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公开(公告)号：CN102567955B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201010616564.X
申请日：2010-12-30
Applicant: 北京大学 , 方正国际软件(北京)有限公司
IPC: G06T5/00
Abstract: 本发明提供了一种图像修复的方法与系统，用以解决现有技术中图像修复效果较差的问题。该方法包括：确定图像待修复区域的轮廓；分别对图像所述待修复区域的所有轮廓点设定邻域的未知像素点进行修复，将修复得到的图像作为更新后图像；重复进行上述两个步骤，对图像待修复区域从边缘向内的依次进行分层修复，直至待修复区域全部填充完毕。
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公开(公告)号：CN102567955A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201010616564.X
申请日：2010-12-30
Applicant: 北京大学 , 方正国际软件(北京)有限公司
IPC: G06T5/00
Abstract: 本发明提供了一种图像修复的方法与系统，用以解决现有技术中图像修复效果较差的问题。该方法包括：确定图像待修复区域的轮廓；分别对图像所述待修复区域的所有轮廓点设定邻域的未知像素点进行修复，将修复得到的图像作为更新后图像；重复进行上述两个步骤，对图像待修复区域从边缘向内的依次进行分层修复，直至待修复区域全部填充完毕。
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公开(公告)号：CN102194869A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201010128023.2
申请日：2010-03-16
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/36 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种抗辐照性能增强的超陡倒掺杂MOS器件，包括衬底、源区、漏区、栅氧化层、栅极和栅侧墙，在源漏之间、沟道区的两侧为浅掺杂注入区，沟道区和浅掺杂注入区的下方为重掺杂区，其特征在于，所述重掺杂区的掺杂浓度为3×1018cm-3～5×1018cm-3，重掺杂区的上界面距离沟道表面30～40纳米，下界面在源漏PN结上下20纳米的区域内。本发明通过优化超陡倒掺杂器件的参数，在器件的短沟道特性满足常规应用的情况下增强了器件的抗总剂量辐照性能，这对于提高应用于空间环境中的集成电路芯片的可靠性和寿命具有重要意义。
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公开(公告)号：CN102194828A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201010128030.2
申请日：2010-03-16
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/12 , H01L21/84 , H01L21/762
Abstract: 本发明公开了一种新型源漏结构的抗辐照SOI器件，包括衬底硅层，埋氧化层、有源区硅层、栅氧化层及隔离氧化层，所述有源区硅层上形成源区、漏区和沟道区，其特征在于，所述源区或者漏区与埋氧化层之间有一层与源区或者漏区掺杂类型相反的掺杂层。通过改变源漏区与埋氧层界面处的掺杂类型，使辐照导致的埋氧层界面处的寄生导电沟道无法导通，从而减少总剂量辐照引起的SOI器件背栅泄漏电流以及由于耦合引起的器件性能退化，达到提高SOI器件抗总剂量辐照能力的目的。
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公开(公告)号：CN101859782A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN201010164465.2
申请日：2010-04-30
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/12 , H01L21/762
Abstract: 本发明公开了一种基于多晶硅的抗总剂量辐照的SOI器件及其制造方法，属于电子技术领域。本发明所述的SOI器件包括衬底层，埋氧层和顶层，所述埋氧层中包括一多晶硅牺牲层，所述埋氧层在所述多晶硅牺牲层中产生固定负电荷。所述衬底层的材料为P型硅，所述埋氧层的材料为二氧化硅。本发明所述的制造方法包括：a)在硅片上通过热氧化生长方法形成第一SiO2层；b)在第一SiO2层上通过低压化学气相淀积方法形成多晶硅牺牲层；c)在多晶硅牺牲层上通过热氧化生长方法形成第二SiO2层；d)在第二SiO2层上通过低压化学气相淀积方法形成P型硅层。本发明可用于航天、军事、核电和高能物理等与总剂量辐照相关的行业中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101859781A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN201010164464.8
申请日：2010-04-30
