公开(公告)号：CN115132879A

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN202210729763.4

申请日：2022-06-24

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 杨珏晗 ,  杨文 ,  邓惠雄 ,  文宏玉 ,  魏钟鸣

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/032

Abstract: 本发明公开了一种单晶纳米线偏振光探测器的制备方法，包括：生长锑铋硫单晶材料；剥离锑铋硫单晶材料，将锑铋硫单晶材料剥离成锑铋硫单晶纳米线并转移至衬底上；在锑铋硫单晶纳米线两端制备电极，得到单晶纳米线偏振光探测器。本发明将具有各向异性的锑铋硫单晶纳米线作为偏振光探测元件，由于锑铋硫单晶纳米线的各向异性，对不同方向的线偏振光具有不同的吸收特性，锑铋硫单晶纳米线自身就能够对线偏振光进行探测，无需额外的光学元件，使光探测器的结构更加简单。

公开(公告)号：CN113629158A

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN202110898961.9

申请日：2021-08-05

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 魏钟鸣 ,  王鑫刚 ,  杨珏晗 ,  刘岳阳 ,  刘力源 ,  邓惠雄 ,  文宏玉 ,  王开友

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/113 ,  H01L31/18 ,  G01J3/02 ,  G01J3/28

Abstract: 本发明提供一种宽光谱偏振光探测器及其制备方法，宽光谱偏振光探测器包括基底层以及偏振层；基底层具有一成型面；偏振层设于所述成型面上，包括由左至右依次设置的源电极、有源层以及漏电极；其中，有源层为N型二维层状半导体材料磷硫化钯。在本发明提供的技术方案中，有源层为N型二维层状半导体材料磷硫化钯，结构具有各向异性，有利于敏感的偏振光探测；作为N型半导体，其费米能级靠近导带，提高了包括电子从价带到导带的宽能带以及导带内近邻能带的跃迁频率，实现了电子的多通道跃迁，拓宽了光电探测器的光谱探测范围，从日盲区到近红外区。

公开(公告)号：CN113488552A

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN202110779857.8

申请日：2021-07-09

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 于雅俐 ,  魏钟鸣 ,  杨珏晗 ,  刘岳阳 ,  宗易昕 ,  文宏玉

IPC: H01L31/0352 ,  B82Y40/00 ,  H01L31/032 ,  H01L31/09 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供了一种偏振光探测器及其制备方法，其中，该偏振光探测器包括：衬底；源电极和漏电极，设置于衬底上；一维硒硫化锑(Sb2(SxSe1‑x)3)合金纳米线，作为偏振光探测器的有源层，设置于衬底上的源电极和漏电极之间，其中，硒硫化锑(Sb2(SxSe1‑x)3)合金纳米线中组分比例可调节，x介于0～1之间。

公开(公告)号：CN113035692A

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN202110242678.0

申请日：2021-03-05

Applicant: 河南师范大学 ,  中国科学院半导体研究所

Inventor： 闫勇 ,  夏从新 ,  杨珏晗 ,  魏钟鸣

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明提供了一种超宽禁带二维半导体GaPS4的制备方法，将镓源，磷源和硫源混合后，采用“预生长再重结晶法”得到透明的GaPS4单晶材料。所述“预生长再重结晶法”为先通过热端高温反应，冷端回流硫磷液体生成GaPS4前驱体，再通过冷热端交换的化学气相传输法提纯得到结晶质量高的GaPS4单晶材料；所述超宽禁带二维半导体GaPS4由所述GaPS4单晶材料剥离得到。本发明提供的制备方法反应条件温和，操作简单方便，成本低。

公开(公告)号：CN111463299B

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN202010309213.8

申请日：2020-04-17

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 魏钟鸣 ,  赵凯 ,  杨珏晗 ,  文宏玉

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/036 ,  H01L31/102 ,  H01L31/18 ,  H01L27/146 ,  B82Y30/00

Abstract: 一种基于氧化镓日盲紫外偏振光的直接探测器、其制备方法及偏振成像装置，该直接探测器包括IC插座台面，其上设有IC插座针脚；硅片，其设置在IC插座台面上，其上附有二氧化硅层；以及源电极、漏电极和半导体层，均设置在硅片的二氧化硅层上，半导体层位于源电极和漏电极之间，源电极和漏电极分别通过引线与IC插座针脚连接。本发明提供的基于宽禁带半导体氧化镓的日盲区紫外偏振光直接成像，其像元为纳米级的纳米带且氧化镓的光响应时间为微秒级别，可实现高分辨且快速的扫描目标。

公开(公告)号：CN111430536A

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN202010309260.2

申请日：2020-04-17

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 魏钟鸣 ,  房景治 ,  黎博 ,  廖志敏 ,  杨珏晗 ,  魏大海 ,  宗易昕 ,  文宏玉

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/02 ,  H01L43/12 ,  B82Y30/00

Abstract: 一种磁性二维半导体的同质结磁阻器件及其制备方法和应用，该同质结磁阻器件包括硅层；二氧化硅层，其设置在硅层上，与硅层共同作为栅极和绝缘层；第一纳米片和第二纳米片，均设置在二氧化硅层上，第一纳米片和第二纳米片部分重叠，该重叠区域形成垂直结构，第一纳米片和第二纳米片均为过渡金属磁性原子掺杂非磁性二维半导体材料；以及源极和漏极，分别位于第一纳米片和第二纳米片之上。本发明中元素的掺杂是一种调控二维材料性质的有效手段，利用过渡金属原子对非磁性材料的掺杂从而在非磁性材料中引入磁性，这种方式为自旋电子学的发展提供了更多选择。

公开(公告)号：CN110940708A

公开(公告)日：2020-03-31

申请号：CN201911299692.3

申请日：2019-12-16

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 沈国震 ,  史瑞龙 ,  杨珏晗 ,  娄正

IPC: G01N27/12 ,  A61B5/08

Abstract: 一种湿度传感器及其制备方法、可穿戴湿度传感系统和应用，该湿度传感器包括衬底；电极，其设置在衬底上；以及湿敏材料，其在电极上形成纳米探测阵列。本发明所采用的制备MoO3纳米片的方法具有产率高、操作简单、成本极低的优点；本发明所述的高性能的湿度传感器与检测电路形成的可穿戴系统，可以实现对于环境湿度的实时监控以及非侵入式人体呼吸监测，与传统湿度和呼吸监测方法相比，本发明的系统更简单，成本更低，并且更适合日常和家庭监控。