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公开(公告)号：CN102427340B
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201110445954.X
申请日：2011-12-28
申请人： 东南大学
IPC分类号： H03G11/00
摘要： 本发明公开一种适用于亚阈值区域的限幅转换电路，设有一个工作在超阈值区的常规反相器；设置一个工作在亚阈值区的限幅反相器；所述限幅反相器的输入端与常规反相器的输出端连接。适用于亚阈值区域的限幅转换电路用于将超阈值区的输入信号转换为亚阈值区的输出信号，从而实现从超阈值到亚阈值之间的信号限幅转换功能。本发明的限幅转换电路可作为超阈值电路模块与亚阈值电路模块之间的接口模块，能快速实现从超阈值的信号幅度转换为亚阈值的信号幅度的目的。
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公开(公告)号：CN102496384A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110449322.0
申请日：2011-12-28
申请人： 东南大学
IPC分类号： G11C11/413
CPC分类号： H03K3/013 , G11C11/417 , G11C11/419 , H03K3/012
摘要： 本发明公开一种噪声电流补偿电路，该电路设有两个输入输出端，两个互补的控制信号CON和CONF，控制信号用于控制该补偿电路的工作模式(工作状态和初始状态)。该电路主要由7个PMOS管和8个NMOS管所组成。该噪声电流补偿电路在正常工作状态下通过检测原电路中两根信号线上的电位变化率的变化情况，自动让原电路中放电较慢的一端信号放电更慢，让原电路中放电较快的一端信号放电更快，从而消除噪声电流对原电路的影响，为后续电路信号的正确识别提供帮助。所提出的噪声电流补偿电路可以用于SRAM的位线漏电流补偿上，因为SRAM位线上较大漏电流的存在会导致位线两端电位差的减小而造成后续电路无法正确识别信号。
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公开(公告)号：CN101546998A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200910030786.0
申请日：2009-04-15
申请人： 东南大学
IPC分类号： H03K17/687
摘要： 一种高精度栅源跟随采样开关电路涉及利用栅源跟随技术的采样开关，特别是用于采样保持电路的一种高精度栅源跟随采样开关设计方法及其开关电路：通过增加驱动电路，避免了SHA的运放直接驱动栅压导通开关电路中的电容，从而通过提高存储电压电容容值，就可以提高采样开关的栅端和源端的电压，减小MOS开关的导通电阻，可有效降低采样开关管栅极的寄生电容，从而提高采样开关管的栅源提升电压。
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公开(公告)号：CN102497201A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110431412.7
申请日：2011-12-21
申请人： 东南大学
IPC分类号： H03K23/44
CPC分类号： H03K21/10 , H03K23/44 , H03K23/662
摘要： 本发明公开了一种高速低功耗的真单相时钟2/3双模预分频器，包括六级动态反相器，第一级、第二级、第三极动态反相器串联构成真单相时钟结构的D触发器DFF1，第四级、第五级、第六级动态反相器串联构成真单相时钟结构的D触发器DFF2。本发明提供的高速低功耗的真单相时钟2/3双模预分频器，去除了传统真单相时钟2/3双模预分频器结构中的与门和或门，直接将第一个D触发器的输出送入第二个D触发器中的第五级动态反相器，控制第五级动态反相器对节点P2的预充电，达到将2/3双模预分频器输出高电平多延迟一个时钟周期，从而实现三分频操作，提高了2/3双模预分频器三分频时的工作速度。
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公开(公告)号：CN102427340A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201110445954.X
申请日：2011-12-28
申请人： 东南大学
IPC分类号： H03G11/00
