公开(公告)号：CN1497716A

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN200310102731.9

申请日：2003-10-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 齐藤裕久 ,  筑野孝 ,  河合千寻 ,  田中基义

IPC: H01L23/36 ,  H01L23/02

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体封装，其通过将半导体芯片工作时产生的热量有效地转移至散热器，允许半导体芯片精确、长时间、高稳定性地工作。该封装包括：衬底(2)，其上表面上具有将安装半导体芯片(1)的安装空间；框架(3)，设置为围绕所述衬底(2)上表面上的所述安装空间并在一侧具有用于输入/输出端子(5)的接头(3a)；以及输入/输出端子(5)，连接至所述接头(3a)，其中所述衬底(2)、或部分所述衬底(2)、或所述衬底(2)和所述框架(3)、或部分所述衬底和所述框架由金属－金刚石复合物或由金刚石颗粒和铜构成的金属－金刚石烧结体形成，所述金属－金刚石复合物中具有经由金属碳化物结合的金刚石颗粒的母体材料被铜和/或银渗透。另外，金属－金刚石复合物表面镀金。

公开(公告)号：CN112088585B

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN201980029947.6

申请日：2019-03-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 高桥贤治 ,  今崎瑛子 ,  新田耕司 ,  酒井将一郎 ,  三浦宏介 ,  松本雅弘 ,  齐藤裕久

IPC: H05K3/42

Abstract: 根据本公开的一个实施例的印刷配线板设置有：绝缘材料，该绝缘材料具有第一表面、位于所述第一表面的相反侧上的第二表面以及从第一表面贯通到第二表面的通孔；金属镀层，该金属镀层形成在所述绝缘材料的所述第一表面和第二表面上以及所述通孔的内周表面上。所述通孔的内径从所述绝缘材料的第一表面朝向所述绝缘材料的第二表面逐渐减小；所述绝缘材料的第一表面中的所述通孔的平均直径在20μm(包含本值)至35μm(包含本值)之间，所述绝缘材料的第二表面中的所述通孔的平均直径在3μm(包含本值)至15μm(包含本值)之间，并且形成在所述绝缘材料的第一表面和第二表面上的所述金属镀层的平均厚度在8μm(包含本值)至12μm(包含本值)之间。

公开(公告)号：CN113316896A

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN201980089344.5

申请日：2019-01-18

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 长谷川干人 ,  山中佑一郎 ,  今川善浩 ,  齐藤裕久

IPC: H03H9/25

Abstract: 提供一种接合体，所述接合体包括压电体基板以及设置在压电体基板的一个主面上的尖晶石多晶基板，其中，所述压电体基板的平均厚度T1与所述尖晶石多晶基板的平均厚度T2的比率即T1/T2为0.1以下，并且所述尖晶石多晶基板在与所述压电体基板接触的主面，TTV为1.5μm以下。

公开(公告)号：CN101641847B

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN200880009498.0

申请日：2008-01-29

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 齐藤裕久 ,  松原秀树

IPC: H01S5/18 ,  H01S5/042 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/18 ,  B82Y20/00 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48463 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/105 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/34333 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种光子晶体激光器(100)，包括n型衬底(111)、n型覆层(112)、有源层(113)、p型覆层(116)、光子晶体层(115)、p型电极(118)、n型电极(119)以及封装构件(120)。n型覆层(112)形成在n型衬底(111)的第一表面(111a)上。有源层(113)形成在n型覆层(112)上。p型覆层(116)形成在有源层(113)上。光子晶体层(115)形成在n型覆层(112)与有源层(113)之间或有源层(113)与p型覆层(116)之间，并包括光子晶体部(115a)。p型电极(118)形成在光子晶体部(115a)上。n型电极(119)形成在第二表面(111b)上，并包括布置在与光子晶体部(115a)相对的位置上的透光部(119a)和具有比透光部(119a)低的透光率的外周部(119b)。

公开(公告)号：CN1812147A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200510133870.7

申请日：2005-12-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 永井阳一 ,  北林弘之 ,  齐藤裕久 ,  池田亚矢子

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/025 ,  H01L33/22 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005

Abstract: 发光装置是包括：作为氮化物半导体基板的GaN基板(1)；在氮化物半导体基板的第(1)主表面一侧的n型AlxGa1－xN层(3)；从氮化物半导体基板看，远离n型AlxGa1－xN层(3)的p型AlxGa1－xN层(5)；位于n型AlxGa1－xN层(3)以及p型AlxGa1－xN层(5)之间的量子井(4)的发光装置。在此发光装置中，氮化物半导体基板的比电阻为0.5Ω·cm以下，向下安装p型AlxGa1－xN层(5)的一侧，从作为和氮化物半导体基板的第(1)主表面相反的一侧的主表面的第(2)主表面(1a)发射光。在氮化物半导体基板的第(2)主表面(1a)上形成槽(80)。由于构造简单，所以能够得到制造容易、在长时间能够安定地得到大的发光效率的发光装置。