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公开(公告)号：CN104576785A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410728282.7
申请日：2014-12-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0304 , H01L31/101
CPC classification number: H01L31/03046 , H01L31/0216 , H01L31/101
Abstract: 本发明涉及一种用于高In组分InGaAs探测器的突变弛豫缓冲层，在半导体衬底上外延InAs突变弛豫层，随后在InAs突变弛豫层上外延In组分反向递变的砷化物异变结构材料作为缓冲层。本发明的探测器结构可拓展半导体衬底上波长大于1.7μm的InGaAs红外探测器的研制方法，采用In组分反向递变的砷化物异变缓冲层结构，有望较好释放较大失配InGaAs材料中的应变，降低InGaAs吸收层中缺陷密度，提高器件性能；本发明在波长大于1.7μm的InGaAs红外探测器的结构设计等方法引入了更大的自由度，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN102260870B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201110198078.5
申请日：2011-07-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C23F1/02 , C30B33/10 , H01L21/308 , H01L21/467 , G03F7/20
Abstract: 本发明涉及一种亚微米尺寸二维介质柱型光子晶体的制备方法，包括：等离子增强化学气相沉积(PECVD)淀积Si3N4、旋转涂胶、软烘、垂直交叉曝光、曝光后烘焙、分步显影、反应离子刻蚀法(RIE)刻蚀Si3N4、去除光刻胶、电感耦合等离子体刻蚀法(ICP)刻蚀衬底材料、去除Si3N4。本发明弥补了全息干涉难以利用正性光刻胶制得二维介质柱型光子晶体的不足，与电子束曝光等方法相比，具有操作简单、价格低廉、控制精确，且能大面积制备等优点，能够很好的满足了制备亚微米尺寸二维介质型光子晶体的需要，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN103367520A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310264420.6
申请日：2013-06-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/109 , H01L31/0304 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种InP基截止波长大范围可调的晶格匹配InGaAsBi探测器结构及其制备方法，该探测器结构由下而上依次包括：InP衬底、高掺杂n型InP缓冲层、吸收层和高掺杂p型InP帽层，所述的吸收层为低掺杂n型InyGa1-yAs1-xBix吸收层，其中0
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公开(公告)号：CN102157599B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201010290302.9
申请日：2010-09-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种用于雪崩光电二极管的能带递变倍增区结构及其制备方法，其特征在于：采用能带梯度递变的n层材料作为倍增区结构，n为自然数，2≤x≤10；制备方法包括：在生长缓冲层、吸收层、数字递变超晶格过渡层和电荷层后，生长能带梯度递变的n层材料作为倍增区结构。本发明的能带递变倍增区结构可以从本质上提高电子与空穴电离率差，无需外加很高的偏压，从而有利于降低器件的过剩噪声。
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公开(公告)号：CN102610998A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210071836.1
申请日：2012-03-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01S5/04
Abstract: 本发明涉及一种脉冲激光器驱动装置，包括驱动供电模块和激光器模块，所述驱动供电模块包括供电电源单元和脉冲产生单元；所述供电电源单元用于为所述激光器模块和脉冲产生单元供电；所述脉冲产生单元用于产生所需脉冲参数的电脉冲；所述激光器模块包括脉冲电平转换单元、脉冲电流开关和脉冲激光器；所述脉冲电平转换单元用于将所述脉冲产生单元产生的电脉冲升高至所需电平以满足所述脉冲电流开关的驱动要求；所述脉冲电流开关用于驱动所述脉冲激光器；所述供电电源单元通过供电导线分别与所述脉冲电平转换单元和脉冲激光器相连；所述脉冲产生单元通过同轴电缆与脉冲电平转换单元相连。本发明能够延长短脉冲激光器驱动距离和改善驱动质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101936903B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010262884.X
