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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102034525B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201010622696.3
申请日：2010-12-31
Applicant: 东南大学
IPC: G11C11/40
Abstract: 一种高密度、高鲁棒性的亚阈值存储电路接口电路，用于从超阈值区域到亚阈值区域的连接，由晶体管构成施密特反相器：PMOS管P1和两个NMOS管N1、N2的栅端与输入端Vin连接；PMOS管P1的源端接电源电压Vdd，漏端与NMOS管N1的漏端、NMOS管N3的栅端连接，并连接到输出端Vout；PMOS管P1的体端接电源电压Vdd；NMOS管N1、N2、N3的体端各自均连接地端GND；NMOS管N1的源端、NMOS管N2的漏端以及NMOS管N3的源端连接；NMOS管N2的源端接地；NMOS管N3的漏端接电源电压Vdd。本发明实现噪声容限最大，具备良好的抗干扰能力和工艺容忍度，占用的芯片面积小。
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公开(公告)号：CN102176323A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201010622691.0
申请日：2010-12-31
Applicant: 东南大学
IPC: G11C11/56
Abstract: 一种带自适应漏电流切断机制的存储单元电路，为双端读写的亚阈值存储单元电路，电路包括第一反相器和第二反相器，两个反相器连接成交叉耦合，两个反相器通过平衡管连接在互补的位线之间，平衡管的栅端连接增强字线。本发明克服现有技术的缺陷，提供一种低功耗、高鲁棒性的亚阈值存储单元电路，能够在保证系统在不增加动态功耗和不降低性能的前提下，实现动态操作和静态操作中泄漏功耗的同时降低，平衡存储单元的各项指标，使系统性能最优化。
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公开(公告)号：CN102034525A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010622696.3
申请日：2010-12-31
Applicant: 东南大学
IPC: G11C11/40
Abstract: 一种高密度、高鲁棒性的亚阈值存储电路接口电路，用于从超阈值区域到亚阈值区域的连接，由晶体管构成施密特反相器：PMOS管P1和两个NMOS管N1、N2的栅端与输入端Vin连接；PMOS管P1的源端接电源电压Vdd，漏端与NMOS管N1的漏端、NMOS管N3的栅端连接，并连接到输出端Vout；PMOS管P1的体端接电源电压Vdd；NMOS管N1、N2、N3的体端各自均连接地端GND；NMOS管N1的源端、NMOS管N2的漏端以及NMOS管N3的源端连接；NMOS管N2的源端接地；NMOS管N3的漏端接电源电压Vdd。本发明实现噪声容限最大，具备良好的抗干扰能力和工艺容忍度，占用的芯片面积小。
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公开(公告)号：CN201910251U
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201020699090.5
申请日：2010-12-31
Applicant: 东南大学
IPC: G11C11/414
Abstract: 一种带自适应漏电流切断机制的存储单元电路，为双端读写的亚阈值存储单元电路，电路包括第一反相器和第二反相器，两个反相器连接成交叉耦合，两个反相器通过平衡管连接在互补的位线之间，平衡管的栅端连接增强字线。本实用新型克服现有技术的缺陷，提供一种低功耗、高鲁棒性的亚阈值存储单元电路，能够在保证系统在不增加动态功耗和不降低性能的前提下，实现动态操作和静态操作中泄漏功耗的同时降低，平衡存储单元的各项指标，使系统性能最优化。
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公开(公告)号：CN202067564U
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201020699098.1
申请日：2010-12-31
Applicant: 东南大学
IPC: G11C11/40
Abstract: 一种高密度、高鲁棒性的亚阈值存储电路接口电路，用于从超阈值区域到亚阈值区域的连接，由晶体管构成施密特反相器：PMOS管P1和两个NMOS管N1、N2的栅端与输入端Vin连接；PMOS管P1的源端接电源电压Vdd，漏端与NMOS管N1的漏端、NMOS管N3的栅端连接，并连接到输出端Vout；PMOS管P1的体端接电源电压Vdd；NMOS管N1、N2、N3的体端各自均连接地端GND；NMOS管N1的源端、NMOS管N2的漏端以及NMOS管N3的源端连接；NMOS管N2的源端接地；NMOS管N3的漏端接电源电压Vdd。本实用新型实现噪声容限最大，具备良好的抗干扰能力和工艺容忍度，占用的芯片面积小。
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