公开(公告)号：CN101010792A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200580028801.8

申请日：2005-10-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田中澄 ,  铃木公贵

IPC: H01L21/683

CPC classification number: H01L21/68792 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明提供一种为了大幅降低颗粒的产生量而进行改良后的基板旋转装置、以及具备该基板旋转装置的基板处理装置。基板旋转装置包括：直接或者间接地连接在基板支承体上的从动旋转体、例如从动环；和在与可动部件接触的状态下，进行旋转从而旋转驱动上述从动旋转体的驱动旋转体、例如，驱动转子。从动旋转体和驱动旋转体，由JIS R1607标准规定的破坏韧性的值以及/或者JIS R1601标准规定的三点弯曲强度的值不同的陶瓷材料构成。

公开(公告)号：CN1759473A

公开(公告)日：2006-04-12

申请号：CN200380110150.8

申请日：2003-12-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池田太郎 ,  田中澄 ,  山本薰

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32431 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831 ,  Y10T279/23

Abstract: 半导体处理用的基板保持结构(50)包括配置在处理室(20)内的、放置被处理基板(W)的放置台(51)。在放置台(51)内形成收容作为热交换介质而使用的流体的温度调节空间(507)。为了将高频电力导入放置台(51)而配置导电性传送路径(502)。在传送路径(502)内形成有相对温度调节空间(507)进行热交换介质流体的供给或者排出的流路(505、506)。

公开(公告)号：CN1708739A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200380100227.3

申请日：2003-11-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 河西繁 ,  石桥诚之 ,  山本薰 ,  田中澄 ,  柳谷健一

IPC: G05D16/20

Abstract: 该处理装置具有：具有载置被处理体W的载置台(8)的处理容器(4)；导入处理气体的气体导入装置(10)；供给规定处理气体的处理气体供给系统(14、16、18)；供给非活性气体的非活性气体供给系统(12)；设置阀开度可以控制的压力控制阀(36)与真空泵(38)的真空排气系统(32)；压力计(48)。在进行处理气体的分压重要的处理时，流出固定流量的处理气体，同时根据压力计(48)的检测值控制压力控制阀(36)的阀开度，而在进行处理气体的分压不太重要的处理时，使压力控制阀(36)的阀开度固定为规定值，同时根据压力计(48)的检测值控制非活性气体的供给量。因此，在进行处理压力的范围差异较大的多种处理时，也可以准确地对各个处理时的压力进行控制。

公开(公告)号：CN113284784A

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN202110172280.4

申请日：2021-02-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池田太郎 ,  川上聪 ,  田中澄

IPC: H01J37/32

Abstract: 一种载置台、等离子体处理装置以及等离子体处理方法。期待能够在基板的边缘附近高效地产生等离子体的载置台、等离子体处理装置以及等离子体处理方法。在一个例示性的实施方式中，提供一种具有载置面的载置台。该载置台的特征在于，载置台具有厚度，包括埋设有高频电极的载置台主体，载置台主体包含陶瓷，高频电极在载置面的外周部下方区域沿上述的厚度的方向延伸。

公开(公告)号：CN103187270A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201210570812.0

申请日：2012-12-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池田太郎 ,  田中澄

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H05B6/6402 ,  H05B6/70 ,  H05B6/806

Abstract: 本发明提供一种微波加热处理装置和处理方法，该微波加热处理装置和处理方法，具有良好的电力的利用效率和加热效率，能够对被处理体进行均匀的处理。四个微波导入口（10）设置为，其全部远离晶片（W）的正上方，并且，其长边平行于侧壁部（12）的四个直线部分中的至少一个。以包围晶片（W）的周围的方式进行设置的整流板（23）的上表面，以从晶片（W）侧（内侧）向侧壁部（12）侧（外侧）扩开的方式倾斜而形成倾斜部（23A）。倾斜部（23A）与四个微波导入口（10）上下相对地设置。

公开(公告)号：CN102016116B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN200980116734.3

申请日：2009-06-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田中澄 ,  二村宗久

IPC: C23C16/448 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/31645 ,  C23C16/4481 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/31641

