一种可调节光强型激光剥离装置

    公开(公告)号:CN210296316U

    公开(公告)日:2020-04-10

    申请号:CN201921568500.X

    申请日:2019-09-19

    Abstract: 本实用新型涉及半导体制造技术领域,具体涉及一种可调节光强型激光剥离装置,包括剥离室和激光器,剥离室顶部设有光学窗口,剥离室底部设有样品托盘装置,还包括光强调节装置,光强调节装置装设于剥离室内,光强调节装置位于样品托盘装置上方,激光剥离时,激光器发出的激光经光学窗口进入剥离室,进入剥离室的激光经光强调节装置调节激光强度后,再照射至样品托盘装置的待剥离样品,进行激光剥离,本实用新型通过调整激光光强,形成光强的强弱分布,实现样品表面光强可调,有效控制激光剥离过程,避免样品炸裂。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    一种倒装SMD LED封装结构

    公开(公告)号:CN209822681U

    公开(公告)日:2019-12-20

    申请号:CN201920923538.8

    申请日:2019-06-18

    Abstract: 本实用新型涉及光源封装技术领域,具体涉及一种倒装SMD LED封装结构,包括SMD支架碗杯和倒装LED芯片,倒装LED芯片两端设有电极,倒装LED芯片装设于所述SMD支架碗杯内侧,所述SMD支架碗杯内侧与倒装LED芯片电极连接处设置有锡膏,所述锡膏与电极贴合,所述SMD支架碗杯与倒装LED芯片未设置电极处通过绝缘胶贴合,本实用新型结构简单,设计合理,采用锡膏和绝缘胶与倒装LED芯片连接,连接稳固,使用稳定性好。

    一种光气耦合晶体生长装置

    公开(公告)号:CN209555411U

    公开(公告)日:2019-10-29

    申请号:CN201822224679.9

    申请日:2018-12-27

    Abstract: 本实用新型涉及一种光气耦合晶体生长装置,包括反应釜体、激光光源、坩埚和籽晶,籽晶设于坩埚内,坩埚一侧开设有坩埚通光口,激光光源通过坩埚通光口以切向位置射入坩埚内、并在坩埚内以回音壁传播模式传播,与现有技术相比,本实用新型的激光光源从坩埚一侧以切向位置射入坩埚内,激光光源以回音壁传播模式沿坩埚内壁传播,促使输入的激光光源与氮气充分耦合,高效激发更多的氮电离,从而加速氮溶入反应溶液中,提高反应溶液中的氮含量,进而大大提升晶体生长效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    一种光调制局部加强的晶体生长装置

    公开(公告)号:CN209307515U

    公开(公告)日:2019-08-27

    申请号:CN201822245239.1

    申请日:2018-12-27

    Abstract: 本实用新型涉及一种光调制局部加强的晶体生长装置,包括反应釜、激光光源、设置在反应釜内的坩埚、装载在坩埚内反应溶液、浸在反应溶液内的籽晶以及光束整型元器件,反应釜设有入射窗口,激光光源发出的光束通过入射窗口射入坩埚内,光束整型元器件设于入射窗口与籽晶之间,通过光束整型元器件可将光束汇聚在籽晶的局部位置或通过光束整型元器件可减弱籽晶局部位置的光束,与现有技术相比,本实用新型增设有光束整型元器件,激光光源发出的光束通过入射窗口射入坩埚内,光束整型元器件可汇聚或减弱光束,光束通过光束整型元器件后在籽晶背面形成明暗区域,从而实现籽晶局部位置的光强度和温度调整,有效局部地增强或减弱晶体生长速率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    一种垂直结构的LED封装结构

    公开(公告)号:CN209298159U

    公开(公告)日:2019-08-23

    申请号:CN201822183170.4

    申请日:2018-12-25

    Abstract: 本实用新型涉及LED光源封装技术领域,具体涉及一种垂直结构的LED封装结构,包括LED基板、LED芯片、金属电极和导电薄膜,LED基板设有电路层,LED芯片和金属电极安装于电路层,LED芯片设有第一电极和第二电极,第一电极与电路层连接,导电薄膜设有导电层,导电薄膜设有导电层一侧分别与金属电极和第二电极贴合,本实用新型采用导电薄膜热压对LED芯片进行封装,可以提高LED电流密度并能有效保证LED工作的稳定性。

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