-
公开(公告)号：CN1529451A
公开(公告)日：2004-09-15
申请号：CN200310111202.5
申请日：2003-10-05
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种微型二氧化钒光开关，包括衬底、VO2层和电极，衬底和VO2层之间设有Si3N4材料制成的过渡层，在VO2层上设有金属加热线。制备方法包括：(1)清洗衬底表面；(2)镀制薄膜：采用溅射淀积设备先镀过渡层Si3N4，再开始长VO2膜；(3)退火处理；(4)利用悬浮工艺制作金属加热线和电极：先作出光刻胶光开关微图形，再在基片上镀金属薄膜，最后去除光刻胶上的薄膜层。本发明无移动部件，膜系本身就是加热器，不必另装加热设备，结构简单、工作可靠，便于大规模集成，低成本、低功耗，同时，由于该光开关可以采用标准半导体制造工艺制作，而且具有开关时间短，对偏振不灵敏，消光比高，插入损耗小的特点，是一种全新的开关器件，可以在光通讯和光传感领域中得到很大的发展。
-
公开(公告)号：CN1529343A
公开(公告)日：2004-09-15
申请号：CN200310111228.X
申请日：2003-10-13
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于MEMS和IC封装技术，具体为一种基于金锡共晶的硅/硅键合方法。该方法采用Au/Sn的多层膜结构，通过在电热板上加温加压的方式实现了Au/Sn共晶键合。由于锡层表面镀有一定厚度的金膜(镀锡、镀金膜在真空中一次完成)，在短时间加热键合过程中，通过在热板区通惰性气体，减少了锡层的氧化。在键合衬底片下垫上一层耐高温柔性垫层，可有效防止因硅片厚度不均所导致的局部受力不均匀、或压力过大引起的键合片碎裂。通过调整Au、Sn膜层厚度，完成了较大面积的硅片间的Au/Sn共晶键合。本发明克服了现有技术中锡表面易氧化影响键合质量和只能实现小面积键合的问题，且无须在真空条件下封装，具有键合速度快、生产成本低等优点。
-
公开(公告)号：CN1449990A
公开(公告)日：2003-10-22
申请号：CN03119029.4
申请日：2003-04-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: B81C5/00
Abstract: 微机电系统后封装工艺，涉及印刷电路、集成电路制造和微电子器件封装领域，在限制区内取得高温以得到更好的键合强度，而在晶元级保持低温以保护MEMS微结构和微电路，同时进一步提高封装的气密性。本发明步骤为(1)在盖板上加工与底板MEMS器件相容的凹坑；(2)沉淀电热绝缘层；(3)沿凹坑边界线沉淀内外两圈导电加热带；(4)将盖板和底板对准重合；(5)向两圈导电加热带输入电流，实现键合；还可以在导电加热带上沉淀电绝缘层后再沉淀一层键合材料用于键合。本发明键合区域温度可达1000℃，提高了键合质量，其它区域保持低温，双墙键合增加了气密性提高成品率。
-
公开(公告)号：CN2656396Y
公开(公告)日：2004-11-17
申请号：CN03280287.0
申请日：2003-09-17
Applicant: 华中科技大学机械科学与工程学院
Abstract: 微光电子机械系统气密封装夹具，包括支架(1)、基座(4)、微调架(5)、加压板(10)、升降装置(11)、衬底安放台(8)和帽层安放台(9)；支架(1)包括底板(2)、立柱(3)、加强筋(2A)，立柱(3)垂直装在所述底板(2)上，加强筋(2A)倾斜地装于立柱(3)后侧，其底端固定在所述底板(2)上，底板(2)装在基座(4)上，在立柱(3)的前侧面上具有齿条(3A)；微调架(5)装在基座(4)上；装有加压板(10)的升降装置(11)可移动地装在支架(1)的立柱(3)上；在加压板(10)上，用螺栓(15)弹性地装有帽层安放台(9)；衬底安放台(8)位于微调架(5)上；衬底安放台(8)上带有压力传感器(7)。本实用新型能保证封装的高质量和封装的高生产率。
-
公开(公告)号：CN2761576Y
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200420057831.4
申请日：2004-12-17
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种薄膜微桥结构。其桥腿与桥面采用氧化硅和氮化硅复合薄膜制成，均位于同一平面内，桥腿的一端与桥面相连，另一端架在金属桥墩上，桥面由桥腿和桥墩支撑悬浮在衬底上，桥面与衬底之间构成空腔。本实用新型解决了由于桥腿弯曲而导致的应力集中问题；并采用了应力平衡技术，利用二氧化硅薄膜的压应力来平衡氮化硅薄膜的张应力，可以获得具有较低应力的复合薄膜。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN2681163Y
