公开(公告)号：CN102386068B

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201110215670.1

申请日：2011-07-29

Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 魏星 ,  薛忠营 ,  曹共柏 ,  张峰 ,  张苗 ,  王曦

IPC: H01L21/20 ,  H01L29/00

Abstract: 一种锗硅衬底的生长方法，包括如下步骤：提供单晶硅支撑衬底；在单晶硅支撑衬底表面形成籽晶层，所述籽晶层的材料为单晶锗硅；在籽晶层的表面形成插入层，所述插入层的材料为锗组分大于籽晶层中锗组分的单晶锗硅；在插入层的表面形成锗硅晶体层。

公开(公告)号：CN103646910A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201310724465.7

申请日：2013-12-24

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张苗 ,  陈达 ,  狄增峰 ,  薛忠营 ,  王刚 ,  母志强 ,  叶林

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/324 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/7624

Abstract: 本发明提供一种SGOI结构的制备方法，至少包括以下步骤：S1：提供一SOI衬底，在所述顶层硅表面外延生长一单晶SiGe层；S2：在所述单晶SiGe层表面形成一Si帽层；S3：从所述Si帽层正面进行离子注入，注入深度到达所述顶层硅中；S4：将步骤S3获得的结构进行锗浓缩，形成自下而上依次包含有背衬底、埋氧层、预设Ge浓度SiGe层及SiO2层的叠层结构；S5：腐蚀掉所述叠层结构表面的SiO2层以得到SGOI结构。本发明结合离子注入技术和锗浓缩工艺制备高质量高Ge浓度的SGOI结构，离子注入减弱了顶层硅与所述SiGe层之间的晶格失配，且伴随退火过程的进行，位错环在纵向方向上相互作用并相互抵消，使应力得到释放，从而使最终获得的SGOI结构中穿透位错密度大大降低。

公开(公告)号：CN103646853A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201310724004.X

申请日：2013-12-24

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张苗 ,  陈达 ,  狄增峰 ,  叶林 ,  王刚 ,  郭庆磊 ,  母志强

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/02422 ,  H01L21/02617 ,  H01L21/02664

Abstract: 本发明提供一种绝缘体上含锗薄膜结构的制备方法，包括以下步骤：S1：提供一sSOI衬底，在张应变顶层硅表面外延生长一预设Ge组分的单晶SiGe薄膜；所述张应变顶层硅的晶格长度与所述单晶SiGe薄膜的晶格长度相等；S2：在所述单晶SiGe薄膜表面形成一Si帽层；S3：将步骤S2获得的结构进行锗浓缩，形成自下而上依次包含有背衬底、埋氧层、含锗薄膜及SiO2层的叠层结构；S4：腐蚀掉所述叠层结构表面的SiO2层以得到绝缘体上含锗薄膜结构。本发明通过选择合适张应变顶层硅及相应含锗组分的单晶SiGe薄膜，使得张应变顶层硅与其上的单晶SiGe薄膜的晶格匹配，从而降低缺陷来源，能够获得高质量的SGOI或GOI材料。

公开(公告)号：CN103523770A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310492787.3

申请日：2013-10-18

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 狄增峰 ,  王刚 ,  陈达 ,  陆子同 ,  叶林 ,  郑晓虎 ,  张苗 ,  丁古巧 ,  谢晓明

IPC: C01B31/02 ,  C23C14/48 ,  C23C14/58 ,  C23C14/06

Abstract: 本发明提供一种石墨烯的制备方法，该石墨烯的制备方法至少包括步骤：首先，提供一SiC基底；接着，采用离子注入技术在所述SiC基底中注入Ge；最后，对上述形成的结构进行退火处理，注入的Ge在退火过程中会迫使所述SiC中的Si和C极易断键，断键后的Si和注入的Ge形成SiGe，断键后的C在所述SiGe表面重组形成石墨烯。本发明只需要常压或低压以及低温就能够制备出石墨烯，对制备仪器的要求较低，并且节约能源、减少成本，适用于工业化生产。

公开(公告)号：CN103295951A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201210045455.6

申请日：2012-02-27

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 卞剑涛 ,  狄增峰 ,  张苗

IPC: H01L21/762 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明提供一种基于混合晶向SOI的器件系统结构及制备方法。根据本发明的制备方法，首先制备全局混晶SOI结构；接着，在所述全局混晶SOI结构上形成外延图形窗口；接着，在所述外延图形窗口处外延硅，并使外延硅后的图形化混晶SOI结构表面平坦化；随后再在外延硅后的全局混晶SOI结构上形成隔离器件的隔离结构；最后，在具有隔离结构的图形化混晶SOI结构的（110）衬底部分制备P型高压器件结构、在（100）衬底部分制备N型高压器件结构和/或低压器件结构，由此可有效提高空穴迁移率，改善P型高压器件的Rdson，提高器件性能，有利于进一步提高集成度、降低功耗。

