公开(公告)号：CN118507460A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410422818.6

申请日：2024-04-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  卢浩然 ,  彭莞越 ,  王润声 ,  黄如

IPC: H01L23/535 ,  H01L21/48 ,  H01L27/02 ,  H01L27/085

Abstract: 本申请提供一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，解决了目前堆叠晶体管中漏极互连结构占用版图面积并会产生较大电阻的技术问题。该半导体器件包括第一晶体管、第二晶体管、绝缘层、漏极导电结构；其中，第一晶体管和第二晶体管位于绝缘层的两侧，第一晶体管和第二晶体管在第一方向上自对准，第一方向垂直于绝缘层；漏极导电结构贯穿绝缘层，并连接第一晶体管的漏极外延结构和第二晶体管的漏极外延结构。本申请提供的半导体器件具有漏极导电结构，漏极导电结构不会占用半导体器件的版图面积，并且缩短了漏极互连路径，减小了漏极互联电阻。

公开(公告)号：CN118352305A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202410301043.7

申请日：2024-03-15

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  郭睿 ,  卢浩然 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/76 ,  H01L23/52 ,  H01L27/02

Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的互连方法、堆叠晶体管及半导体器件。方法包括：在半导体衬底上形成有源结构；采用切除工艺去除有源结构的第一部分，以暴露双扩散隔离区域内的半导体衬底；双扩散隔离区域位于有源结构的第二部分的一侧；在双扩散隔离区域内的半导体衬底上形成双扩散隔离结构；基于被保留的有源结构的第二部分，形成沿第一方向自对准的第一晶体管和第二晶体管，以及单扩散隔离结构；单扩散隔离结构位于第一晶体管和第二晶体管的同一侧，并与双扩散隔离结构相对；刻蚀双扩散隔离结构，以形成第一凹槽，并在第一凹槽内填充金属材料，以形成互连通孔结构；互连通孔结构用于连通第一晶体管的第一金属互连层与第二晶体管的第二金属互连层。

公开(公告)号：CN118315343A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202410442420.9

申请日：2024-04-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  彭莞越 ,  葛延栋 ,  卢浩然 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，该方法包括：在衬底上形成有源结构；在有源结构上沉积绝缘材料，形成浅槽隔离结构；在浅槽隔离结构上形成硬掩模层，并以硬掩模层为掩模刻蚀浅槽隔离结构，以形成栅极凹槽；在栅极凹槽中沉积半导体材料，以形成初始伪栅结构；第一伪栅结构和第二伪栅结构自对准；去除浅槽隔离结构中包裹第一有源结构的一部分，以暴露第一有源结构；基于第一有源结构，形成第一晶体管；倒片并去除衬底；去除浅槽隔离结构中包裹第二有源结构的一部分，以暴露第二有源结构；基于第二有源结构，形成第二晶体管。通过本申请，可以优化工艺流程。

公开(公告)号：CN118280925A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202410434413.4

申请日：2024-04-11

Applicant: 北京大学 ,  北京知识产权运营管理有限公司

Inventor： 吴恒 ,  葛延栋 ,  彭莞越 ,  卢浩然 ,  黎明 ,  王润声 ,  黄如 ,  卜伟海 ,  康劲

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 本申请提供一种半导体器件的制备方法、半导体器件及电子设备，该半导体器件的制备方法包括：在衬底上形成有源结构；形成第一半导体结构；将第一半导体结构与第一载片晶圆键合并翻转；去除衬底，暴露第二有源结构；形成第二半导体结构；将第二半导体结构与第二载片晶圆键合并翻转；去除第一载片晶圆，暴露第一半导体结构；在第一半导体结构中，形成第一栅极结构；在第一源漏结构上形成第一源漏金属；在第一晶体管上形成第一金属互连结构；将第一金属互连结构与第三载片晶圆键合并翻转；去除第二载片晶圆，以暴露第二半导体结构；形成第二金属互连结构。该方法避免了在形成第二源漏结构时的较高工艺温度影响第一栅极结构和第一金属互连结构。

公开(公告)号：CN118248633A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202410443039.4

申请日：2024-04-12

Applicant: 北京大学 ,  北京知识产权运营管理有限公司

Inventor： 吴恒 ,  葛延栋 ,  卢浩然 ,  吴旭升 ,  卜伟海 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备。其中，制备方法包括：在衬底上形成有源结构，有源结构包括第一有源结构和第二有源结构，第一有源结构相对于第二有源结构远离衬底；在衬底上形成浅沟槽隔离结构，并暴露第一有源结构；基于第一有源结构，形成第一晶体管；对第一晶体管进行倒片，并暴露第二有源结构；基于第二有源结构，形成第二晶体管；其中，在暴露第一有源结构之后，和/或，在暴露第二有源结构之后，形成半导体结构，半导体结构用于隔离第一晶体管与第二晶体管。

