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公开(公告)号：CN106994209A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201610041826.1
申请日：2016-01-22
Applicant: 北京大学 , 北京大学东莞光电研究院
IPC: A61N5/06
CPC classification number: A61N5/0618 , A61N2005/0651 , A61N2005/0662
Abstract: 一种治疗抑郁发作的光源及光治疗设备，所述光源包括第一组发射蓝光的LED发射源和第二组发射白光的LED发射源，第一组LED发射源包括至少一个LED，第二组合LED发射源包括至少一个LED；其中第一组LED发射源的波长为460nm‑480nm，第二组LED发射源的波长为420nm‑700nm；第一组LED发射源的LED数量与第二组LED发射源的LED数量的比例为0.03‑0.25。还涉及了所述光治疗设备的使用方法。
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公开(公告)号：CN105113004A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201510550420.1
申请日：2015-09-01
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种三族氮化物晶体生长装置，包括反应釜，该反应釜内设有晶种模板，所述反应釜与滚动驱动装置连接，该滚动驱动装置带动反应釜转动，滚动驱动装置带动反应釜水平方向滚动，或者与水平方向成倾斜角度方向滚动。本发明有效克服了传统反应装置生长氮化物晶体过程中，N源不足的缺点，可有效避免氮化物晶体存在N空位、晶体质量差、生长速率低等问题。
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公开(公告)号：CN109652859B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN201811608221.1
申请日：2018-12-27
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明涉及一种光气耦合晶体生长装置，包括反应釜体、激光光源、坩埚和籽晶，籽晶设于坩埚内，坩埚一侧开设有坩埚通光口，激光光源通过坩埚通光口以切向位置射入坩埚内、并在坩埚内以回音壁传播模式传播，与现有技术相比，本发明的激光光源从坩埚一侧以切向位置射入坩埚内，激光光源以回音壁传播模式沿坩埚内壁传播，促使输入的激光光源与氮气充分耦合，高效激发更多的氮电离，从而加速氮溶入反应溶液中，提高反应溶液中的氮含量，进而大大提升晶体生长效率。
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公开(公告)号：CN106994209B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN201610041826.1
申请日：2016-01-22
Applicant: 北京大学第六医院 , 北京大学东莞光电研究院
IPC: A61N5/06
Abstract: 一种治疗抑郁发作的光源及光治疗设备，所述光源包括第一组发射蓝光的LED发射源和第二组发射白光的LED发射源，第一组LED发射源包括至少一个LED，第二组合LED发射源包括至少一个LED；其中第一组LED发射源的波长为460nm‑480nm，第二组LED发射源的波长为420nm‑700nm；第一组LED发射源的LED数量与第二组LED发射源的LED数量的比例为0.03‑0.25。还涉及了所述光治疗设备的使用方法。
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公开(公告)号：CN114737250B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202210410043.1
申请日：2022-04-19
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种激光辅助加热制备GaN单晶设备，涉及GaN材料制备技术领域，包括晶体生长系统、激光产生系统和温控系统，通过将激光产生系统产生的激光传输至衬底生长区域，使激光光斑辐射处的材料吸收激光光能而加速分子热运动以提高晶体生长的温度；利用温控系统以实施探测并反馈晶体生长处的局域温度，以此为依据来调整激光的能量密度与脉冲数，使得材料的吸收谱匹配相应的激光波长，确保材料的分子热运动加速但仍处于简谐振动的范畴，不会出现裂解而影响晶体结构，进而实现高速高质量GaN单晶的生长。此外，通过集成激光提高晶体生长局域温度，在不改变晶体生长系统整体温度布局的同时能够有效降低系统需承受的温场，从而有效降低设备制造成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115831746A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211630556.X
申请日：2022-12-19
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L21/265 , H01L23/373 , H01L21/683
Abstract: 本发明公开一种金刚石上薄层器件及其制备方法，包括如下步骤：在蓝宝石衬底上生长薄层器件外延结构；利用离子注入形成离子掩埋层；进行源电极和漏电极制作；进行栅电极制作；淀积氮化硅介质层；沉积金刚石材料层，加热过程中，外延材料从离子掩埋层中分离开，形成金刚石/氮化镓薄层器件；利用激光方法在源漏栅区进行开窗口，用于电路引线，形成正装结构、正向引线的氮化镓薄层器件。本发明精确控制剥离氮化物外延层器件的厚度，实现薄层器件直接转移器件到金刚石材料上，利用金刚石材料直接生长与结合离子注入分离传统衬底，解决现在薄层氮化镓材料或者器件与金刚石材料结合技术路线中应力大、剥离精度不高、不合适量产、散热不好的问题。
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公开(公告)号：CN114318524A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111629561.4
申请日：2021-12-28
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明涉及一种用于调控晶圆外延生长均匀性的装置及方法，该用于调控晶圆外延生长均匀性的装置包括加热炉、托盘、支撑杆、温度传感器、引线及温度控制模块，托盘与支撑杆均安装于加热炉内，托盘用于放置生长晶圆或测温晶圆，支撑杆连接托盘，支撑杆用于驱动托盘转动；温度传感器安装于托盘上，引线的一端连接温度传感器，另一端连接温度控制模块，引线穿设支撑杆，并用粘接剂密封；工作时，生长晶圆或测温晶圆用于放置于温度传感器上。本装置通过温度传感器实时监测生长晶圆或测温晶圆的表面温度，且将监测的温度在线反馈至温度控制模块进行控温，测温和控温精确，确保调控晶圆外延生长的均匀性，实现大尺寸晶圆生长的一致性。
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公开(公告)号：CN114059159A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111371322.3
申请日：2021-11-18
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明提供一种金刚石的生长方法，采用凝聚态碳源代替气态碳源，除了提供初始条件外，在金刚石生长过程中不需要再通入工艺气体，只需要激发凝聚态碳源形成适合金刚石生长的等离子体区域；激发态的碳源在预先放置的诱导晶种上沉积并同质外延生长金刚石。该方法拓展碳源取材范围，节约能源，避免工艺气体的浪费，便于金刚石的连续生长。
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公开(公告)号：CN113946089A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111249632.8
申请日：2021-10-26
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: G03B21/16
Abstract: 本发明涉及投影设备技术领域，尤指一种散热激光投影仪机箱，包括箱体、光源、拉瓦尔喷管、进风风扇及出风风扇，箱体包括相互连通的外腔和内腔；光源设置在内腔内，拉瓦尔喷管设置在外腔和内腔的连接处；进风风扇的出风端与外腔连通；出风风扇的进风端与内腔连通，其出风端与箱体外连通。本发明通过进风风扇将气体在外腔淤积，形成高压区，在外腔与内腔之间形成一定压差，使气体在通过拉瓦尔喷管后，气体变成超音速气体，以高速射流喷射到光源的表面，并快速从内腔流动到腔体外，有效带走热量。
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