公开(公告)号：CN113224216B

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202110521392.6

申请日：2021-05-12

Applicant: 南京大学

Inventor： 周玉刚 ,  郭焱 ,  金楠 ,  梁志斌 ,  潘赛 ,  许朝军 ,  张荣

IPC: H01L33/40 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种具有同材质高反射p、n欧姆接触的倒装LED芯片及制法。所述倒装LED芯片，其特征在于包括：外延结构层和p电极、n电极，所述外延结构层包括依次叠层设置的n型层、量子阱层和p型层，所述p电极设置在p型层上，所述n电极设置在所述n型层上；所述p电极和n电极均包括高反射欧姆接触结构，所述高反射欧姆接触结构包括叠设的第一金属层和第二金属层，所述第一金属层设置在所述p型层和n型层上，并与所述p型层和n型层形成欧姆接触，其中，所述第一金属层包含金属Ag和金属Mg。本发明实施例提供的倒装LED芯片具有出光效率高、散热性好、稳定性高等优点，且制备工艺简单，成本低廉，更适于工业化生产。

公开(公告)号：CN113224216A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202110521392.6

申请日：2021-05-12

Applicant: 南京大学

Inventor： 周玉刚 ,  郭焱 ,  金楠 ,  梁志斌 ,  潘赛 ,  许朝军 ,  张荣

IPC: H01L33/40 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种具有同材质高反射p、n欧姆接触的倒装LED芯片及制法。所述倒装LED芯片，其特征在于包括：外延结构层和p电极、n电极，所述外延结构层包括依次叠层设置的n型层、量子阱层和p型层，所述p电极设置在p型层上，所述n电极设置在所述n型层上；所述p电极和n电极均包括高反射欧姆接触结构，所述高反射欧姆接触结构包括叠设的第一金属层和第二金属层，所述第一金属层设置在所述p型层和n型层上，并与所述p型层和n型层形成欧姆接触，其中，所述第一金属层包含金属Ag和金属Mg。本发明实施例提供的倒装LED芯片具有出光效率高、散热性好、稳定性高等优点，且制备工艺简单，成本低廉，更适于工业化生产。

公开(公告)号：CN114927511A

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202210413625.5

申请日：2022-04-19

Applicant: 南京大学

Inventor： 周玉刚 ,  陈奎莅 ,  许朝军 ,  殷杰 ,  金楠 ,  张荣 ,  王欣然 ,  刘斌

IPC: H01L25/075 ,  H01L25/16 ,  H01L33/50

Abstract: 本发明提供了一种单片集成大面积多色高分辨显示的Micro‑LED芯片及其制作方法。所述Micro‑LED芯片包括层叠设置的第一LED芯片阵列和第二LED芯片阵列，所述第一LED芯片阵列包括多个正装结构的第一LED芯片，所述第二LED芯片阵列包括多个倒装结构的第二LED芯片；设置在第一LED芯片阵列与第二LED芯片阵列之间的驱动阵列，所述驱动阵列包括多个驱动单元，所述驱动单元集成在所述Micro‑LED芯片的像素原位，并且每一第一LED芯片、每一第二LED芯片分别与相应的驱动单元电连接。本发明通过正装与倒装芯片交替排列降低了在可以减小LED芯片间距，提高显示屏的分辨率，从而使得显示效果更佳细腻。