公开(公告)号：CN102790098B

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201210250372.0

申请日：2012-07-19

申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

发明人： 季莲 ,  杨辉 ,  陆书龙 ,  董建荣 ,  何巍 ,  代盼

IPC分类号： H01L31/056 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02E10/52 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供一种背反射式太阳能电池，包括一基底、依次设置于基底表面的一反射介质膜、一背电极和一电池薄膜。本发明还提供一种背反射式太阳能电池的制备方法，包括步骤：1）提供一GaAs衬底；2）在GaA衬底表面依次生长牺牲层及电池薄膜；3）从牺牲层处将GaAs衬底和牺牲层剥离，直至显露出电池薄膜表面；4）在电池薄膜表面制备背电极；5）提供一具有反射介质膜的基底；6）将所述反射介质膜表面转移至背电极表面。

公开(公告)号：CN102790120B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201210249554.6

申请日：2012-07-19

申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

发明人： 孙玉润 ,  董建荣 ,  李奎龙 ,  于淑珍 ,  赵勇明 ,  赵春雨 ,  杨辉

IPC分类号： H01L31/0687 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02E10/544 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供一种GaInP/GaAs/Ge三结级联太阳能电池，包括支撑衬底，以及在所述支撑衬底上依次设置的第二接触层、Ge子电池、第二隧道结、GaAs子电池、第一隧道结、GaInP子电池和第一接触层。本发明还提供一种GaInP/GaAs/Ge三结级联太阳能电池的制备方法，包括步骤：1）提供一GaAs衬底；2）在GaAs衬底表面依次生长AlGaAs的牺牲层、第一接触层、GaInP子电池、第一隧道结、GaAs子电池、第二隧道结、Ge子电池及第二接触层；3）提供一支撑衬底；4）将支撑衬底键合至第二接触层表面；5）从第一接触层处将GaAs衬底及AlGaAs的牺牲层剥离以去除GaAs衬底及AlGaAs的牺牲层。

公开(公告)号：CN104157725A

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201310176398.X

申请日：2013-05-13

申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

发明人： 赵勇明 ,  董建荣 ,  李奎龙 ,  孙玉润 ,  曾徐路 ,  于淑珍 ,  赵春雨 ,  杨辉

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/0693

CPC分类号： Y02E10/544 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/078 ,  H01L31/1844

摘要： 本发明揭示了一种GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结太阳电池的制作方法。基于晶片键合工艺，实现了基于GaAs衬底的GaInP/GaAs双结太阳电池与基于InP衬底的InGaAsP/InGaAs双结太阳电池集成；剥离InP衬底，采用GaAs作为支撑衬底，实现四结带隙能量分别为1.89/1.42/1.05/0.72eV的太阳电池，更大限度地实现太阳光全光谱的吸收和能量转换，而且剥离后的InP衬底经抛光后可重复利用，降低了InP衬底的消耗。本发明提出的四结太阳电池，可减少机械叠层多结太阳电池系统中使用多个衬底所导致的高成本以及光学集成电池中复杂的光学系统导致的光学损失，同时还有效解决了生长多结级联半导体太阳电池材料的晶格失配问题。实现高电压、低电流输出，降低高倍聚光电池中电阻消耗。

公开(公告)号：CN102184999B

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201110083015.5

申请日：2011-04-02

申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

发明人： 赵春雨 ,  董建荣 ,  陆书龙 ,  李奎龙 ,  赵勇明 ,  季莲 ,  杨辉

IPC分类号： H01L31/068 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明涉及一种基于NPN结构的激光光伏电池及其制备工艺。该光伏电池包括依次生长在半绝缘GaAs衬底上的N型GaAs导电层、隧穿结和GaAs电池，所述GaAs电池包括沿逐渐远离衬底的方向依次分布的P/N结和N型窗口层。其制备工艺为：以外延生长方法在半绝缘衬底上依次生长N型导电层、隧穿结、P/N结、N型窗口层及N型接触层形成光伏电池基体，其后在该光伏电池基体上加工形成隔离槽、正电极、负电极、减反射层以及电极引线，制得目标产物。本发明光伏电池的串联电阻低，输出电压高，光吸收及转换效率高，可作为高效激光光伏电池广泛应用，且其制备工艺简便，可有效节省器件加工时间和降低成本，满足规模化生产的需求。

公开(公告)号：CN103346190A

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN201310219216.2

申请日：2013-06-04

申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

发明人： 赵勇明 ,  董建荣 ,  李奎龙 ,  孙玉润 ,  曾徐路 ,  于淑珍 ,  赵春雨 ,  杨辉

IPC分类号： H01L31/0687 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02E10/544 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明涉及半导体技术领域，尤其是指一种四结级联太阳能电池，包括从下至上依次设置在Si衬底上的第一键合层、InGaAsP/InGaAs双结电池、第二键合层、第三键合层、GaInP/GaAs双结电池，使所述InGaAsP/InGaAs双结电池、GaInP/GaAs双结电池在Si衬底上形成串联。本发明还提供这种太阳能电池的制备方法。本发明采用Si衬底作为支撑衬底具有良好的机械强度。同时，采用了键合后再正装生长薄层的双结电池的方式，且GaAs与InP薄层键合方法实现了四结电池的晶格匹配生长，相比晶格失配生长，材料的晶体质量有所保证。

