-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN202043038U
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201020699088.8
申请日：2010-12-31
Applicant: 东南大学
IPC: H02M3/157
Abstract: 一种可配置阈值电压平衡电路，由阈值不平衡探测器、三态缓冲器和选择电路三个部分构成，阈值不平衡探测器的输出信号Vout和三态缓冲器的输出信号Vbody预先设计为Vdd/2，Vout随工艺和温度的变化而波动，三态缓冲器检测并放大Vout摆幅，其输出信号Vbody提供逻辑门的偏置体电压，该调整值会反馈至阈值不平衡探测器的PMOS管和NMOS管的体端，促使阈值不平衡探测器调整PMOS/NMOS管阈值电压Vth平衡。本实用新型能够缓解工艺偏差引起的阈值电压不平衡，可支持从正常电源电压到亚阈值电源电压缩放的超宽电压调节。
-
公开(公告)号：CN202067564U
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201020699098.1
申请日：2010-12-31
Applicant: 东南大学
IPC: G11C11/40
Abstract: 一种高密度、高鲁棒性的亚阈值存储电路接口电路，用于从超阈值区域到亚阈值区域的连接，由晶体管构成施密特反相器：PMOS管P1和两个NMOS管N1、N2的栅端与输入端Vin连接；PMOS管P1的源端接电源电压Vdd，漏端与NMOS管N1的漏端、NMOS管N3的栅端连接，并连接到输出端Vout；PMOS管P1的体端接电源电压Vdd；NMOS管N1、N2、N3的体端各自均连接地端GND；NMOS管N1的源端、NMOS管N2的漏端以及NMOS管N3的源端连接；NMOS管N2的源端接地；NMOS管N3的漏端接电源电压Vdd。本实用新型实现噪声容限最大，具备良好的抗干扰能力和工艺容忍度，占用的芯片面积小。
-
公开(公告)号：CN201946317U
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201020699096.2
申请日：2010-12-31
Applicant: 东南大学
IPC: G11C11/414
Abstract: 一种亚阈值存储阵列电路，亚阈值区域内两根位线之间串联多个存储单元，在两根位线之间还按顺序依次并联增强电路、预充/平衡电路、写使能电路以及灵敏放大器电路，所述灵敏放大器电路为可写回的灵敏放大器，所述增强电路采用伪电流镜补偿电路作为漏电流补偿电路。本实用新型克服现有技术之缺陷，提供了一种高密度、高鲁棒性的亚阈值存储单元位线电流补偿及读写增强电路，平衡存储单元的各项指标，达到系统性能最优。
-
公开(公告)号：CN201918978U
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201020699089.2
申请日：2010-12-31
Applicant: 东南大学
IPC: H03K19/0175
Abstract: 一种亚阈值区域低静态功耗的电容型逻辑电平转换器，将低电压域电平VddL转换到高电压域电平VddH，设有一个NMOS管MN1，一个电容CL，两个PMOS管MP1和MP2以及一个反相器，其中PMOS管MP1的源极与低电压域电平VddL连接，栅极、漏极和体端连接在一起后，与PMOS管MP2的栅极相连；电容CL设置在PMOS管MP1栅极、漏极和体端的连接点与转换器的输入端Vin之间；PMOS管MP2的源极和体端与高电压域电平VddH相连，漏极和NMOS管MN1的漏极连接后作为反相器的输入与反相器相连，NMOS管MN1的栅极与输入端Vin相连，源极和体端接GND；反相器的电源电压接高电压域电平VddH，地线接GND，反相器的输出端为转换器的输出端Vout。采用电容型逻辑电平转换，可有效的工作在亚阈值区域。
-
公开(公告)号：CN201910251U
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201020699090.5
申请日：2010-12-31
Applicant: 东南大学
IPC: G11C11/414
Abstract: 一种带自适应漏电流切断机制的存储单元电路，为双端读写的亚阈值存储单元电路，电路包括第一反相器和第二反相器，两个反相器连接成交叉耦合，两个反相器通过平衡管连接在互补的位线之间，平衡管的栅端连接增强字线。本实用新型克服现有技术的缺陷，提供一种低功耗、高鲁棒性的亚阈值存储单元电路，能够在保证系统在不增加动态功耗和不降低性能的前提下，实现动态操作和静态操作中泄漏功耗的同时降低，平衡存储单元的各项指标，使系统性能最优化。
-
-
-
-
Search Results
35
records
(took 0.019 seconds)