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/12 , H01L21/762
Abstract: 本发明公开了一种抗总剂量辐照的SOI器件及其制造方法，属于电子技术领域。本发明SOI器件包括衬底层，埋氧层和顶层，所述埋氧层和衬底层之间还包括牺牲层，所述牺牲层在SOI器件经总剂量辐照后产生负电荷。所述牺牲层的材料为氮化硅。所述衬底层的材料为P型硅，所述埋氧层的材料为二氧化硅。本发明的制造方法包括：a)在硅片上形成SiO2埋氧层；b)在SiO2埋氧层上形成氮化硅牺牲层；c)在氮化硅牺牲层上形成P型硅衬底层。本发明可应用于航天、军事、核电和高能物理等与总剂量辐照相关的行业中。
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公开(公告)号：CN101752560A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN201010034204.9
申请日：2010-01-13
Applicant: 北京大学
IPC: H01M4/485 , H01M4/1391 , H01G9/042 , C08L79/02 , C08L39/06 , C08L33/20 , C08K3/24 , C08K3/04 , C08K13/04 , C08K7/00
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明公开了一种钛酸锂-碳复合纳米材料及其制备方法与应用。该方法包括：1)将钛酸锂溶胶或导电物质掺杂的钛酸锂溶胶或金属离子掺杂的钛酸锂溶胶静电纺丝得到薄膜；所述导电物质为导电金属或导电性碳；2)将所述薄膜在惰性气氛中进行热处理，得到所述钛酸锂-碳复合纳米材料。本发明提供的钛酸锂-碳复合纳米材料，具有准一维形态结构，结晶性能好，导电性好，安全性能好，在作为锂离子电池负极材料应用时具有快的锂离子扩散速度和高的电子电导率，具有高的充放电容量、优异的大电流充放电性能、稳定的循环性能，10C放充电容量125mAh/g，40C放充电容量达到95mAh/g，大电流40C放充电3000次容量保持率达到85％。
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公开(公告)号：CN101667580A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200910093413.8
申请日：2009-09-30
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/092 , H01L23/552 , H01L21/8238 , H01L21/76
Abstract: 本发明公开了一种抗总剂量辐照的CMOS集成电路，属于电子技术领域。本发明抗总剂量辐照的CMOS集成电路包括NMOS器件和PMOS器件，器件之间通过沟槽隔离，其特征在于，所述沟槽用隔离材料一和隔离材料二的混合物填充，所述隔离材料一在总剂量辐照下产生固定正电荷，所述隔离材料二在总剂量辐照下产生固定负电荷，所述混合物在总剂量辐照下显示弱电荷性或电中性。本发明可用于航天、军事、核电和高能物理等与总剂量辐照相关的行业。
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公开(公告)号：CN101667573A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200910093414.2
申请日：2009-09-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种抗NMOS器件总剂量辐照的集成电路，属于电子技术领域。本发明抗NMOS器件总剂量辐照的集成电路包括NMOS器件，也可包括PMOS器件，所述器件之间通过衬底上的沟槽隔离，其特征在于，在和所述NMOS器件相邻的沟槽中，沟槽填充材料和衬底材料之间存在一隔离材料，所述隔离材料在总剂量辐照下产生固定负电荷。所述隔离材料选自氮化硅、氮化钛、氮化钽或它们的混合物。所述隔离材料的厚度在10纳米和80纳米的范围内。本发明可用于航天、军事、核电和高能物理等与总剂量辐照相关的行业。
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公开(公告)号：CN119158560A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411276730.4
申请日：2024-09-12
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种具备可见光催化性能的富氧型钛酸盐纳米管的制备方法与应用，属于水处理技术领域。本发明所述的富氧型钛酸盐纳米管材料，由钛酸盐纳米管表面氧化刻蚀而成。本发明提供了该光催化材料的制备方法，以P25型二氧化钛为原料，通过水热法合成钛酸盐纳米管(TNTs)，再通过过氧化氢、过硫酸盐等过氧化物实现表面氧化刻蚀合成富氧型钛酸盐纳米管材料(OTNTs)。制备的材料对抗生素类污染物具有高效、快速的光催化去除能力。本发明涉及的光催化材料具有成本低，效果快，适用范围广，环境友好等特点，适用于制药废水处理中的深度处理过程。
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