-
公开(公告)号：CN103339739A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201280007073.2
申请日：2012-01-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: B41N1/24 , B41N1/248 , H01L31/022425 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及其中使用导电浆料来同时印刷母线电极和指状电极的太阳能电池的丝网印刷板，该丝网印刷板的特征在于：丝网印刷板的指状电极开口的开口宽度小于80μm，并且丝网印刷板的母线电极开口具有封闭部分。该丝网印刷板的使用使得有可能降低制造太阳能电池的成本，防止在母线电极与指状电极之间的连接部分断裂，从而不导致屏蔽损耗的增加或者太阳能电池的美学品质，以及以高生产率来制造高可靠性的太阳能电池。
-
公开(公告)号：CN103155163A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201180035025.X
申请日：2011-07-12
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/068 , Y02E10/52 , Y02E10/547
Abstract: 一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，对半导体基板，在电极形成工序之前实施退火工序。根据本发明，通过如上所述实施退火，能够不损害可靠性和外观，改善太阳能电池的电气特性。因此，可以广泛地利用于具有高电气特性和可靠性的太阳能电池的制造方法。
-
公开(公告)号：CN103038865A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201180035789.9
申请日：2011-06-03
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/22
CPC classification number: H01L21/324 , H01L21/22 , H01L21/67109 , H01L21/67754
Abstract: 这里公开的热处理炉，用于半导体基片的热处理步骤中，其特征在于提供了柱形芯管，该柱形芯管的两端部有开口，该开口的尺寸设置成允许半导体基片插入芯管和从芯管中取出。这在连续的半导体热处理过程中减少了在批次之间的等待时间，从而提高生产率。而且，使用芯管结构的简单柱形降低了气体引入管部分失效的频率，从而降低了热处理方法的运行成本。
-
公开(公告)号：CN103026480A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201180036171.4
申请日：2011-06-03
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: H01L31/18 , F27B9/243 , F27B17/00 , H01L21/67109 , H01L21/6776 , H01L31/022425 , H01L31/1864 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 公开了一种燃烧炉，用于烧制太阳能电池元件的电极，所述燃烧炉设置有：传送部件，其传送有导电膏涂于其上的衬底；加热区，其加热衬底并且烧制导电膏；以及冷却区，其冷却热衬底。该燃烧炉还设置有用于加热传送部件的加热装置。具体地，在使用线材型燃烧炉烧制导电膏时，由于线材是在基本等于加热区周围温度的温度上被烧制的，因此抑制了由于导电膏金属成分的沉积材料引起的电极损坏，所述沉积材料被沉积在线材上，以及所述线材型燃烧炉可以被连续使用。
-
公开(公告)号：CN101512778A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200780032273.2
申请日：2007-08-02
Applicant: 信越半导体股份有限公司 , 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/04 , H01L31/0224 , H01L21/28 , H01L21/288
CPC classification number: H05K3/248 , H01L31/022425 , H05K1/092 , H05K2201/0338 , H05K2203/1476 , Y02E10/50
Abstract: 本发明是一种半导体基板，是形成有电极的半导体基板，上述电极至少含有银与玻璃料，具有由第一电极层与上部电极层所构成的多层构造；该第一电极层直接接合于上述半导体基板上，该上部电极层被配置于该第一电极层上，且由一层以上所构成；上述上部电极层，是将银的总含有比例为75wt％以上95wt％以下的导电性浆料焙烧而成者，相对于上述上部电极层的银的总含量，平均粒径4μm以上8μm以下的银粒子的含有比例，高于上述第一电极层中的含有比例。藉此，可于半导体基板上，通过简便的方法形成具有高纵横比且难以引起断线等的不良情况的电极。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1489793A
公开(公告)日：2004-04-14
申请号：CN02804373.1
申请日：2002-01-30
Applicant: 信越半导体株式会社 , 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/068
CPC classification number: H01L31/035281 , H01L31/022425 , Y02E10/50
Abstract: 一种太阳能电池1具有许多互相平行地形成在硅单晶衬底的第一主要表面24a上的沟槽2。电极6形成在每个沟槽的一侧的内侧面上。每个沟槽形成在和第一主要表面24a上的 方向不一致的方向上。这样提高了太阳能电池1的机械强度。沟槽2的形成方向最好和最靠近该形成方向的 方向在锐角一侧交叉成4度到45度的角度。
-
公开(公告)号：CN112601839B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN201980055286.4
申请日：2019-06-13
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/448
Abstract: 本发明为一种成膜方法，其是在成膜部对雾进行热处理而进行成膜的成膜方法，其包括：在雾化部将原料溶液雾化而产生雾的工序；经由连接所述雾化部和所述成膜部的输送部，通过载气将所述雾从所述雾化部输送至所述成膜部的工序；以及，在所述成膜部对所述雾进行热处理，从而在基体上进行成膜的工序，当将所述载气的流量设为Q(L/分)、将所述载气的温度设为T(℃)时，以7＜T+Q＜67的方式对所述载气的流量和所述载气的温度进行控制。由此可以提供一种成膜速度优异的成膜方法。
-
公开(公告)号：CN119731369A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202380060517.7
申请日：2023-08-07
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 渡部武纪
IPC: C23C16/40 , C30B25/18 , C30B29/16 , H01L21/365 , H01L21/368
Abstract: 本发明为一种成膜方法，其为在被隔壁包覆的成膜部内，对已加热的基板供给载气以及雾，从而利用雾CVD法进行成膜的结晶性氧化物膜的成膜方法，其特征在于，至少在所述基板的加热中，对所述成膜部内输送除所述载气以外的气体。由此，提供一种形成膜表面的颗粒密度显著降低的高品质的结晶性氧化物膜的成膜方法。
-
公开(公告)号：CN113196458B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN201980083078.5
申请日：2019-12-03
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/365 , H01L21/368 , C23C16/40 , C23C16/448
Abstract: 本发明为一种氧化镓膜的制造方法，其为使用载气搬运将原料溶液雾化或液滴化而生成的雾，并加热所述雾，使所述雾在基体上进行热反应从而进行成膜的氧化镓膜的制造方法，其中，使用至少包含氯化物离子与镓离子的原料溶液作为所述原料溶液，将加热所述雾的时间设为0.002秒以上6秒以下。由此，可提供一种低成本且成膜速度优异的α‑氧化镓膜的制造方法。
-
公开(公告)号：CN117242554A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202280032175.3
申请日：2022-03-30
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 国立大学法人和歌山大学
IPC: H01L21/365
Abstract: 本发明为一种原料溶液的制造方法，其是用于通过雾CVD法来进行成膜的原料溶液的制造方法，将在溶媒中混合包含金属元素的溶质并加以搅拌的温度设为30℃以上；及成膜方法，基于使用通过所述原料溶液的制造方法所制造的原料溶液的雾CVD法来进行。由此，提供一种用于通过雾CVD法来进行成膜，并且成膜速度优异，即便在将两种以上的元素的固溶体成膜时也能够进行膜中组成的再现性优异的成膜的原料溶液的制造方法；及成膜速度优异，即便在将两种以上的元素的固溶体成膜时膜中组成的再现性优异的基于雾CVD法来进行的成膜方法。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
117
records
(took 0.026 seconds)
