LED芯片阵列和第二LED芯片阵列，所述第一LED芯片阵列包括多个正装结构的第一LED芯片，所述第二LED芯片阵列包括多个倒装结构的第二LED芯片；设置在第一LED芯片阵列与第二LED芯片阵列之间的驱动阵列，所述驱动阵列包括多个驱动单元，所述驱动单元集成在所述Micro‑LED芯片的像素原位，并且每一第一LED芯片、每一第二LED芯片分别与相应的驱动单元电连接。本发明通过正装与倒装芯片交替排列降低了在可以减小LED芯片间距，提高显示屏的分辨率，从而使得显示效果更佳细腻。
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公开(公告)号：CN112768582B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202110275172.X
申请日：2021-03-15
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种包含高反射n‑GaN欧姆接触的倒装LED芯片及其制作方法。所述倒装LED芯片包括外延结构层和p电极、n电极，所述外延结构层包括依次叠层设置的n型层、量子阱层和p型层，所述p电极设置在p型层上，所述n电极设置在所述n型层上；所述n电极包括高反射n‑GaN欧姆接触结构，所述高反射n‑GaN欧姆接触结构包括叠层设置的第一金属层和第二金属层，所述第一金属层设置在所述n型层上并与所述n型层形成欧姆接触，其中，所述第一金属层包含金属Mg。所述倒装LED芯片通过采用倒装结构，可有效降低本发明具有同材质高反射p、n欧姆接触的倒装LED芯片的热阻及其工作时的结温，以及，提高器件的光效。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112786767B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202110034154.2
申请日：2021-01-11
Applicant: 南京大学
IPC: H01L33/62 , H01L33/36 , H01L25/075
Abstract: 本发明公开了一种流体组装的微米级器件模组及其制造方法。所述流体组装的微米级器件模组包括支撑基板和微米级器件，所述微米级器件包括微米级功能芯片和中介基板，所述微米级功能芯片包括外延结构、第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极分别背对设置在所述外延结构的两侧，且所述第一电极与所述中介基板电连接；当通过流体组装方式使所述微米级器件与支撑基板结合时，所述微米级器件的第二电极直接与所述电路布线层电连接，第一电极经所述中介基板与所述电路布线层电连接。本发明缩小了微米级芯片尺寸、大幅度降低了大规模微米级器件模组的成本，且可通过预选测试挑选微米级功能芯片和微米级器件，大幅度提升大规模微米级器件模组的良率。
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公开(公告)号：CN112038418B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202010952681.7
申请日：2020-09-11
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/02 , H01L31/103 , H01L31/105 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种高波长选择性的紫外探测器件及其制作方法。所述紫外探测器件包括：第一极性半导体层、第二极性半导体层、第一欧姆接触层以及第二欧姆接触层；所述第一极性半导体层设置在所述第二极性半导体层上，所述第一欧姆接触层、第二欧姆接触层分别与第一极性半导体层、第二极性半导体层形成欧姆接触，所述第一欧姆接触层包括覆设在第一极性半导体层上的Ag‑Au合金薄膜，所述Ag‑Au合金薄膜可选择性地使紫外光透过。本发明实施例提供的高波长选择性的紫外探测器件在体积小、容易使用的基础上，实现了对特定波段紫外光的高选择性探测，同时Ag‑Au合金薄膜与第一极性半导体层之间的欧姆接触保证了器件的优异探测性能。
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公开(公告)号：CN112786767A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202110034154.2
申请日：2021-01-11
Applicant: 南京大学
IPC: H01L33/62 , H01L33/36 , H01L25/075
Abstract: 本发明公开了一种流体组装的微米级器件模组及其制造方法。所述流体组装的微米级器件模组包括支撑基板和微米级器件，所述微米级器件包括微米级功能芯片和中介基板，所述微米级功能芯片包括外延结构、第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极分别背对设置在所述外延结构的两侧，且所述第一电极与所述中介基板电连接；当通过流体组装方式使所述微米级器件与支撑基板结合时，所述微米级器件的第二电极直接与所述电路布线层电连接，第一电极经所述中介基板与所述电路布线层电连接。本发明缩小了微米级芯片尺寸、大幅度降低了大规模微米级器件模组的成本，且可通过预选测试挑选微米级功能芯片和微米级器件，大幅度提升大规模微米级器件模组的良率。
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公开(公告)号：CN114597299A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210255429.X
申请日：2022-03-15
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种增加p侧反射出光的倒装深紫外LED芯片及其制作方法。所述倒装深紫外LED芯片包括外延层、第一接触层、第二接触层和第一金属反射电极，所述外延层包括依次叠层设置的n型半导体层、有源层、第一p型半导体层和第二p型半导体层，所述第一p型半导体层的表面部分区域被所述第二p型半导体层覆盖，所述第二接触层与所述第二p型半导体层电性接触，所述第一接触层与所述n型半导体层电性接触；所述第一金属反射电极覆设在所述第一p型半导体层、第二p型半导体层和第二接触层上。本发明在第一p型半导体层和第二p型半导体上覆盖高反射的第一金属反射电极来增加p侧反射出光，且使该倒装深紫外LED芯片具有高的出光效率。
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公开(公告)号：CN112768582A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202110275172.X
申请日：2021-03-15
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种包含高反射n‑GaN欧姆接触的倒装LED芯片及其制作方法。所述倒装LED芯片包括外延结构层和p电极、n电极，所述外延结构层包括依次叠层设置的n型层、量子阱层和p型层，所述p电极设置在p型层上，所述n电极设置在所述n型层上；所述n电极包括高反射n‑GaN欧姆接触结构，所述高反射n‑GaN欧姆接触结构包括叠层设置的第一金属层和第二金属层，所述第一金属层设置在所述n型层上并与所述n型层形成欧姆接触，其中，所述第一金属层包含金属Mg。所述倒装LED芯片通过采用倒装结构，可有效降低本发明具有同材质高反射p、n欧姆接触的倒装LED芯片的热阻及其工作时的结温，以及，提高器件的光效。
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