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公开(公告)号：CN114188442A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111499816.X
申请日：2021-12-09
Applicant: 华东师范大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0392 , H01L31/0328 , C25D9/04
Abstract: 本发明公开了一种锑掺杂电化学沉积铜锌锡硫太阳能电池吸收层制备方法，其特点是该方法包括：将硫酸铜、硫酸锌、硫酸亚锡、硫代硫酸钠、柠檬酸钠和酒石酸钾等化学试剂按一定摩尔比溶解于去离子水溶液中；然后在金属钼背电极上电化学沉积四元铜锌锡硫预制层；再将预制层与锑源粉末进行硫化退火；最后获得到上述锑掺杂电化学沉积铜锌锡硫薄膜太阳能电池吸收层材料。本发明与现有技术相比具有光电性能得到大幅度的提高等优点，较好的解决了电化学沉积铜锌锡硫薄膜太阳能吸收层掺杂的技术难题，通过调控硫化退火过程中锑源的量即可对铜锌锡硫薄膜中锑元素进行精准控制，制备工艺简单，重复性好，成本低廉，具有较好的研究与推广利用价值。
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公开(公告)号：CN108110294B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201711142958.4
申请日：2017-11-17
Applicant: 华东师范大学
IPC: H01M8/18
Abstract: 本发明公开了一种锌碘电池结构，包括外壳，所述的外壳内形成腔体，腔体的中间设置有将腔体分割成两部分的阳离子交换膜；其负极输出端设置有保护阳离子交换膜的玻璃纤维件；在玻璃纤维件的外侧设置有浸润有ZnI2溶液的石墨毡；负极输出端的石墨毡上敷有Bi粉，正极输出端的石墨毡上敷有Sm粉。在石墨毡的外侧设置有作为电池的电流引出通道的碳板；在两个石墨毡之间设置有回流通道。采用电阻较小的均相阳离子交换膜，克服了严重的自放电问题；采用开放流动系统的液流电池，有效解决了充放电过程中体积会变化导致的压强变化的问题。通过在阳离子交换膜的两侧，使用玻璃纤维制品使充电过程中生成的枝晶体无法到达隔膜，避免刺穿隔膜而导致短路。
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公开(公告)号：CN107919854B
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201610884919.0
申请日：2016-10-10
Applicant: 华东师范大学
IPC: H02S50/10 , G01R31/385
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池IV特性的检测装置，包括：太阳能电池片、光谱仪探头、光电探测器、光谱仪、光功率计、电流电压源、太阳能电池量子效率检测仪和计算机；光谱仪的探头置于太阳能电池片的表面，用于探测太阳能电池片的电致发光光谱；电流电压源的输出端与太阳能电池片连接；光电探测器置于太阳能电池片的表面，用于读取绝对电致发光强度或光功率，其输出端与光功率计的输入端相连；太阳能电池量子效率检测仪测量太阳能电池片的外部量子效率；光谱仪与光功率计的输出端均与计算机连接，根据绝对电致发光强度或光功率与太阳能电池片的外部量子效率以及电池内部电压的关系，得到I‑V特性。本发明还公开了一种太阳能电池IV特性的检测方法。
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公开(公告)号：CN107706737B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201710840898.7
申请日：2017-09-18
Applicant: 华东师范大学
IPC: H01S5/042
Abstract: 本发明公开了一种用于半导体激光器的频率精密可调式脉冲发生电路，它包括微控制器、DDS模块及雪崩晶体管脉冲产生电路，所述微控制器连接DDS模块，DDS模块连接雪崩晶体管脉冲产生电路，DDS模块作为触发信号、雪崩晶体管脉冲产生电路接收触发信号从而激发电容产生脉冲信号。本发明利用微控制器通过Keil软件和STC‑ISP软件对DDS模块中的AD9851芯片写入不同频率控制字从而产生不同的频率作为触发信号提供给后级雪崩晶体管脉冲产生电路，从而得到不同的频率的脉冲信号。频率可调范围为0‑60MHz，且脉冲宽度也能通过改变供电电压来调节，可以方便的应用于半导体激光器的驱动。
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公开(公告)号：CN109672080A
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201910046828.3
申请日：2019-01-18
Applicant: 华东师范大学
IPC: H01S3/16
Abstract: 本发明公开了一种基于图形化衬底的低阈值光泵浦随机激光器，首先制备一种具有图形化结构的衬底，然后在该图形化衬底上制备具有较强散射效应的激光增益材料，即构成所述低阈值光泵浦随机激光器。本发明采用的图形化衬底能够有效增强图形界面处光的散射效应，进而改变光在激光增益材料中的传播路径，使得部分耗散光经过图形化衬底的反射后能够重新进入增益材料内的闭合光回路中，提高该闭合光回路的光反馈（或增益），最终实现低阈值光泵浦随机激光输出。本发明提出的随机激光器结构简单，易于制备，且可以通过改变激光增益材料来实现激光波长的调控，在光学成像、投影、显示、医疗检测以及军事等领域具有重要的应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108092624A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201611044567.4
