面发光器件、使用它的过滤器、光学辅助型陶瓷过滤器

    公开(公告)号:CN1968743A

    公开(公告)日:2007-05-23

    申请号:CN200580019627.0

    申请日:2005-05-27

    Abstract: 本发明提供一种面发光器件,其在不使用如紫外灯、紫外LED或其他这类外界紫外线光源时就可有效地进行催化反应,甚至在用外界光源不能处理的高度UV吸收性污染流体的情况下也是如此。另一个目的是提供一种陶瓷过滤器,其可以较低成本容易地制造,并提供有光催化剂,而且具有分解有机物或用于杀灭细菌和病毒的功能。本发明提供一种具有面发光体的面发光器件,所述面发光体具有通过电致发光发射可见光或紫外光的功能,以及具有在垂直于面发光体表面方向上,作为流体通道形成的多个通孔。本发明也提供一种光学辅助型陶瓷过滤器,其由具有多个通道的陶瓷过滤器,和置于陶瓷过滤器侧面上的光催化层与面发光体组成。

    EL纤维和光催化反应容器
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1887032A

    公开(公告)日:2006-12-27

    申请号:CN200480035279.1

    申请日:2004-11-22

    Inventor: 河合千寻

    Abstract: 光催化反应是仅发生于粒子表面的反应,因此必须以紫外光均匀照射粒子表面。但其需要有特定装置,且在光催化剂粒子的交换中回收成本偏高。此外难以应用至大型反应器,特别是难以应用外部光源系统。本发明克服了这些问题。具有波长不超过400nm的紫外光或可见光发射功能的EL纤维的特征在于,纤维的断面结构包括位于半径方向中心处的内电极、设置于内电极周围的内绝缘层、发光层、外电极以及置于最外表面的保护层,并且通过在电极之间施加交流电场而发光。

    荧光体、其制备方法及使用该荧光体的粒子分散型EL器件

    公开(公告)号:CN1973018A

    公开(公告)日:2007-05-30

    申请号:CN200580020927.0

    申请日:2005-06-14

    CPC classification number: B82Y30/00 B82Y10/00

    Abstract: 本发明提供了一种EL荧光体,其中该荧光体包含导电相,该导电相包括碳纳米管、碳纳米突或另一种碳成分。含有导电相的荧光体是一种以Ag-或Cu-活化的ZnS为主要成分的硫化物。特别地,本发明提供了一种荧光体,其通式表示为Zn(1-x)AxS:Ag/Cu,D(其中A为选自下列元素中的至少一种2A族元素:Be、Mg、Ca、Sr和Ba;D是共活化剂,为选自3B族或7B族元素中的至少一种元素;0≤x<1),或者无定形氮氧化物荧光体,其包括B-N-O、Si-O-N、Al-O-N、Ga-O-N、Al-Ga-O-N、In-Ga-O-N或In-Al-O-N,其被Eu2+、Gd3+、Yb2+或另一种稀土金属离子活化。使用这种荧光体制备的表面发光体在其中具有导电相,因此提供了一种粒子分散型EL器件,当它受到电场激发时发出高强度UV线或附近的可见光。

    高强度氮化硅多孔体及其制造方法

    公开(公告)号:CN1159264C

    公开(公告)日:2004-07-28

    申请号:CN97102107.4

    申请日:1997-01-07

    CPC classification number: C04B38/00 C04B38/06 C04B35/50 C04B35/584 C04B38/0074

    Abstract: 本发明提供一种在保持高气孔率的同时还可提高强度、轻量的可作为结构构件使用的氮化硅多孔体。它是一种含有柱状氮化硅粒子和,相对于氮化硅按氧化物换算为2~15重量%的作为氧化物结合相的至少1种稀土元素,SiO2和稀土氧化物的重量比SiO2/(SiO2+稀土类氧化物)为0.012~0.65、平均细孔径为3.5μm以下,高气孔率且高强度的氮化硅多孔体。重量比SiO2/(SiO2+稀土类氧化物)通过控制成形体中的氧量和碳量进行调整。

    用于装载半导体芯片的封装及半导体器件

    公开(公告)号:CN1497716A

    公开(公告)日:2004-05-19

    申请号:CN200310102731.9

    申请日:2003-10-22

    CPC classification number: H01L2924/0002 H01L2924/00

    Abstract: 本发明公开了一种半导体封装,其通过将半导体芯片工作时产生的热量有效地转移至散热器,允许半导体芯片精确、长时间、高稳定性地工作。该封装包括:衬底(2),其上表面上具有将安装半导体芯片(1)的安装空间;框架(3),设置为围绕所述衬底(2)上表面上的所述安装空间并在一侧具有用于输入/输出端子(5)的接头(3a);以及输入/输出端子(5),连接至所述接头(3a),其中所述衬底(2)、或部分所述衬底(2)、或所述衬底(2)和所述框架(3)、或部分所述衬底和所述框架由金属-金刚石复合物或由金刚石颗粒和铜构成的金属-金刚石烧结体形成,所述金属-金刚石复合物中具有经由金属碳化物结合的金刚石颗粒的母体材料被铜和/或银渗透。另外,金属-金刚石复合物表面镀金。

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