公开(公告)号：CN119853709A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202411806649.2

申请日：2024-12-10

Applicant: 广州海格通信集团股份有限公司 ,  华中科技大学

Inventor： 朱晟 ,  卢从明 ,  魏蛟龙 ,  唐祖平 ,  熊韬 ,  李泽宇 ,  俞穗圆 ,  马昌浩 ,  吴宇飞 ,  高时汉

IPC: H03M13/15

Abstract: 本发明提供一种DVB‑S2高速并行BCH码译码器及其译码方法，其中译码器包括：N路并行伴随式计算模块、错误多项式计算模块、N路并行钱氏搜索模块和错误校正模块。这些模块通过对待译码BCH码进行N路并行伴随式计算，获取伴随式结果；利用iBM算法，通过对伴随式结果进行多次迭代运算，确定错误位置多项式输出结果；基于错误位置多项式输出结果，用包含初始值的小查找表，确定待译码BCH码的信息位置是否发生错误，并输出判断结果；最后基于待译码BCH码和判断结果，输出高速并行译码结果。本发明采用多位并行输入输出数据，并利用iBM算法计算错误多项式，有效提高了译码过程的时效性。

公开(公告)号：CN1529451A

公开(公告)日：2004-09-15

申请号：CN200310111202.5

申请日：2003-10-05

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 陈四海 ,  易新建 ,  王宏臣 ,  黄光 ,  熊韬 ,  陈明祥 ,  李雄伟 ,  柯才军

IPC: H04J14/02 ,  H04B10/02 ,  H04Q3/52 ,  G02B6/26

Abstract: 本发明公开了一种微型二氧化钒光开关，包括衬底、VO2层和电极，衬底和VO2层之间设有Si3N4材料制成的过渡层，在VO2层上设有金属加热线。制备方法包括：(1)清洗衬底表面；(2)镀制薄膜：采用溅射淀积设备先镀过渡层Si3N4，再开始长VO2膜；(3)退火处理；(4)利用悬浮工艺制作金属加热线和电极：先作出光刻胶光开关微图形，再在基片上镀金属薄膜，最后去除光刻胶上的薄膜层。本发明无移动部件，膜系本身就是加热器，不必另装加热设备，结构简单、工作可靠，便于大规模集成，低成本、低功耗，同时，由于该光开关可以采用标准半导体制造工艺制作，而且具有开关时间短，对偏振不灵敏，消光比高，插入损耗小的特点，是一种全新的开关器件，可以在光通讯和光传感领域中得到很大的发展。

公开(公告)号：CN2681163Y

公开(公告)日：2005-02-23

申请号：CN200320115572.1

申请日：2003-10-22

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 陈四海 ,  易新建 ,  王宏臣 ,  黄光 ,  熊韬 ,  陈明祥 ,  李雄伟 ,  柯才军

IPC: G02F1/025 ,  G02B6/35 ,  H04B10/12 ,  H04J14/02

Abstract: 本实用新型公开了一种微型二氧化钒光开关，包括衬底、VO2层和电极，衬底和VO2层之间设有Si3N4材料制成的过渡层，在VO2层上设有金属加热线。本实用新型无移动部件，膜系本身就是加热器，不必另装加热设备，结构简单、工作可靠，便于大规模集成，低成本、低功耗，同时，由于该光开关可以采用标准半导体制造工艺制作，而且具有开关时间短，对偏振不灵敏，消光比高，插入损耗小的特点，是一种全新的开关器件，可以在光通讯和光传感领域中得到很大的发展。