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公开(公告)号:CN111293210A
公开(公告)日:2020-06-16
申请号:CN201811491104.1
申请日:2018-12-07
Applicant: 茂丞科技(深圳)有限公司 , 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L41/04 , H01L41/053 , H01L41/113 , H01L41/23 , H01L41/25 , G06K9/00
Abstract: 一种晶圆级超声波芯片模块,包含基板、复合层、传导材料以及底材,基板具有贯通槽,贯通槽连通基板的上表面及基板的下表面,复合层位于基板上,复合层包括超声波体及保护层,超声波体位于基板的上表面且贯通槽暴露出超声波体的下表面,保护层覆盖超声波体及部分的基板的上表面,保护层具有开口,开口暴露出部分的超声波体的上表面,传导材料位于开口内且接触超声波体的上表面,底材位于基板的下表面且覆盖贯通槽,以使贯通槽、超声波体的下表面与底材的上表面之间形成空间。
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公开(公告)号:CN111272158A
公开(公告)日:2020-06-12
申请号:CN201911310478.3
申请日:2019-12-18
Applicant: 无锡北微传感科技有限公司 , 北京大学深圳研究生院
IPC: G01C17/38
Abstract: 本发明公开了复杂磁扰动场景MEMS电子罗盘的动态方位角解算方法,包括:获取多冗余传感器中加速度计、磁力计和陀螺仪的输出值;判断是否需要进行滤波;若需要进行滤波,构建扩展卡尔曼滤波器,输出加速度计、磁力计和陀螺仪的输出值的最优估值;若不需要进行滤波,直接输出多冗余传感器中加速度计、磁力计和陀螺仪的输出值;分别用倾角补偿算法、磁场比例角补偿算法和陀螺仪Z轴积分算法解算方位角;根据载体当前运动姿态进行数据融合,得到最优方位角。本发明提供的复杂磁扰动场景MEMS电子罗盘的动态方位角解算方法,使MEMS电子罗盘在磁扰动和动态条件下,自适应完成准确的方位角解算,提高定向精度;算法结构简单,收敛速度快。
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公开(公告)号:CN109990814A
公开(公告)日:2019-07-09
申请号:CN201910257904.5
申请日:2019-04-01
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G01D5/48
Abstract: 一种基于悬空结构的压电微机械超声传感器,其主要包括基座和压电晶片,其中压电晶片通过一个或多个连接件悬空设置在所述基座上,所述压电晶片用于产生或接收超声波。一方面,由于压电晶片和基座之间采用连接件进行连接,使得压电晶片处于悬空状态,利于减小基座对压电晶片的拉应力束缚,从而减少残余应力的影响;另一方面,由于压电晶片的悬浮结构设计,使得传感器自身能够实现更好的谐振运动,对于边缘的束缚应力更小,压电晶片或压电薄膜的振动位移更大,利于产生高声压的超声波,实现更为准确的识别和探测。
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公开(公告)号:CN109472182A
公开(公告)日:2019-03-15
申请号:CN201710803335.0
申请日:2017-09-08
Applicant: 茂丞科技(深圳)有限公司 , 北京大学深圳研究生院
IPC: G06K9/00
Abstract: 一种超声波模块及其制造方法,该超声波模块包含基底、复合层、以及覆盖层。基底具有上表面。复合层具有顶面、底面及内陷于底面的内凹面。底面位于基底的上表面上,内凹面与上表面之间形成至少一空间。复合层具有至少一第一沟槽,第一沟槽由顶面朝内凹面延伸。第一沟槽将复合层区隔为电路结构与连接电路结构的超声波结构。覆盖层结合复合层的顶面。
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公开(公告)号:CN104880190B
公开(公告)日:2018-05-25
申请号:CN201510294532.5
申请日:2015-06-02
Applicant: 无锡北微传感科技有限公司 , 北京大学深圳研究生院
IPC: G01C21/16
Abstract: 本发明公开了一种用于惯导姿态融合加速的智能芯片,所述智能芯片将姿态解算的梯度极值算法固化成硬件加速逻辑,将软件解算与硬件加速结合在一起,所述智能芯片按照数据流的顺序从输入到输出依次包括:SPI通信接口模块(1)、四元数初始化模块(2)、高速寄存模块(3)、四元数更新模块(4)和四元数反馈及输出模块(5),以提升惯导系统姿态融合的速度和精度。
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公开(公告)号:CN106782666A
公开(公告)日:2017-05-31
申请号:CN201510831373.8
申请日:2015-11-25
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G11C29/44
Abstract: 一种三维堆叠存储器,包括多层存储器,每层存储器包括:由存储单元排布成的存储阵列,用于存储数据;备用存储单元,用于作为冗余资源替换故障存储单元;内建自测试模块,用于对存储器进行测试,并标定存储阵列中故障存储单元的位置;冗余资源替换模块,用于使用故障存储单元所属层的备用存储单元及与其相邻层中的备用存储单元按照内建自测试模块标定的故障存储单元的位置对故障存储单元进行替换。因为,冗余资源替换模块使用故障存储单元所属层的备用存储单元及与其相邻层中的备用存储单元按照内建自测试模块标定的故障存储单元的位置对故障存储单元进行替换,所以在较少硅通孔面积的条件下可提高冗余资源的利用率和故障单元修复率。
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公开(公告)号:CN105470240A
公开(公告)日:2016-04-06
申请号:CN201510817569.1
申请日:2015-11-23
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L23/544 , H01L21/66
CPC classification number: H01L23/544 , H01L22/12 , H01L22/14
Abstract: 本申请涉及硅通孔及三维集成电路中硅通孔组的测试电路和方法,包括:激励源,其与TSV的输入端相连接,用于提供激励信号;并联的两条电路支路,其与TSV的输出端相连接,其中一电路支路包括反相器件,另一电路支路包括电平触发器件和开关器件,开关器件用于控制电平触发器件所处电路支路的通断;第三电路支路,其与并联的两条电路支路的输出端相连接,用于根据电路支路当前处于的导通或断开状态,予以相应的输出;检测电路支路,用于根据第三电路支路的输出的信号表现,确定TSV是否存在开路缺陷或短路缺陷。本申请通过分析两条电路支路输出端的信号表现,来判断TSV缺陷,实现采用同一套测试电路即可覆盖开路缺陷和短路缺陷测试。
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