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN200320115572.1
申请日：2003-10-22
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种微型二氧化钒光开关，包括衬底、VO2层和电极，衬底和VO2层之间设有Si3N4材料制成的过渡层，在VO2层上设有金属加热线。本实用新型无移动部件，膜系本身就是加热器，不必另装加热设备，结构简单、工作可靠，便于大规模集成，低成本、低功耗，同时，由于该光开关可以采用标准半导体制造工艺制作，而且具有开关时间短，对偏振不灵敏，消光比高，插入损耗小的特点，是一种全新的开关器件，可以在光通讯和光传感领域中得到很大的发展。
-
公开(公告)号：CN2762175Y
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200420057891.6
申请日：2004-12-20
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种氧化钒薄膜微型光开关。光开关的桥腿与桥面采用同一种介质薄膜制成，二者位于同一平面内，桥腿的一端与桥面相连，另一端架在金属桥墩上，桥面由桥腿和桥墩支撑悬浮在衬底上，桥面与衬底之间构成空腔；氧化钒薄膜制备在桥面之上，电极位于金属桥墩上，且与氧化钒薄膜相连。本实用新型采用微桥结构，不仅可以降低光开关的热容值，提高开关速度，而且通过改变微桥结构参数，还可以进一步调整光开关与衬底间的热导值。本实用新型为全固态器件，避免了MOMES光开关中的移动部件，提高了光开关的可靠性。本实用新型有利于研制高速或者低功耗的光开关阵列。
-
公开(公告)号：CN2780733Y
公开(公告)日：2006-05-17
申请号：CN200520095989.5
申请日：2005-04-15
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本实用新型属于MEMS和IC封装技术，为一种感应局部加热键合装置。该装置包括高频感应电源、位于键合腔内的感应器、绝缘导杆和绝缘垫板；感应器通过铜管与高频感应电源相连，并置于绝缘垫板上，绝缘导杆用于提供键合时的压力，感应器为蝴蝶形线圈或带导磁体的横模感应加热线圈组。本装置使用时只有键合层局部处于高温，避免了整体加热过程中高温对芯片上温度敏感结构的破坏。由于感应加热对材料具有选择性，通过对键合材料的选择，可更好地满足MEMS键合要求。相对于其他MEMS局部加热键合而言，该装置具有非接触、对材料和结构尺寸具有选择性、加热均匀、键合速度快等优点，可用于多种材料和多种键合方式的封装键合。
-
公开(公告)号：CN2689539Y
公开(公告)日：2005-03-30
申请号：CN200420017634.X
申请日：2004-04-02
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01S5/22
Abstract: 本实用新型公开了一种脊型波导偏振无关半导体光放大器，依次包括InP衬底、n型InP缓冲层、无源波导层、有源区、脊型波导，其顶层和低层设有电极，其特征在于：在无源波导层与有源区之间设有第二级宽脊波导，所述脊型波导为侧向锥形结构，与第二级宽脊波导共同使光束远场与光纤远场匹配。上述脊型波导分为三部分，脊宽分两级侧向减小。本实用新型不仅具有工艺简单可靠，器件成品率高的特点，而且其偏振灵敏度低，远场特性好，可得到近似圆形的远场光斑，与波导或光纤具有极高的耦合效率和耦合对准容差。本实用新型可以广泛应用于光网络、光子集成和光电子集成。
-
公开(公告)号：CN2630912Y
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN03254143.0
申请日：2003-05-23
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种用于热电制冷器的高精度温度控制电路，包括五个部分：温度设定部分用于设定TEC所需的工作温度，并将温度设定信号输出到PID控制器；温度采集部分由温度传感器和激励源组成，用于采集TEC的工作温度，并将温度信号输出到PID控制器；PID控制器将温度设定信号与采集的温度信号相比较，其差分信号经过PID运算产生TEC控制信号，送入PWM功率驱动器；PWM功率驱动器根据TEC控制信号，产生PWM信号，并经滤波电路滤波后提供直流输出给TEC。本实用新型利用脉宽调制(PWM)方法设计出高精度、低成本温控电路，不采用传统的电桥平衡方法检测温度，不需要多个精密电阻，集成度高，控制精度高，而且便于实时设定温度，温度控制精度由国际上通用的±10mK，提高到±5mK。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
41
records
(took 0.017 seconds)
