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公开(公告)号：CN112859516A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202011354547.3
申请日：2020-11-27
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及有机膜形成用材料、图案形成方法、以及聚合物。本发明的课题为提供成膜性优异并能展现高的蚀刻耐性、优异的扭曲耐性、填埋特性的有机膜材料、使用了该有机膜材料的图案形成方法、及适于如此的有机膜材料的聚合物。解决该课题的手段为一种有机膜形成用材料，是有机膜形成时使用的材料，其含有具有下列通式(1)表示的重复单元的聚合物、及有机溶剂。上述通式(1)中，AR1、AR2为也可以有取代基的苯环或萘环。W1为不具有芳香环的碳数2～20的2价有机基团，构成有机基团的亚甲基也可取代为氧原子或羰基。W2为至少具有1个以上的芳香环的碳数6～80的2价有机基团。
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公开(公告)号：CN109388021A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810863232.8
申请日：2018-08-01
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/004
Abstract: 本发明提供一种可形成有机膜的有机膜形成用组合物，该有机膜能够通过使用不会对半导体装置基板和图案化工序中所必需的有机抗蚀剂下层膜造成损伤的剥离液、例如半导体制程中通常所使用的被称为SC1的含过氧化氢的氨水溶液，容易地与已因干蚀刻而改性的硅成分残渣一并湿式去除。所述有机膜形成用组合物包含高分子化合物与有机溶剂，该高分子化合物具有由下述通式(1)～(4)表示的重复单元中的任意1种以上，在该有机溶剂中，选自丙二醇酯、酮及内酯中的1种以上的合计占超过全部有机溶剂中的30wt％的量。[化学式1]
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公开(公告)号：CN108693713A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810275797.4
申请日：2018-03-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/11 , C07C39/14 , C07C39/17 , C07C69/94 , C07C2603/18 , C07D251/32 , C07D487/04 , C08F220/28 , C08F220/32 , C08F2220/281 , C08F2800/20 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/16 , G03F7/168 , G03F7/2041 , G03F7/322 , G03F7/38 , H01L21/266 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/31133 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/0276
Abstract: 本发明提供一种具有优异的耐受碱性过氧化氢水的性能、良好的嵌入/平坦化特性、及干法蚀刻特性的抗蚀剂下层膜材料、使用了该抗蚀剂下层膜材料的图案形成方法、及抗蚀剂下层膜形成方法。其为用于多层抗蚀剂法的抗蚀剂下层膜材料，其含有：(A1)下述通式(X)表示的化合物中的一种或两种以上；以及，(B)有机溶剂。[化学式1] 式中，n01表示1～10的整数，n01为2时，W表示亚硫酰基、磺酰基、醚基、或碳原子数为2～50的二价有机基团，n01为2以外的整数时，W表示碳原子数为2～50的n01价有机基团。此外，Y表示单键或碳原子数为1～10的可包含氧原子的二价连接基团。
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公开(公告)号：CN108693705A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810275395.4
申请日：2018-03-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/004
CPC classification number: G03F7/11 , C07C39/14 , C07C39/15 , C07C49/83 , C07C2603/18 , C08F220/28 , C08F220/32 , C08F2220/283 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/16 , G03F7/168 , G03F7/2041 , G03F7/322 , G03F7/38 , H01L21/266 , H01L21/3081 , H01L21/31133 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , G03F7/004
Abstract: 本发明提供一种具有优异的耐受碱性过氧化氢水的性能、良好的嵌入/平坦化特性、及干法蚀刻特性的抗蚀剂下层膜材料。其为用于多层抗蚀剂法的抗蚀剂下层膜材料，其含有：(A1)包含下述通式(1)表示的重复单元中的一种或两种以上的聚合物(1A)；(A2)式量为2,000以下的、不具有3,4‑二羟基苯基的多酚化合物中的一种或两种以上；以及(B)有机溶剂。[化学式1]
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公开(公告)号：CN119861530A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202411449786.5
申请日：2024-10-17
