公开(公告)号：CN119584548A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202411490815.2

申请日：2024-10-24

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 杨美音 ,  龚帅宇 ,  李彦如 ,  于沛玥 ,  罗军 ,  许静 ,  崔岩

IPC: H10B61/00 ,  H10N50/80

Abstract: 本发明公开了一种基于连续人工反铁磁材料的斯格明子存储器阵列，涉及随机存储器技术领域。其中基于连续人工反铁磁材料的斯格明子存储器阵列包括阵列自由层、顶隧穿层、下承压层与多个器件电极组，其中，每个器件电极组包括顶器件电极组件以及底器件电极；阵列自由层设置于顶隧穿层与下承压层之间构成信息存储层；器件电极组中的顶器件电极组件以及底器件电极分别设置于信息存储层的顶面以及底面，顶器件电极组件沿垂直于阵列自由层方向上的投影与底器件电极重合，以由顶器件电极组件内的隧道结参考层以及顶器件电极组件的投影覆盖范围内的阵列自由层与顶隧穿层构成一个能够进行二值存储的磁性隧道结。上述方案能提高磁随机存储器的器件集成密度。