复杂磁扰动场景MEMS电子罗盘的动态方位角解算方法

    公开(公告)号:CN111272158A

    公开(公告)日:2020-06-12

    申请号:CN201911310478.3

    申请日:2019-12-18

    Abstract: 本发明公开了复杂磁扰动场景MEMS电子罗盘的动态方位角解算方法,包括:获取多冗余传感器中加速度计、磁力计和陀螺仪的输出值;判断是否需要进行滤波;若需要进行滤波,构建扩展卡尔曼滤波器,输出加速度计、磁力计和陀螺仪的输出值的最优估值;若不需要进行滤波,直接输出多冗余传感器中加速度计、磁力计和陀螺仪的输出值;分别用倾角补偿算法、磁场比例角补偿算法和陀螺仪Z轴积分算法解算方位角;根据载体当前运动姿态进行数据融合,得到最优方位角。本发明提供的复杂磁扰动场景MEMS电子罗盘的动态方位角解算方法,使MEMS电子罗盘在磁扰动和动态条件下,自适应完成准确的方位角解算,提高定向精度;算法结构简单,收敛速度快。

    一种基于悬空结构的压电微机械超声传感器

    公开(公告)号:CN109990814A

    公开(公告)日:2019-07-09

    申请号:CN201910257904.5

    申请日:2019-04-01

    Abstract: 一种基于悬空结构的压电微机械超声传感器,其主要包括基座和压电晶片,其中压电晶片通过一个或多个连接件悬空设置在所述基座上,所述压电晶片用于产生或接收超声波。一方面,由于压电晶片和基座之间采用连接件进行连接,使得压电晶片处于悬空状态,利于减小基座对压电晶片的拉应力束缚,从而减少残余应力的影响;另一方面,由于压电晶片的悬浮结构设计,使得传感器自身能够实现更好的谐振运动,对于边缘的束缚应力更小,压电晶片或压电薄膜的振动位移更大,利于产生高声压的超声波,实现更为准确的识别和探测。

    一种三维堆叠存储器
    36.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106782666A

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:CN201510831373.8

    申请日:2015-11-25

    Abstract: 一种三维堆叠存储器,包括多层存储器,每层存储器包括:由存储单元排布成的存储阵列,用于存储数据;备用存储单元,用于作为冗余资源替换故障存储单元;内建自测试模块,用于对存储器进行测试,并标定存储阵列中故障存储单元的位置;冗余资源替换模块,用于使用故障存储单元所属层的备用存储单元及与其相邻层中的备用存储单元按照内建自测试模块标定的故障存储单元的位置对故障存储单元进行替换。因为,冗余资源替换模块使用故障存储单元所属层的备用存储单元及与其相邻层中的备用存储单元按照内建自测试模块标定的故障存储单元的位置对故障存储单元进行替换,所以在较少硅通孔面积的条件下可提高冗余资源的利用率和故障单元修复率。

    硅通孔及三维集成电路中硅通孔组的测试电路及方法

    公开(公告)号:CN105470240A

    公开(公告)日:2016-04-06

    申请号:CN201510817569.1

    申请日:2015-11-23

    CPC classification number: H01L23/544 H01L22/12 H01L22/14

    Abstract: 本申请涉及硅通孔及三维集成电路中硅通孔组的测试电路和方法,包括:激励源,其与TSV的输入端相连接,用于提供激励信号;并联的两条电路支路,其与TSV的输出端相连接,其中一电路支路包括反相器件,另一电路支路包括电平触发器件和开关器件,开关器件用于控制电平触发器件所处电路支路的通断;第三电路支路,其与并联的两条电路支路的输出端相连接,用于根据电路支路当前处于的导通或断开状态,予以相应的输出;检测电路支路,用于根据第三电路支路的输出的信号表现,确定TSV是否存在开路缺陷或短路缺陷。本申请通过分析两条电路支路输出端的信号表现,来判断TSV缺陷,实现采用同一套测试电路即可覆盖开路缺陷和短路缺陷测试。

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