申请日：2016-11-22
Applicant: 华东师范大学
IPC: H02S50/15
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池开路电压分布的检测装置，包括：太阳能电池片、光谱仪、光谱仪探头、光电探测器、光功率计、CCD照相机、遮光图形板、电流电压源、太阳能电池量子效率检测仪和计算机；CCD照相机置于太阳能电池片的表面，用于测量太阳能电池片的电致发光表面成像；光谱仪的探头置于太阳能电池片的表面，用于探测太阳能电池片的电致发光光谱；电流电压源的输出端与太阳能电池片连接；光电探测器置于太阳能电池片的表面，用于读取绝对电致发光强度或光功率；太阳能电池量子效率检测仪测量电池的外量子效率；CCD照相机与光谱仪的输出端均与计算机连接，根据绝对电致发光强度或光功率与太阳能电池片的外部量子效率以及电池内部电压的关系，得到电池表面开路电压的分布。本发明还公开了一种太阳能电池开路电压分布的检测方法。
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公开(公告)号：CN106634133A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611076696.1
申请日：2016-11-30
Applicant: 华东师范大学
CPC classification number: C09D5/22 , C09K11/025 , C09K11/06 , C09K2211/188
Abstract: 本发明公开了一种耐水性有机钙钛矿薄膜及其制备方法。该方法将有机钙钛矿材料纳米颗粒采用有机硅进行表面修饰，制备得到复合纳米溶胶，将其涂布成膜，干燥后，制备得到所述耐水性有机钙钛矿薄膜。本发明的制备方法简单，制备得到的耐水性有机钙钛矿薄膜耐水性好，可以作为LED光源的荧光材料。
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公开(公告)号：CN106298450A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610651489.8
申请日：2016-08-10
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米级图形化蓝宝石衬底及其制备方法，1)在蓝宝石衬底上生长一层二氧化硅层；2)在二氧化硅层上自组装形成单层紧密排列的聚合物微球阵列；3)在聚合物微球阵列表面生长一层金属层；4)先后在750℃和1050℃高温下进行退火，得到非紧密排列的金属纳米球阵列；5)以金属纳米球阵列为掩模对二氧化硅层进行刻蚀，得到规则排列的二氧化硅纳米柱；6)以二氧化硅纳米柱为掩模对蓝宝石衬底进行刻蚀，除去二氧化硅纳米柱，最终得到所述纳米级图形化蓝宝石衬底(PSS)。本发明工艺简单、稳定性好、成品率高，适于制备各种晶圆尺寸的图形化蓝宝石衬底；获得的纳米级图形化蓝宝石衬底具有更高的光提取效率，对提高GaN基LED的发光效率具有重大的意义。
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公开(公告)号：CN105514228A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201610051094.4
申请日：2016-01-26
Applicant: 华东师范大学
CPC classification number: H01L33/0066 , G03F7/0002 , H01L33/0075 , H01L33/20
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米压印技术制备图形化蓝宝石衬底的方法，在表面抛光的硅片基底上生长高纯度的金属铝膜；利用两次阳极氧化反应得到规则有序的多孔阳极氧化铝；以多孔阳极氧化铝当掩模对硅片基底进行干法刻蚀得到规则有序的多孔硅基底；在多孔硅基底上旋涂填充聚二甲基硅氧烷PDMS并进行固化、脱模，得到PDMS模板；利用PDMS模板通过紫外压印方法将图形转移到蓝宝石衬底上，采用刻蚀工艺得到图形化的蓝宝石衬底(PSS)。本发明的PDMS模板图形规则有序、均匀性好、易于脱模且可重复使用，配合紫外压印技术可实现6英寸及以上大尺寸PSS的制备。本发明的方法简单易行、可控性高、极大地提高PSS的生产效率，生产成本低。
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公开(公告)号：CN119443009A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202310983778.8
申请日：2023-08-07
Applicant: 华东师范大学
IPC: G06F30/367 , G06N10/20
Abstract: 本发明公开了一种多参数SCH‑QW半导体激光器电路模型。所述电路模型包括本征网络等效电路部分及封装寄生网络电路部分；所述本征网络等效电路部分包括SCH区，Gateway区，量子阱QW区及受激辐射区；所述SCH区通过双极扩散和载流子释放的方式与Gateway区进行载流子的交换；所述量子阱QW区具有量子阱结构，通过捕获和热激发进行载流子的交换；所述Gateway区作为SCH区和QW区交换载流子的门户；所述封装寄生网络电路部分包括金线、集总部分、衬底；所述金线包括电感LB、电阻RB、电容CB，所述集总部分包括集总电容CS、集总电阻RS，所述衬底包括基板电阻RSUB。本发明还公开了上述电路模型的构建方法以及在饱和非线性效应参数、ABC系数对模型输出的影响的模拟和仿真中的应用。
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