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及有机膜形成用组成物、有机膜形成方法、图案形成方法、及聚合物。本发明的课题是提供基板上的成膜性及填埋特性优良，会抑制EBR步骤时的隆起，且作为多层抗蚀剂用的有机膜使用时的处理容忍度优良的有机膜形成用组成物、使用该组成物的有机膜形成方法、图案形成方法及前述有机膜形成用组成物中使用的聚合物。本发明的解决手段是一种有机膜形成用组成物，其特征在于包含(A)有机膜形成用材料、(B)具有下述通式(1)表示的重复单元的聚合物及(C)溶剂，[化1]#imgabs0#式中，W1是具有1个以上的下式(2)表示的含氟结构的碳数2～50的饱和或不饱和的2价有机基团，W2是碳数2～50的饱和或不饱和的2价有机基团。[化2]#imgabs1#
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119528853A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411179162.6
申请日：2024-08-27
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07D303/32 , C07D305/06 , C07D309/06 , C07C31/20 , C07C59/347 , C07C63/64 , C07C65/03 , C07F7/08 , G03F7/004
Abstract: 本发明涉及含金属的膜形成用化合物、含金属的膜形成用组成物、及图案形成方法。本发明的课题是，以提供在半导体装置制造步骤中的微细图案化流程中，可获得良好的图案形状，且给予具有与抗蚀剂上层膜的高密接性且抑制微细图案的崩塌的抗蚀剂中间膜的含金属的形成用化合物、使用了该化合物的含金属的形成用组成物、使用了该组成物的图案形成方法为目的。本发明的解决手段是，一种含金属的膜形成用化合物，其特征在于，该含金属的膜形成用化合物具有选自于由Ti、Zr、及Hf构成的群组中的至少1种的金属原子、及配位于该金属原子的含有碳数2～13的环状醚结构的多齿配位子。
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公开(公告)号：CN119285667A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202410906713.8
申请日：2024-07-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及含金属的膜形成用化合物、含金属的膜形成用组成物、图案形成方法、及含金属的膜形成用化合物的制造方法。本发明提供给予在半导体装置制造步骤的微细图案化处理中，可获得良好的图案形状且和抗蚀剂上层膜有高密合性并会抑制微细图案崩塌的含金属的膜的含金属的膜形成用化合物、使用该化合物的含金属的膜形成用组成物、及使用该组成物的图案形成方法。一种含金属的膜形成用化合物，其特征为：前述含金属的膜形成用化合物含有选自由Ti、Zr、及Hf构成的群组中的至少1种金属原子、及配位在前述金属原子的配位基，前述配位基含有(a‑1)至(a‑3)表示的基团中的任意者。#imgabs0#R1为氢原子或碳数1～10的有机基团，＊表示键结部。
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公开(公告)号：CN119165728A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202410781636.8
申请日：2024-06-18
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及有机膜形成用组成物、有机膜形成方法、及图案形成方法。本发明的课题为提供基板(晶圆)上的成膜性(面内均匀性)及填埋特性优良且抑制了EBR步骤时的隆起的有机膜形成用组成物、使用了该组成物的有机膜形成方法及图案形成方法。解决该课题的手段为一种有机膜形成用组成物，其特征为包含：(A)具有下列通式(1)表示的重复单元的聚合物，(B)有机膜形成用树脂，及(C)溶剂。[化1]#imgabs0#通式(1)中，R为碳数2～30的饱和或不饱和的2价有机基团。
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公开(公告)号：CN114594657B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202111466982.X
申请日：2021-12-03
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物以及图案形成方法。本发明的目的是提供于多层抗蚀剂法中，抑制超微细图案崩塌的效果高，可形成图案形状良好的抗蚀剂图案的含硅的抗蚀剂下层膜。一种含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物，其特征为含有：下列通式(A‑1)表示的化合物及热交联性聚硅氧烷。[化1]#imgabs0#R1表示甲基、乙基、丙基、烯丙基、炔丙基，R2表示氢原子、乙酰基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、苯甲酰基、萘甲酰基、蒽甲酰基，R3表示甲基、乙基、丙基、烯丙基、炔丙基、或下列通式(A‑2)表示的基团。[化2]#imgabs1#虚线表示原子键，R1、R2与前述相同。
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公开(公告)号：CN113281964B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202110190159.4
申请日：2021-02-18
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及有机膜形成用材料、图案形成方法、以及聚合物。本发明的课题是提供可形成溶剂耐性、耐热性、填埋特性、平坦化特性及图案形成能力优异的有机膜的有机膜形成用材料。一种有机膜形成用材料，含有以下列通式(1A)表示的结构作为部分结构的聚合物及有机溶剂。#imgabs0#上述通式(1A)中，W1表示4价有机基团，W2表示单键或下式(1B)表示的连接基团，R1表示氢原子或碳数1～10的1价有机基团，n1表示0或1的整数，n2及n3满足0≤n2≤6及0≤n3≤6且1≤n2+n3≤6的关系。#imgabs1#R2及R3各自独立地为氢、碳数为1～30个的有机基团，有机基团R2与有机基团R3亦可通过在分子内键结而形成环状有机基团。
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