申请日：2010-08-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种采用双调制方案提高光荧光测试灵敏度的测试系统，引入了第二重调制，包括激光器、光路部件、傅立叶变换光谱仪、锁相放大器。光路部件包括反射镜、透镜和抛物面镜，构成测试光路；激光器具有内部调制功能，其激发的调制激光经过反射镜转换方向后由透镜聚焦照射在被测样品上，被测样品产生的光荧光通过抛物面镜收集转向准直后以宽光束形式送至傅立叶变换光谱仪。锁相放大器的信号输入端与傅立叶变换仪中的前置放大器相连，信号参考输入端与激光器的脉冲发生器相连，输出端与傅立叶变换光谱仪中的电子学系统相连。本发明选择合适的光激发激光器并对其进行调制，同时在信号检测中增加锁相放大和解调，以此提高光荧光测试的灵敏度。
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公开(公告)号：CN102494606A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110397689.2
申请日：2011-12-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01B9/04
Abstract: 本发明涉及一种十纳米量级尺寸及误差光学检测方法，包括以下步骤：利用数字成像显微器件对被测对象进行数码成像；提取数码成像中与被测对象尺寸信息对应的像素位置坐标及强度信息，作为目标信息进行处理统计；根据统计结果获得所需的被测对象的相关尺寸参数及误差参数。本发明可以显著改善光学显微系统的表观分辨率，可以最大限度地消除人为因素的影响使测量数据更加可信可靠。
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公开(公告)号：CN101982905B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201010290432.2
申请日：2010-09-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种包含赝衬底的InP基应变量子阱结构及制备方法，自下而上为InP衬底、赝衬底和量子阱结构，其中赝衬底包括组分连续渐变缓冲层及单一组分缓冲层；制备方法即采用分子束外延法，首先在InP衬底上生长组分连续渐变的缓冲层；再生长单一组分的材料作为缓冲层，完成赝衬底的生长；生长完的赝衬底上生长相对赝衬底应变补偿的量子阱结构。本发明包含赝衬底的InP基应变量子阱结构既适合于需要采用与InP衬底具有大应变的量子阱的半导体激光器，也适合于其他新型电子或光电子器件，具有很好的通用性；应用此制备方法，为InP基量子结构和功能的设计和实现引入了更大的自由度。
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公开(公告)号：CN102260870A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201110198078.5
申请日：2011-07-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C23F1/02 , C30B33/10 , H01L21/308 , H01L21/467 , G03F7/20
Abstract: 本发明涉及一种亚微米尺寸二维介质柱型光子晶体的制备方法，包括：等离子增强化学气相沉积(PECVD)淀积Si3N4、旋转涂胶、软烘、垂直交叉曝光、曝光后烘焙、分步显影、反应离子刻蚀法(RIE)刻蚀Si3N4、去除光刻胶、电感耦合等离子体刻蚀法(ICP)刻蚀衬底材料、去除Si3N4。本发明弥补了全息干涉难以利用正性光刻胶制得二维介质柱型光子晶体的不足，与电子束曝光等方法相比，具有操作简单、价格低廉、控制精确，且能大面积制备等优点，能够很好的满足了制备亚微米尺寸二维介质型光子晶体的需要，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN102176489A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110044512.4
申请日：2011-02-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0256 , H01L31/0304
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种晶格匹配体系上裁剪带隙波长提高光电探测器性能的方法，包括：采用分子束外延法或金属有机物气相外延法，在衬底上生长晶格匹配的缓冲层、光吸收层和宽禁带帽层得到光电探测器件外延结构；其中，生长过程中对光吸收层的带隙进行裁剪设定，在满足应用中对光电探测器长波端截止波长要求的前提下选取宽带隙。本发明材料生长方法简单，通过对光电探测器光吸收层带隙的裁剪设定，在基本不改变原有器件设计的前提下显著改善器件性能，探测率改善3倍以上；既适合一些不同种类的III-V族化合物材料体系光电探测器件的制作，也适合其他类型的光电器件及电子器件的制作及拓展到其他材料体系，具有良好的应用前景。
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