公开(公告)号：CN118116871A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202410021910.1

申请日：2024-01-05

Applicant: 北京大学 ,  北京知识产权运营管理有限公司

Inventor： 吴恒 ,  葛延栋 ,  卢浩然 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如 ,  卜伟海 ,  康劲

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及电子设备，该方法包括：提供第一晶圆；通过前道工艺，基于第一晶圆，形成第一半导体结构，第一半导体结构包括有源结构、在有源结构上形成的伪栅结构以及基于有源结构的第一部分形成的第一源漏结构；将第一半导体结构与第一载片晶圆键合；对第一载片晶圆进行倒片，并暴露有源结构的第二部分；基于第二部分，形成第一晶体管以及第一晶体管的金属互连层；将第一晶体管的金属互连层与第二载片晶圆键合；对第二载片晶圆进行倒片并去除，以暴露第一半导体结构；通过后道工艺，基于第一半导体结构，形成第二晶体管以及第二晶体管的金属互连层。

公开(公告)号：CN117979706A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202410090443.8

申请日：2024-01-22

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  葛延栋 ,  卢浩然 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H10B63/00 ,  H10B63/10 ,  H10B51/50 ,  H10B51/30 ,  H10B51/40 ,  H10B61/00

Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构，该半导体结构的制备方法包括：形成隔离结构，隔离结构包括第一隔离层；在隔离结构的第一侧形成逻辑电路，逻辑电路包括具有第一有源区的第一晶体管；在隔离结构的第二侧形成存储单元，存储单元包括具有第二有源区的第二晶体管；其中，第一隔离层位于第二有源区和第一有源区的连接处；第二侧和第一侧为隔离结构的相对两侧。

公开(公告)号：CN117894754A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202410177747.8

申请日：2024-02-08

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  郭睿 ,  卢浩然 ,  王润声 ,  黎明

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的互连方法、堆叠晶体管及半导体器件。方法包括：在半导体衬底上形成鳍状结构，鳍状结构包括第一部分和第二部分；基于第一部分，形成第一半导体结构；在第一半导体结构的单扩散隔离区域内形成第一单扩散隔断结构；对第一半导体结构进行倒片并去除半导体衬底，以暴露鳍状结构的第二部分；基于第二部分，形成第二半导体结构；在第二半导体结构的单扩散隔离区域内形成第二单扩散隔断结构；其中，第一单扩散隔断结构和第二单扩散隔断结构中形成有互连通孔结构；互连通孔结构与第一半导体结构上的第一金属互连层和位于第二半导体结构上的第二金属互连层连接。

公开(公告)号：CN117855144A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202311694452.X

申请日：2023-12-11

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  孙嘉诚 ,  卢浩然 ,  王润声 ,  黄如

IPC: H01L21/8234 ,  H01L23/538 ,  H01L29/423 ,  H01L27/088

Abstract: 本申请提供一种半导体结构的源漏互连方法、半导体结构、器件及设备，该方法包括：在半导体衬底上形成有源结构；基于第一有源结构，形成第一半导体结构；基于第二有源结构，形成第二半导体结构；对第一半导体结构的第一栅极结构和第二半导体结构的第二栅极结构进行栅极切断工艺，以形成栅极切断结构；基于自对准至栅极切断结构的光刻区域，对第一半导体结构的第一层间介质层和第二半导体结构的第二层间介质层进行光刻，以形成第一深槽；在第一深槽中沉积金属，以形成互连通孔结构，互连通孔结构连接第一半导体结构中的第一源漏金属和第二半导体结构中的第二源漏金属。通过本申请，可以实现源漏互连时的自对准。

公开(公告)号：CN117476466A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202311452213.3

申请日：2023-11-02

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  滕飞宇 ,  卢浩然 ,  黄如 ,  黎明 ,  王润声

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本申请提供一种底部介质隔离的制备方法、半导体结构、器件及电子设备，该方法包括：在衬底上依次沉积牺牲层以及叠层，叠层由第一半导体材料层和第二半导体材料层交替层叠形成的；刻蚀牺牲层和叠层，以形成鳍状结构；在鳍状结构的两端，外延生长源极结构和漏极结构；刻蚀牺牲层，以在叠层、源极结构、漏极结构与衬底之间形成底层间隙；在底层间隙处填充隔离材料，以形成底部介质隔离层。本申请实施例提供的底部介质隔离的制备方法，可以改善源漏外延的生长质量，对沟道提供更好的应力。