公开(公告)号：CN101167191B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200680013998.2

申请日：2006-04-11

Applicant: 信越半导体股份有限公司 ,  直江津电子工业株式会社 ,  信越化学工业株式会社

Inventor： 大塚宽之 ,  高桥正俊 ,  石川直挥 ,  斋须重德 ,  植栗豊敬 ,  生岛聪之 ,  渡部武纪 ,  赤塚武 ,  大西力

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L21/2254 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及太阳能电池的制造方法和太阳能电池及半导体装置的制造方法，该太阳能电池的制造方法是在第一导电类型半导体基板上形成PN结以制造出太阳能电池的方法，其特征为至少包含下列步骤：在该第一导电类型半导体基板上，涂布含有掺杂剂与掺杂剂飞散防止剂的第一涂布剂、以及至少与该第一涂布剂连接且含有掺杂剂的第二涂布剂后，通过扩散热处理，同时形成第一扩散层以及第二扩散层；该第一扩散层由涂布该第一涂布剂形成；该第二扩散层由涂布该第二涂布剂形成且其导电率低于该第一扩散层。借此可一边得到欧姆接触一边通过抑制受光面的电极以外部分的表面再结合以及射极内的再结合，从而能提供太阳能电池的制造方法及其太阳能电池以及半导体装置的制造方法，可用简便容易的方法便宜地制造出提高光电转换效率的太阳能电池。

公开(公告)号：CN101512778A

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200780032273.2

申请日：2007-08-02

Applicant: 信越半导体股份有限公司 ,  信越化学工业株式会社

Inventor： 石川直挥 ,  生岛聪之 ,  大塚宽之 ,  渡部武纪 ,  斋须重德 ,  植贾豊敬

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0224 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288

CPC classification number: H05K3/248 ,  H01L31/022425 ,  H05K1/092 ,  H05K2201/0338 ,  H05K2203/1476 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明是一种半导体基板，是形成有电极的半导体基板，上述电极至少含有银与玻璃料，具有由第一电极层与上部电极层所构成的多层构造；该第一电极层直接接合于上述半导体基板上，该上部电极层被配置于该第一电极层上，且由一层以上所构成；上述上部电极层，是将银的总含有比例为75wt％以上95wt％以下的导电性浆料焙烧而成者，相对于上述上部电极层的银的总含量，平均粒径4μm以上8μm以下的银粒子的含有比例，高于上述第一电极层中的含有比例。藉此，可于半导体基板上，通过简便的方法形成具有高纵横比且难以引起断线等的不良情况的电极。

公开(公告)号：CN101512778B

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN200780032273.2

申请日：2007-08-02

Applicant: 信越半导体股份有限公司 ,  信越化学工业株式会社

Inventor： 石川直挥 ,  生岛聪之 ,  大塚宽之 ,  渡部武纪 ,  斋须重德 ,  植贾豊敬

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0224 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288

CPC classification number: H05K3/248 ,  H01L31/022425 ,  H05K1/092 ,  H05K2201/0338 ,  H05K2203/1476 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明是一种半导体基板，是形成有电极的半导体基板，上述电极至少含有银与玻璃料，具有由第一电极层与上部电极层所构成的多层构造；该第一电极层直接接合于上述半导体基板上，该上部电极层被配置于该第一电极层上，且由一层以上所构成；上述上部电极层，是将银的总含有比例为75wt％以上95wt％以下的导电性浆料焙烧而成的，相对于上述上部电极层的银的总含量，平均粒径4μm以上8μm以下的银粒子的含有比例，高于上述第一电极层中的含有比例。藉此，可于半导体基板上，通过简便的方法形成具有高纵横比且难以引起断线等的不良情况的电极。