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公开(公告)号：CN103935999B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201410196412.7
申请日：2014-05-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯的制备方法，其特征在于以天然石墨为原料，极性溶剂为分散介质，在石墨烯量子点辅助下通过机械剥离方法制备高质量石墨烯，主要利用石墨烯量子点在极性溶剂中良好的分散性，及其与石墨烯/石墨烯片层之间较强的非共价键结合，促进天然石墨的剥离和石墨烯纳米片在极性溶剂中的分散，从而获得高质量的石墨烯。本发明是在不引入表面活性剂、无机盐类、有机盐类等其他杂质的情况下从天然石墨直接获得石墨烯粉体。与已有方法报道不同，本发明所述的方法工艺简单，可在多种极性溶剂中进行，所得石墨烯产率最高可达50％，质量好，且用作辅助剥离的石墨烯量子点可循环使用，因此这种方法非常适合大批量制备石墨烯。
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公开(公告)号：CN103708446B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201310740350.7
申请日：2013-12-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明提供一种氧化石墨烯量子点粉体的制备方法，至少包括：提供氧化石墨烯量子点水溶液；在所述氧化石墨烯量子点水溶液中加入铵盐，以形成所述氧化石墨烯量子点和铵盐的混合溶液；向所述氧化石墨烯量子点和铵盐的混合溶液中加入非质子极性溶剂，以得到所述氧化石墨烯量子点和铵盐的混合沉淀；热处理所述氧化石墨烯量子点和铵盐的混合沉淀，以去除所述铵盐，并得到氧化石墨烯量子点粉体。该氧化石墨烯量子点粉体的制备方法适用性广，可从各种方法制备得到的氧化石墨烯水溶液快速获得蓬松的氧化石墨烯量子点粉体，且操作工艺简单、耗时短，适合氧化石墨烯量子点粉体的大规模生产。
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公开(公告)号：CN103523770B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201310492787.3
申请日：2013-10-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种石墨烯的制备方法，该石墨烯的制备方法至少包括步骤：首先，提供一SiC基底；接着，采用离子注入技术在所述SiC基底中注入Ge；最后，对上述形成的结构进行退火处理，注入的Ge在退火过程中会迫使所述SiC中的Si和C极易断键，断键后的Si和注入的Ge形成SiGe，断键后的C在所述SiGe表面重组形成石墨烯。本发明只需要常压或低压以及低温就能够制备出石墨烯，对制备仪器的要求较低，并且节约能源、减少成本，适用于工业化生产。
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公开(公告)号：CN103253661B
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201310200469.5
申请日：2013-05-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明涉及一种低成本且能大规模制备高质量石墨烯粉体的方法，为将石墨加入到含有氧化剂和插层剂的混合溶液中，搅拌均匀后超声处理，同时持续通入He，形成插层剂和He气分子插层的石墨插层化合物；然后过滤、洗涤、干燥，并在空气中热处理实现石墨插层化合物首次剥离；之后分散于有机溶剂中，持续通入He条件下再次超声处理；然后离心去掉沉淀，取上层溶液进行过滤、洗涤、烘干后即得到石墨烯粉体；本发明的方法安全环保、操作简单，适合大规模生产，制得的石墨烯缺陷少，导电性好。
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公开(公告)号：CN104045076A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410023150.4
申请日：2014-01-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种氧化石墨烯量子点的制备方法，所述氧化石墨烯量子点的制备方法至少包括：将柠檬酸与浓硫酸混合，并在常压下使得所述柠檬酸和浓硫酸进行反应，形成氧化石墨烯量子点溶液。本发明的氧化石墨烯量子点的制备方法具有工艺简单，原料容易获得，工艺条件易于实现，耗时短等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102433544B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201210007583.1
申请日：2012-01-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 南京航空航天大学
CPC classification number: C23C16/26 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种多苯环碳源低温化学气相沉积生长大面积石墨烯的制备方法，以多苯环芳香族碳氢化合物作为碳源，采用碳源分解法或碳源旋涂法在铜箔表面生长出石墨烯。制得的石墨烯表面光滑平整、面积大、层数可控。相比传统的高温CVD法制备石墨烯薄层的方法，其制造成本大大降低，在高温、高频、大功率、光电子及抗辐射电子器件等方面具有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN102344132B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201110191536.2
申请日：2011-07-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明涉及一种逐层减薄石墨烯的方法，其特征在于首先利用等离子灰化技术，用等离子轰击多层石墨烯，然后在高温炉中退火以去除顶层石墨烯，实现高精度的减薄石墨烯。通过多次等离子体轰击和高温退火可以实现逐层减薄多层石墨烯。该发明特征在于将等离子技术对石墨烯改性和石墨烯各向异性的氧化过程相结合，对多层石墨烯进行精确刻蚀，能够实现单原子层精度减薄多层石墨烯，并且保留了减薄后石墨烯的优良性能。其应用领域包括制备石墨烯纳米结构及石墨烯电子器件等。
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公开(公告)号：CN102336588B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201110247262.4
申请日：2011-08-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B35/08
Abstract: 本发明提供了一种具有单原子层台阶的六角氮化硼（hBN）基底及其制备方法，将hBN基底表面解理得到新鲜的解理面，然后用氢气高温下刻蚀六角氮化硼，得到可控的、规则的单原子层台阶。本发明利用了氢气对hBN的各向异性刻蚀作用，通过调节氢气比例、退火温度、退火时间来控制hBN的刻蚀速率和刻蚀程度，达到刻蚀出规则单原子台阶的目的。该制备工艺和化学气相沉积法制备石墨烯的工艺相兼容，可以用于石墨烯纳米带的制备。主要应用于新型石墨烯电子器件。
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公开(公告)号：CN103011142A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210559935.4
申请日：2012-12-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明涉及一种石墨烯的制备方法，包括以下步骤：在催化剂存在下，六卤代苯在有机溶剂中发生反应，形成石墨烯的悬浮溶液；经过滤、洗涤和干燥除去悬浮溶液中的溶剂和未反应的六卤代苯，得到石墨烯和催化剂的混合物；混合物经酸洗后再过滤、洗涤和干燥，即得到石墨烯产品；该方法仅用一种有机化合物六卤代苯为原料，根据反应的温度不同，可以控制石墨烯的层数，制得的石墨烯产品即可制备石墨烯器件，其制备方便、后处理简单，应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN101993065B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201010593157.1
申请日：2010-12-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明涉及一种规模化制备石墨烯粉体的方法，其特征在于首先，将氧化石墨均匀剥离成氧化石墨烯悬浮溶液，然后，利用喷雾干燥技术，包括喷雾热解干燥和喷雾冷冻干燥，使氧化石墨烯溶液雾化后去除溶剂得到氧化石墨烯粉体，最后采用无膨胀热处理氧化石墨烯得到无团聚石墨烯粉体。喷雾技术的连续制备过程以及无膨胀热处理过程保证了石墨烯粉体的规模化制备。所制备的石墨烯粉体，包括中间产物氧化石墨烯粉体，没有团聚，在溶剂中分散性能好。其应用领域包括作为填料制备高强度复合材料、导电复合材料、新型气密性和阻燃性复合材料以及新型纳米器件等。
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