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公开(公告)号：CN112563411A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011301738.3
申请日：2020-11-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请提供一种磁性隧道结及其制造方法、存储单元，磁性隧道结可以包括纵向依次层叠的第一电极层、固定磁性层、隧穿绝缘层、自由磁性层、第二电极层，第一固定磁性层可以具有固定的磁化方向，第二电极层可以通过第一方向的横向电流，自由磁性层表面在第二方向上具有最大尺寸，第一方向和第二方向不垂直，则自由磁性层的最大尺寸在第一方向上有投影，从而在垂直第一方向上有退磁场，从结构上实现了自由磁性层的磁矩定向翻转，无需外设磁场，因此能够提高器件集成度。
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公开(公告)号：CN109713118A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201811604863.4
申请日：2018-12-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供一种磁阻式随机存储器及其制造方法，在保护层沿自旋轨道耦合层中的电流方向一侧上覆盖有应力层，这样，由于应力层的存在，会在磁性层的局部表面上产生应力，从而形成直于电流源方向上形成横向不对称结构，当自旋轨道耦合层中通入电流时，在应力作用下使得磁性层的自旋轨道耦合作用为非对称，从而，在局部应力作用下实现磁矩的定向翻转。
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公开(公告)号：CN109449285A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811301461.7
申请日：2018-11-02
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供一种自旋轨道转矩磁阻式随机存储器及其制造方法，将磁阻隧道结设置于沿自旋轨道耦合层中的自旋电流源方向一侧的边缘上，这样，当在自旋轨道耦合层中通入自旋电流源时，会在自旋轨道耦合层的两侧产生奥斯特场，同时自旋轨道耦合层中产生自旋流，使得磁阻隧道结中的磁矩导向自旋轨道耦合层的平面内，而在奥斯特场的作用下实现磁矩的上下定向翻转，翻转的方向可以通过自旋电流源的方向来控制，从而，实现了SOT-MRAM中磁矩的定向翻转。
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公开(公告)号：CN119584548A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411490815.2
申请日：2024-10-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于连续人工反铁磁材料的斯格明子存储器阵列，涉及随机存储器技术领域。其中基于连续人工反铁磁材料的斯格明子存储器阵列包括阵列自由层、顶隧穿层、下承压层与多个器件电极组，其中，每个器件电极组包括顶器件电极组件以及底器件电极；阵列自由层设置于顶隧穿层与下承压层之间构成信息存储层；器件电极组中的顶器件电极组件以及底器件电极分别设置于信息存储层的顶面以及底面，顶器件电极组件沿垂直于阵列自由层方向上的投影与底器件电极重合，以由顶器件电极组件内的隧道结参考层以及顶器件电极组件的投影覆盖范围内的阵列自由层与顶隧穿层构成一个能够进行二值存储的磁性隧道结。上述方案能提高磁随机存储器的器件集成密度。
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公开(公告)号：CN119277802A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411155409.0
申请日：2024-08-21
Applicant: 北京知识产权运营管理有限公司 , 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域，以提高半导体器件的良率和工作性能。半导体器件的制造方法包括在半导体基底上形成鳍状结构。鳍状结构包括交替层叠设置的牺牲层和沟道层；沟道层和牺牲层中的至少一者的材料中含有锗。形成横跨在部分鳍状结构外周的掩膜结构。对鳍状结构进行选择性刻蚀。去除剩余的每层牺牲层，以形成第一填充空间。在第一填充空间内形成介质填充层；沿鳍状结构的长度方向，去除介质填充层的两侧边缘部分，以形成第二填充空间。在第二填充空间内形成内侧墙；内侧墙的材料不同于介质填充层的材料。在剩余的每层沟道层的两侧分别形成源区和漏区。至少去除部分掩膜结构，并去除剩余的每层介质填充层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113707803B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202110983622.0
申请日：2021-08-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请提供了一种自旋轨道转矩磁阻式随机存储器及其制造方法，包括：铁电薄膜层，设置有两个金属电极，通过两个金属电极向铁电薄膜层施加第一电压；底电极，位于铁电薄膜层之上并设置于铁电薄膜层中部，呈长条形，在底电极两端施加第二电压；隧道结，位于底电极之上并设置于底电极中部；其中，两个金属电极相对设置在铁电薄膜层相对的两个边缘上，且两个边缘位于底电极长边方向的两侧，通过两个金属电极施加第一电压的方向与底电极短边方向平行；通过第一电压与第二电压的正负，控制磁化的定向翻转。从而在实现磁矩定向翻转的同时，利于器件的集成和产业化。
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公开(公告)号：CN117649866A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311755695.X
申请日：2023-12-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G11C11/16
Abstract: 一种存储单元及其写入、读取、计算方法、存储器，其中存储单元包括：第一字线以及第二字线；源极线以及位线；若干串联连接的存储模块，各所述存储模块包括输入端、第一端以及第二端，所述输入端用于接收输入信号，驱动所述存储模块，所述存储模块的第一端连接所述源极线，所述存储模块的第二端连接位线。通过在第一字线和第二位线之间接入若干串联连接的存储模块，且所述若干存储模块均连接至同一位线，实现在同一时间内控制若干存储模块的写入或读取操作，提高了存储单元的工作效率，进而实现了后续在进行卷积操作的过程中对多个输入数据和权重的同时写入以及计算，提高了存储器的计算并行度。
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公开(公告)号：CN117597012A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311828467.0
申请日：2023-12-27
Applicant: 北京超弦存储器研究院 , 中国科学院微电子研究所
Abstract: 一种磁性隧道结结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底；在基底上形成第二隧道结单元，包括第二钉扎层和位于第二钉扎层上的第二参考层，第二钉扎层和第二参考层之间反铁磁耦合；在第二隧道结单元表面形成第一导电层；在第一导电层表面形成第一隧道结单元，包括自由层、位于自由层表面的势垒层、位于势垒层表面的第一参考层以及位于第一参考层上的第一钉扎层，第一参考层与第二参考层的磁矩方向反平行，第一钉扎层和第一参考层之间铁磁耦合。通过引入第二参考层，增加了透射自旋极化电流的反射界面，使得透射自旋极化电流与反射自旋极化电流共同作用于第一隧道结单元，增大了自旋极化电流大小而不改变通入电流的大小，降低了存储器的写入功耗。
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公开(公告)号：CN109698267B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN201811604836.7
申请日：2018-12-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供一种自旋轨道矩磁阻式随机存储器及其制造方法，自旋轨道耦合层上设置有磁阻隧道结，在磁阻隧道结中存在有缺陷，该缺陷由的离子注入工艺产生，且注入方向的投影与自旋轨道耦合层中电流方向不平行。这样，由于磁阻隧道结自身存在遮挡，离子注入后磁阻隧道结一侧缺陷会多于另一侧的缺陷，从而在垂直于电流源方向上形成不对称的磁阻隧道结，当自旋轨道耦合层中通入电流时，实现磁性层磁矩的定向翻转。
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公开(公告)号：CN114184833A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111258291.0
申请日：2021-10-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01R19/30
Abstract: 本申请公开了一种自旋霍尔器件、霍尔电压的获取方法、最大池化的方法。该自旋霍尔器件包括硼铁化钴层；所述自旋霍尔器件的顶视图和底视图完全相同，均为十字形状图形；所述十字形状图形具有两条对称轴，所述两条对称轴互相垂直且互相平分。本申请的自旋霍尔器件，具有非易失性以及模拟多态特性，能够用于获取霍尔电压，能够应用于多种电路中，结构简单，体积小，能够节省片上资源，能够满足计算需求。
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