公开(公告)号：CN118213401A

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202311369577.5

申请日：2023-10-20

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  王志灏 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本申请提供一种垂直晶体管的制备方法及垂直晶体管，该方法包括：通过前道工艺，在衬底上形成一垂直晶体管；翻转衬底所在的晶圆，并对衬底进行减薄处理，直至达到预设厚度；在减薄处理后的衬底上的有源区刻蚀第一通孔，以暴露第一有源结构；在第一通孔内沉积金属材料，以形成第一有源结构对应的第一接触孔。通过本申请，可以使第一接触孔和第二接触孔分别设置在垂直晶体管的底部和顶部，有利于缩小第一有源结构的尺寸，进而达到缩小垂直晶体管尺寸的目标。

公开(公告)号：CN118116872A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202410165216.7

申请日：2024-02-05

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  彭莞越 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件，上述方法包括：提供一衬底结构，衬底结构包括：衬底、电源轨、浅沟槽隔离结构和有源结构；其中，浅沟槽隔离结构覆盖电源轨；电源轨包括：第一电源轨和第二电源轨；在衬底结构的栅极区域内沉积第一半导体材料，以形成伪栅结构；通过切除工艺去除位于堆叠晶体管的栅切区域内的伪栅结构；在栅切区域内沉积氮化物材料，以形成第一栅极隔离结构和第二栅极隔离结构；基于有源结构的第一部分和第一栅极隔离结构，形成第一晶体管；基于有源结构的第二部分和第二栅极隔离结构，形成第二晶体管。

公开(公告)号：CN118039565A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202410121713.7

申请日：2024-01-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  卢浩然 ,  刘煜 ,  葛延栋 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/088 ,  H01L21/768

Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件。方法包括：形成第一半导体结构；第一半导体结构包括：衬底结构和有源结构；在第一半导体结构的衬底结构上的栅极区域沉积绝缘材料，形成栅介质层；栅介质层包裹有源结构；基于被栅介质层包裹的第一部分，形成第一晶体管；第一晶体管包括第一金属互连层；第一半导体结构进行倒片，基于被栅介质层包裹的第二部分，形成第二晶体管；第二晶体管包括第二金属互连层。可见，在上下两层晶体管制备过程中，通过先制备栅介质层，再形成上下两层晶体管的金属互连层，使得在形成金属互连层时，可以消除栅介质层对互连通孔的阻塞，从而保证上下两层晶体管的栅极结构与金属互连层之间的连接。

公开(公告)号：CN118039486A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202410151433.0

申请日：2024-02-02

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  王逸勐 ,  黄如 ,  王润声 ,  黎明

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/417 ,  H01L27/085

Abstract: 本申请提供一种垂直晶体管的制备方法、垂直晶体管、器件及设备。其中，制备方法包括：在衬底上层叠沉积第一材料层、第二材料层以及第三材料层，以形成第一半导体结构；刻蚀第一半导体结构的第一区域，以形成第二半导体结构，第二半导体结构包括由第一材料层形成的第一源漏结构、由第二材料层形成的有源结构以及由第三材料层形成的第二源漏结构，第一源漏结构与第二源漏结构在沟道的垂直方向上对称设置；对有源结构的第一部分进行第一方向上的刻蚀，以形成目标有源结构，目标有源结构的第二部分的宽度小于除第二部分外其余部分的宽度，第一方向为沟道的垂直方向；基于第一源漏结构、目标有源结构以及第二源漏结构，制备垂直晶体管。

公开(公告)号：CN117936463A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202410177704.X

申请日：2024-02-08

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  彭莞越 ,  孙嘉诚 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备。其中，制备方法包括：在衬底结构上形成有源结构，有源结构包括第一部分和第二部分，第一部分比与第二部分靠近衬底结构；基于有源结构的第一部分，形成第一晶体管，第一晶体管包括包裹第一部分的第一栅极结构、以及位于堆叠晶体管的源漏区域内的第一层间介质层；基于有源结构的第二部分，形成第二晶体管，第二晶体管包括包裹第二部分的第二栅极结构、以及位于源漏区域内的第二层间介质层；以第一层间介质层和第二层间介质层作为刻蚀停止层，对第一栅极结构和第二栅极结构进行栅极切断工艺，以形成栅极切断结构。

公开(公告)号：CN117878061A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202410177683.1

