公开(公告)号：CN114597299A

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202210255429.X

申请日：2022-03-15

Applicant: 南京大学

Inventor： 周玉刚 ,  潘赛 ,  许朝军 ,  谢自力 ,  刘斌 ,  张荣

IPC: H01L33/40 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L33/06 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种增加p侧反射出光的倒装深紫外LED芯片及其制作方法。所述倒装深紫外LED芯片包括外延层、第一接触层、第二接触层和第一金属反射电极，所述外延层包括依次叠层设置的n型半导体层、有源层、第一p型半导体层和第二p型半导体层，所述第一p型半导体层的表面部分区域被所述第二p型半导体层覆盖，所述第二接触层与所述第二p型半导体层电性接触，所述第一接触层与所述n型半导体层电性接触；所述第一金属反射电极覆设在所述第一p型半导体层、第二p型半导体层和第二接触层上。本发明在第一p型半导体层和第二p型半导体上覆盖高反射的第一金属反射电极来增加p侧反射出光，且使该倒装深紫外LED芯片具有高的出光效率。

公开(公告)号：CN112768582A

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN202110275172.X

申请日：2021-03-15

Applicant: 南京大学

Inventor： 周玉刚 ,  郭焱 ,  许朝军 ,  潘赛 ,  张荣

IPC: H01L33/40 ,  H01L33/64 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种包含高反射n‑GaN欧姆接触的倒装LED芯片及其制作方法。所述倒装LED芯片包括外延结构层和p电极、n电极，所述外延结构层包括依次叠层设置的n型层、量子阱层和p型层，所述p电极设置在p型层上，所述n电极设置在所述n型层上；所述n电极包括高反射n‑GaN欧姆接触结构，所述高反射n‑GaN欧姆接触结构包括叠层设置的第一金属层和第二金属层，所述第一金属层设置在所述n型层上并与所述n型层形成欧姆接触，其中，所述第一金属层包含金属Mg。所述倒装LED芯片通过采用倒装结构，可有效降低本发明具有同材质高反射p、n欧姆接触的倒装LED芯片的热阻及其工作时的结温，以及，提高器件的光效。

公开(公告)号：CN112768582B

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202110275172.X

申请日：2021-03-15

Applicant: 南京大学

Inventor： 周玉刚 ,  郭焱 ,  许朝军 ,  潘赛 ,  张荣

IPC: H01L33/40 ,  H01L33/64 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种包含高反射n‑GaN欧姆接触的倒装LED芯片及其制作方法。所述倒装LED芯片包括外延结构层和p电极、n电极，所述外延结构层包括依次叠层设置的n型层、量子阱层和p型层，所述p电极设置在p型层上，所述n电极设置在所述n型层上；所述n电极包括高反射n‑GaN欧姆接触结构，所述高反射n‑GaN欧姆接触结构包括叠层设置的第一金属层和第二金属层，所述第一金属层设置在所述n型层上并与所述n型层形成欧姆接触，其中，所述第一金属层包含金属Mg。所述倒装LED芯片通过采用倒装结构，可有效降低本发明具有同材质高反射p、n欧姆接触的倒装LED芯片的热阻及其工作时的结温，以及，提高器件的光效。

公开(公告)号：CN113224216B

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202110521392.6

申请日：2021-05-12

Applicant: 南京大学

Inventor： 周玉刚 ,  郭焱 ,  金楠 ,  梁志斌 ,  潘赛 ,  许朝军 ,  张荣

IPC: H01L33/40 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种具有同材质高反射p、n欧姆接触的倒装LED芯片及制法。所述倒装LED芯片，其特征在于包括：外延结构层和p电极、n电极，所述外延结构层包括依次叠层设置的n型层、量子阱层和p型层，所述p电极设置在p型层上，所述n电极设置在所述n型层上；所述p电极和n电极均包括高反射欧姆接触结构，所述高反射欧姆接触结构包括叠设的第一金属层和第二金属层，所述第一金属层设置在所述p型层和n型层上，并与所述p型层和n型层形成欧姆接触，其中，所述第一金属层包含金属Ag和金属Mg。本发明实施例提供的倒装LED芯片具有出光效率高、散热性好、稳定性高等优点，且制备工艺简单，成本低廉，更适于工业化生产。

公开(公告)号：CN113224216A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202110521392.6

申请日：2021-05-12

Applicant: 南京大学

Inventor： 周玉刚 ,  郭焱 ,  金楠 ,  梁志斌 ,  潘赛 ,  许朝军 ,  张荣

IPC: H01L33/40 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种具有同材质高反射p、n欧姆接触的倒装LED芯片及制法。所述倒装LED芯片，其特征在于包括：外延结构层和p电极、n电极，所述外延结构层包括依次叠层设置的n型层、量子阱层和p型层，所述p电极设置在p型层上，所述n电极设置在所述n型层上；所述p电极和n电极均包括高反射欧姆接触结构，所述高反射欧姆接触结构包括叠设的第一金属层和第二金属层，所述第一金属层设置在所述p型层和n型层上，并与所述p型层和n型层形成欧姆接触，其中，所述第一金属层包含金属Ag和金属Mg。本发明实施例提供的倒装LED芯片具有出光效率高、散热性好、稳定性高等优点，且制备工艺简单，成本低廉，更适于工业化生产。