公开(公告)号：CN103311354A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201310210307.X

申请日：2013-05-30

申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

发明人： 赵勇明 ,  董建荣 ,  李奎龙 ,  孙玉润 ,  曾徐路 ,  于淑珍 ,  赵春雨 ,  杨辉

IPC分类号： H01L31/0687 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02E10/544 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明涉及光伏技术领域，尤其是指一种Si衬底三结级联太阳电池，包括按照远离Si衬底10的方向依次在Si衬底上生长的第一过渡层、GeSi底电池、第二过渡层、第一隧道结、GaAs中间电池、第二隧道结、GaInP顶电池、GaAs接触层。本发明采用Si衬底制作的三结级联太阳能电池，实现带隙能量分别为1.89eV/1.42eV/1.0eV，获得高电压、低电流输出，从而有效降低超高倍聚光太阳电池中的电阻损失，实现较高的光电转换效率。

公开(公告)号：CN103280483A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201310166015.0

申请日：2013-05-08

申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

发明人： 曾徐路 ,  董建荣 ,  李奎龙 ,  孙玉润 ,  于淑珍 ,  赵勇明 ,  赵春雨 ,  杨辉

IPC分类号： H01L31/0687 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02E10/544 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明涉及一种三结太阳电池及其制备方法，该电池包括依次连接的P型GaAs衬底、InGaAsN底电池、第一隧道结、GaNAsBi中间电池、第二隧道结、AlGaInP顶电池以及N型GaAs欧姆接触层，其中所述P型GaAs衬底上设有P型电极、所述N型GaAs欧姆接触层上设有N型电极。本发明提出的三结太阳电池及其制备方法解决了目前采用晶格异变、倒置生长等技术存在的材料消耗大、工艺难度大、成本较高的问题。

公开(公告)号：CN103165720A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201310093060.8

申请日：2013-03-22

申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

发明人： 李奎龙 ,  董建荣 ,  孙玉润 ,  曾徐路 ,  赵勇明 ,  于淑珍 ,  赵春雨 ,  杨辉

IPC分类号： H01L31/0687 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02E10/544 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供一种正装三结级联太阳电池及其制备方法，实现多结太阳电池合理的带隙组合，减小电流失配同时而又不提高电池制作成本和难度。所述电池包括GaAs衬底、在GaAs衬底上依次设置的GaInP过渡层、InGaAs底电池、第一隧道结、InGaAsP中间电池、第二隧道结、InAlAs顶电池以及欧姆接触层。所述电池的制备方法，包括步骤：1）提供一GaAs衬底；2）在GaAs衬底上依次生长In组分步进的GaInP过渡层、InGaAs底电池、第一隧道结、InGaAsP中间电池、第二隧道结、InAlAs顶电池以及欧姆接触层；3）分别在所述欧姆接触层和GaAs衬底上制备上、下电极，获得目标太阳电池。

公开(公告)号：CN103151413A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201310093058.0

申请日：2013-03-22

申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

发明人： 孙玉润 ,  董建荣 ,  李奎龙 ,  曾徐路 ,  于淑珍 ,  赵勇明 ,  赵春雨 ,  杨辉

IPC分类号： H01L31/0687 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02E10/544 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供一种倒装四结太阳电池及其制备方法，所述电池包括AlGaAs顶电池、第一隧道结、GaAs子电池、第二隧道结、晶格异变缓冲层、InGaAsP子电池、第三隧道结及InGaAs底电池；GaAs子电池和InGaAsP子电池通过晶格异变缓冲层过渡。所述制备方法包括步骤：在一GaAs衬底上生长第一欧姆接触层；在第一欧姆接触层上依次生长AlGaAs顶电池、第一隧道结、GaAs子电池、第二隧道结、晶格异变缓冲层、InGaAsP子电池、第三隧道结、InGaAs底电池及第二欧姆接触层；在第二欧姆接触层上制备第二电极并与一支撑衬底键合；剥离GaAs衬底，并在第一欧姆接触层上制备第一电极，获得目标太阳电池。

公开(公告)号：CN102651416A

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201210154998.1

申请日：2012-05-18

申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

发明人： 赵春雨 ,  董建荣 ,  赵勇明 ,  孙玉润 ,  李奎龙 ,  于淑珍 ,  杨辉

IPC分类号： H01L31/0687 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/0224 ,  H01L27/142 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02E10/544 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供一种三结叠层GaAs激光光伏电池，包括GaAs的衬底，以及在所述衬底上依次设置的N型GaAs导电层、第一隧穿结、底电池、第二隧穿结、中电池、第三隧穿结、顶电池、窗口层以及GaAs接触层。本发明还提供一种如上述的三结叠层GaAs激光光伏电池制备方法，包括步骤：（1）提供GaAs衬底；（2）在衬底上依次生长N型GaAs导电层、第一隧穿结、底电池、第二隧穿结、中电池、第三隧穿结、顶电池、窗口层与GaAs接触层。