申请日：2024-02-08

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  彭莞越 ,  卢浩然 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备。其中，制备方法包括：在衬底结构上形成有源结构，有源结构包括第一部分和第二部分，第一部分比与第二部分靠近衬底结构；基于有源结构的第一部分，形成第一晶体管，第一晶体管包括包裹第一部分的第一栅极结构以及位于第一栅极结构两侧的第一源漏结构；在第一栅极结构上形成栅极隔离介质层；基于有源结构的第二部分，在栅极隔离介质层上形成第二晶体管的第二栅极结构；其中，第一栅极结构通过栅极隔离介质层与第二栅极结构隔离。

公开(公告)号：CN117855145A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202311694549.0

申请日：2023-12-11

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  王润声 ,  黎明 ,  卢浩然 ,  孙嘉诚 ,  黄如

IPC: H01L21/8234 ,  H01L23/538 ,  H01L27/088

Abstract: 本申请提供一种自对准晶体管的源漏互连方法、自对准晶体管及器件，上述方法包括：在半导体衬底上形成有源结构，有源结构包括第一有源结构和第二有源结构；基于第一有源结构，依次形成第一源漏结构、第一层间介质层和第一源漏金属，第一层间介质层包裹第一有源结构、第一源漏结构和第一源漏金属；倒片并去除半导体衬底；基于第二有源结构，依次形成第二源漏结构、第二层间介质层和第二源漏金属，第二层间介质层包裹第二有源结构、第二源漏结构和第二源漏金属；其中，第一源漏金属和第二源漏金属通过互连通孔结构连通，互连通孔结构贯穿第一层间介质层和第二层间介质层。通过本申请，可以降低在源漏互连方案中对刻蚀时间的控制难度。

公开(公告)号：CN117690797A

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN202311797536.6

申请日：2023-12-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  王逸勐 ,  滕飞宇 ,  黄如 ,  王润声 ,  黎明

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10

Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构，该半导体结构的制备方法包括：形成沟道，沟道包括沿沟道的延伸方向依次连接的第一部分、第二部分和第三部分；形成覆盖第一部分的侧壁的第一间隔层；在第一间隔层上形成栅极结构，栅极结构至少覆盖第二部分的侧壁；在栅极结构上形成第二间隔层，第二间隔层覆盖第三部分的侧壁；其中，第二间隔层的正投影、覆盖第二部分的侧壁的栅极结构的正投影以及第一间隔层的正投影基本重合；在沟道的延伸方向的两端分别形成第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区连接第三部分，第二掺杂区连接第一部分。

公开(公告)号：CN117352459A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202311226981.7

申请日：2023-09-21

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  葛延栋 ,  卢浩然 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/423 ,  H01L29/08

Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，该方法包括：提供一衬底，衬底为晶圆；在衬底上形成有源结构，有源结构包括第一部分和第二部分；在有源结构上沉积半导体材料，以形成伪栅结构；在伪栅结构的第三部分的两侧形成第一晶体管的源结构和漏结构；对晶圆进行倒片，并去除衬底；在伪栅结构的第四部分的两侧形成第二晶体管的源结构和漏结构；刻蚀伪栅结构，以形成第一槽；在第一槽处分别形成第一晶体管的第一栅极结构和第二晶体管的第二栅极结构，第一栅极结构和第二栅极结构在垂直方向上自对准。

公开(公告)号：CN117116859A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202310987931.4

申请日：2023-08-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  王润声 ,  黎明 ,  卢浩然 ,  黄如

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本申请提供一种半导体结构及其制备方法。其中，制备方法包括：提供一衬底；在衬底上依次形成由不同晶格常数的材料制成的第一材料层和第二材料层；刻蚀第一材料层和第二材料层，形成的鳍结构包括由刻蚀后的第一材料层形成的第一部分和由刻蚀后的第二材料层形成的第二部分；基于第二部分，形成底层晶体管；倒片后基于第一部分，形成顶层晶体管。本申请通过利用鳍结构的第二部分形成底层晶体管，倒片后利用鳍结构的第一部分形成顶层晶体管，使得上下两层晶体管共用鳍结构且实现自对准。另外，由于第一部分与第二部分由不同晶格常数的材料形成，使得底层晶体管和顶层晶体管所共用的鳍结构中产生对应的沟道应力，保证了半导体结构的正常工作。