-
公开(公告)号：CN102034525A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010622696.3
申请日：2010-12-31
Applicant: 东南大学
IPC: G11C11/40
Abstract: 一种高密度、高鲁棒性的亚阈值存储电路接口电路，用于从超阈值区域到亚阈值区域的连接，由晶体管构成施密特反相器：PMOS管P1和两个NMOS管N1、N2的栅端与输入端Vin连接；PMOS管P1的源端接电源电压Vdd，漏端与NMOS管N1的漏端、NMOS管N3的栅端连接，并连接到输出端Vout；PMOS管P1的体端接电源电压Vdd；NMOS管N1、N2、N3的体端各自均连接地端GND；NMOS管N1的源端、NMOS管N2的漏端以及NMOS管N3的源端连接；NMOS管N2的源端接地；NMOS管N3的漏端接电源电压Vdd。本发明实现噪声容限最大，具备良好的抗干扰能力和工艺容忍度，占用的芯片面积小。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102170229A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201010622687.4
申请日：2010-12-31
Applicant: 东南大学
IPC: H02M3/157
Abstract: 一种可配置阈值电压平衡电路，由阈值不平衡探测器、三态缓冲器和选择电路三个部分构成，阈值不平衡探测器的输出信号Vout和三态缓冲器的输出信号Vbody预先设计为Vdd/2，Vout随工艺和温度的变化而波动，三态缓冲器检测并放大Vout摆幅，其输出信号Vbody提供逻辑门的偏置体电压，该调整值会反馈至阈值不平衡探测器的PMOS管和NMOS管的体端，促使阈值不平衡探测器调整PMOS/NMOS管阈值电压Vth平衡。本发明能够缓解工艺偏差引起的阈值电压不平衡，可支持从正常电源电压到亚阈值电源电压缩放的超宽电压调节。
-
公开(公告)号：CN102170229B
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201010622687.4
申请日：2010-12-31
Applicant: 东南大学
IPC: H02M3/157
Abstract: 一种可配置阈值电压平衡电路，由阈值不平衡探测器、三态缓冲器和选择电路三个部分构成，阈值不平衡探测器的输出信号Vout和三态缓冲器的输出信号Vbody预先设计为Vdd/2，Vout随工艺和温度的变化而波动，三态缓冲器检测并放大Vout摆幅，其输出信号Vbody提供逻辑门的偏置体电压，该调整值会反馈至阈值不平衡探测器的PMOS管和NMOS管的体端，促使阈值不平衡探测器调整PMOS/NMOS管阈值电压Vth平衡。本发明能够缓解工艺偏差引起的阈值电压不平衡，可支持从正常电源电压到亚阈值电源电压缩放的超宽电压调节。
-
公开(公告)号：CN102034525B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201010622696.3
申请日：2010-12-31
Applicant: 东南大学
IPC: G11C11/40
Abstract: 一种高密度、高鲁棒性的亚阈值存储电路接口电路，用于从超阈值区域到亚阈值区域的连接，由晶体管构成施密特反相器：PMOS管P1和两个NMOS管N1、N2的栅端与输入端Vin连接；PMOS管P1的源端接电源电压Vdd，漏端与NMOS管N1的漏端、NMOS管N3的栅端连接，并连接到输出端Vout；PMOS管P1的体端接电源电压Vdd；NMOS管N1、N2、N3的体端各自均连接地端GND；NMOS管N1的源端、NMOS管N2的漏端以及NMOS管N3的源端连接；NMOS管N2的源端接地；NMOS管N3的漏端接电源电压Vdd。本发明实现噪声容限最大，具备良好的抗干扰能力和工艺容忍度，占用的芯片面积小。
-
公开(公告)号：CN202043038U
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201020699088.8
申请日：2010-12-31
Applicant: 东南大学
IPC: H02M3/157
Abstract: 一种可配置阈值电压平衡电路，由阈值不平衡探测器、三态缓冲器和选择电路三个部分构成，阈值不平衡探测器的输出信号Vout和三态缓冲器的输出信号Vbody预先设计为Vdd/2，Vout随工艺和温度的变化而波动，三态缓冲器检测并放大Vout摆幅，其输出信号Vbody提供逻辑门的偏置体电压，该调整值会反馈至阈值不平衡探测器的PMOS管和NMOS管的体端，促使阈值不平衡探测器调整PMOS/NMOS管阈值电压Vth平衡。本实用新型能够缓解工艺偏差引起的阈值电压不平衡，可支持从正常电源电压到亚阈值电源电压缩放的超宽电压调节。
-
公开(公告)号：CN202067564U
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201020699098.1
申请日：2010-12-31
Applicant: 东南大学
IPC: G11C11/40
Abstract: 一种高密度、高鲁棒性的亚阈值存储电路接口电路，用于从超阈值区域到亚阈值区域的连接，由晶体管构成施密特反相器：PMOS管P1和两个NMOS管N1、N2的栅端与输入端Vin连接；PMOS管P1的源端接电源电压Vdd，漏端与NMOS管N1的漏端、NMOS管N3的栅端连接，并连接到输出端Vout；PMOS管P1的体端接电源电压Vdd；NMOS管N1、N2、N3的体端各自均连接地端GND；NMOS管N1的源端、NMOS管N2的漏端以及NMOS管N3的源端连接；NMOS管N2的源端接地；NMOS管N3的漏端接电源电压Vdd。本实用新型实现噪声容限最大，具备良好的抗干扰能力和工艺容忍度，占用的芯片面积小。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.012 seconds)