摘要： 本发明公开一种适用于亚阈值区域的限幅转换电路，设有一个工作在超阈值区的常规反相器；设置一个工作在亚阈值区的限幅反相器；所述限幅反相器的输入端与常规反相器的输出端连接。适用于亚阈值区域的限幅转换电路用于将超阈值区的输入信号转换为亚阈值区的输出信号，从而实现从超阈值到亚阈值之间的信号限幅转换功能。本发明的限幅转换电路可作为超阈值电路模块与亚阈值电路模块之间的接口模块，能快速实现从超阈值的信号幅度转换为亚阈值的信号幅度的目的。
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公开(公告)号：CN102496384B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201110449322.0
申请日：2011-12-28
申请人： 东南大学
IPC分类号： G11C11/413
CPC分类号： H03K3/013 , G11C11/417 , G11C11/419 , H03K3/012
摘要： 本发明公开一种噪声电流补偿电路，该电路设有两个输入输出端，两个互补的控制信号CON和CONF，控制信号用于控制该补偿电路的工作模式(工作状态和初始状态)。该电路主要由7个PMOS管和8个NMOS管所组成。该噪声电流补偿电路在正常工作状态下通过检测原电路中两根信号线上的电位变化率的变化情况，自动让原电路中放电较慢的一端信号放电更慢，让原电路中放电较快的一端信号放电更快，从而消除噪声电流对原电路的影响，为后续电路信号的正确识别提供帮助。所提出的噪声电流补偿电路可以用于SRAM的位线漏电流补偿上，因为SRAM位线上较大漏电流的存在会导致位线两端电位差的减小而造成后续电路无法正确识别信号。
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公开(公告)号：CN102075179B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201010622695.9
申请日：2010-12-31
申请人： 东南大学
IPC分类号： H03K19/0948
摘要： 一种亚阈值锁存器，采用主、从锁存器结构，设有两个输入端，分别为数据输入端D和时钟输入端clk，还设有一个输出端Q，主锁存器由反相器I1、I2、I3和CMOS传输门T1、T2组成，从锁存器由反相器I4、I5、I6和CMOS传输门T3、T4组成，时钟输入端clk一路连接反相器I7后分别输入主、从锁存器，一路直接输入主、从锁存器；主、从锁存器中的反馈回路中设有传输门，从而使得本发明可以有效工作在亚阈值条件下。本发明具有较好的抗干扰能力，亚阈值锁存器功耗更低。
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公开(公告)号：CN102522115A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110445966.2
申请日：2011-12-28
申请人： 东南大学
IPC分类号： G11C11/413
CPC分类号： G11C11/419 , G11C11/412 , G11C11/417 , H01L27/1104
摘要： 本发明公开一种提高亚阈值SRAM存储单元工艺鲁棒性的电路，该电路作为亚阈值SRAM存储单元的辅助电路，将该电路的输出连接到亚阈值SRAM存储单元内PMOS管及自身电路中PMOS管的衬底。该电路包括SRAM存储单元内PMOS管阈值电压检测电路及差分输入单端输出放大器，通过检测工艺波动引起的PMOS管与NMOS管阈值电压波动，自适应改变亚阈值SRAM存储单元内PMOS管及自身电路中PMOS管的衬底电压进而调节其阈值电压，使得PMOS的阈值电压与NMOS的阈值电压相匹配。提高了亚阈值SRAM存储单元的噪声容限，有效地提高了亚阈值SRAM存储单元的工艺鲁棒性。
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公开(公告)号：CN102034534A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010622693.X
申请日：2010-12-31
申请人： 东南大学
IPC分类号： G11C11/414
摘要： 一种亚阈值存储阵列电路，亚阈值区域内两根位线之间串联多个存储单元，在两根位线之间还按顺序依次并联增强电路、预充/平衡电路、写使能电路以及灵敏放大器电路，所述灵敏放大器电路为可写回的灵敏放大器，所述增强电路采用伪电流镜补偿电路作为漏电流补偿电路。本发明克服现有技术之缺陷，提供了一种高密度、高鲁棒性的亚阈值存储单元位线电流补偿及读写增强电路，平衡存储单元的各项指标，达到系统性能最优。
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