公开(公告)号：CN103219274A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201210017883.8

申请日：2012-01-19

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张苗 ,  陈达 ,  刘林杰 ,  狄增峰 ,  薛忠营

IPC: H01L21/762

Abstract: 本发明提供一种基于量子阱结构来制备SGOI或sSOI的方法。根据本发明的方法，先在衬底表面形成由Si1-xGex/Ge或Si/Si1-xGex形成的量子阱结构的材料层后，进行退火处理；接着在已形成的结构表面先低温生长Si1-xGex和/或Si以修复表面，再形成由Si1-xGex/Ge或Si/Si1-xGex形成的量子阱结构的材料层，并进行退火处理，如此重复两三个周期后，再在所形成的结构表面低温生长Si1-xGex/Si的材料层，并采用智能剥离技术将已形成Si1-xGex/Si材料层转移到含氧衬底的含氧层表面，由此可形成高质量的SGOI或sSOI结构。

公开(公告)号：CN103187248A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201110449534.9

申请日：2011-12-29

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 姜海涛 ,  张苗 ,  狄增峰 ,  卞建涛 ,  王曦

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明提供一种混合晶向绝缘体上锗晶片及器件的制备方法，通过在绝缘层上形成生长窗口在具有第一晶向的衬底上形成具有第二晶向的全局GOI，然后在具有第二晶向的衬底上形成具有第二晶向的Ge层，以制备出混合晶向绝缘体上锗晶片。在具有（100）晶向的Ge层制备NMOS器件，在具有（110）晶向的Ge层制备PMOS器件，在保证NMOS载流子迁移率的同时，大大地提高了PMOS载流子的迁移率，从而提高器件的整体驱动电流，降低了寄生电容，有利于电路集成度的提高。本发明工艺步骤简单，适用于半导体工业生产。

公开(公告)号：CN103165511A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201110418133.7

申请日：2011-12-14

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 姜海涛 ,  张苗 ,  狄增峰 ,  卞剑涛 ,  王曦

IPC: H01L21/762

Abstract: 本发明提供一种制备GOI的方法，采用生长Ge组分渐变的Si1-xGex层作为梯度缓冲层，以制备出高纯度、低缺陷的纯Ge层，然后通过离子注入在梯度缓冲层与纯Ge层的界面附近形成剥离层，接着进行退火使其剥离。采用本方法能达到低剂量离子注入实现GOI材料的制备，且制备出的GOI材料具有高纯度、低缺陷的特点。本方法工艺简单，适合工业生产。

公开(公告)号：CN103165409A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201110419356.5

申请日：2011-12-14

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 薛忠营 ,  张苗 ,  狄增峰 ,  魏星 ,  陈达

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种嵌入超晶格层组制备应变Si的方法，该方法首先在Si衬底上外延一Ge组分为x的Si1-xGex层，其次在所述Si1-xGex层上外延一Si层，形成Si1-xGex/Si双层薄膜，然后多次重复外延所述Si1-xGex/Si双层薄膜，在所述Si衬底上制备出超晶格，形成包括至少一种所述超晶格的超晶格层组，接着在所述超晶格层组上外延一Ge组分为y的Si1-yGey层并使所述Si1-yGey层弛豫以形成弛豫Si1-yGey层，由所述超晶格层组和弛豫Si1-yGey层构成虚衬底，最后在所述弛豫Si1-yGey层上外延一Si层，以完成应变Si的制备。本发明通过降低制备应变Si所需的虚衬底厚度，大大节省了外延所需要的时间，不仅降低了外延所需要的成本，而且减少了由于长时间不间断进行外延而对外延设备造成的损伤。

公开(公告)号：CN103165408A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201110418819.6

申请日：2011-12-14

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 薛忠营 ,  张苗 ,  狄增峰 ,  魏星 ,  陈达

IPC: H01L21/02 ,  C30B29/68

Abstract: 本发明提供一种嵌入超晶格制备应变Si的方法，该方法首先在Si衬底上外延一Ge组分为x的Si1-xGex层，其次在所述Si1-xGex层上外延一Ge组分为y的Si1-yGey层，且y≠x，形成Si1-xGex/Si1-yGey双层薄膜，然后多次重复外延所述Si1-xGex/Si1-yGey双层薄膜，以在所述Si衬底上制备出超晶格，接着在所述超晶格上外延一Ge组分为z的Si1-zGez层并使所述Si1-zGez层弛豫以形成弛豫Si1-zGez层，由所述超晶格和弛豫Si1-zGez层构成虚衬底，最后在所述弛豫Si1-zGez层上外延一Si层，以完成应变Si的制备。本发明通过降低制备应变Si所需的虚衬底厚度，大大节省了外延所需要的时间，不仅降低了外延所需要的成本，而且减少了由于长时间不间断进行外延而对外延设备造成的损伤。