Abstract: 本发明提供一种气化器及使用该气化器的成膜装置，该气化器能够防止液体原料的排出口因附着物而堵塞。气化器(300)使从喷嘴(320)的排出口(322)排出的液体原料在被加热的气化室(360)内气化而生成原料气体，该气化器(300)包括：在喷嘴的前端部(323)与气化室之间按照覆盖排出口的周围的方式设置的筒形状的被加热部件(340)；从排出口的附近喷出载气的载气喷出口(326)；使从排出口排出的液体原料与载气混合后向气化室喷出的混合室(344)；从气化室的外侧加热气化室的第一加热部(加热器(392、394))；和从被加热部件的外侧加热被加热部件的第二加热部(加热器(342))。

公开(公告)号：CN101772837B

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN200980100058.0

申请日：2009-03-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田中澄 ,  小松智仁 ,  川崎裕雄

IPC: H01L21/683

CPC classification number: H01L21/68757 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68792

Abstract: 本发明提供载置台构造以及处理装置，能防止对载置台产生大的热应力，防止该载置台自身破损，并且能抑制防止腐蚀用的吹扫气体的供给量。本发明涉及设置在能够排出内部的气体的处理容器(22)内，用于载置被处理体(W)的载置台构造(54)。该载置台构造(54)具备：载置被处理体(W)，由电介质构成的载置台(58)；设于载置台(58)，加热载置于载置台(58)的被处理体(W)的加热单元(64)；由电介质构成的多个保护支柱管(60)，它们以相对处理容器(22)的底部(44)竖立的方式设置，上端部与载置台(58)的下表面接合来支承载置台(58)。另外，在各保护支柱管(60)内插通有延伸到载置台的功能棒体(62)。

公开(公告)号：CN102610550A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201210068839.X

申请日：2009-03-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田中澄 ,  小松智仁 ,  川崎裕雄

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/68757 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68792

Abstract: 本发明提供载置台构造以及处理装置，能防止对载置台产生大的热应力，防止该载置台自身破损，并且能抑制防止腐蚀用的吹扫气体的供给量。本发明涉及设置在能够排出内部的气体的处理容器(22)内，用于载置被处理体(W)的载置台构造(54)。该载置台构造(54)具备：载置被处理体(W)，由电介质构成的载置台(58)；设于载置台(58)，加热载置于载置台(58)的被处理体(W)的加热单元(64)；由电介质构成的多个保护支柱管(60)，它们以相对处理容器(22)的底部(44)竖立的方式设置，上端部与载置台(58)的下表面接合来支承载置台(58)。另外，在各保护支柱管(60)内插通有延伸到载置台的功能棒体(62)。

公开(公告)号：CN101689499B

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN200880022567.1

申请日：2008-08-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田中澄 ,  二村宗久

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/448

CPC classification number: C23C16/4481

Abstract: 在使液体原料的液滴通过通气性部件气化时，将整个通气性部件的温度均匀，防止未完全气化而引起堵塞。具有：导入液滴状的液体原料的导入口(354)；板状的通气性部件(410)，其与导入口对置地配置，由具有借助通电发热的电阻的部件构成；以夹持通气性部件的方式对置配置的一对电极(420、430)；经由一对电极使通气性部件通电发热的交流电源(380)；将原料气体送到外部被的送出口(132)，该原料气体是使来自导入口的液滴状的液体原料通过发热的通气性部件的内部来气化而生成的。

公开(公告)号：CN102254906A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201110220956.9

申请日：2008-09-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 河西繁 ,  铃木智博 ,  田中澄 ,  米田昌刚 ,  宫下大幸

IPC: H01L25/075

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/54 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明的退火装置具有：处理室(1)，其容纳晶片(W)；加热源(17a、17b)，其被设置成面向晶片(W)的面，并具有对晶片(W)照射光的多个LED(33)；透光部件(18a、18b)，其对应于上述加热源(17a、17b)地设置，并使来自发光元件(33)的光透射，其中，加热源(17a、17b)构成为在支撑体(32)上朝向晶片(W)侧安装有多个发光元件(33)，发光元件分别单独地被由透明树脂构成的透镜层(20)覆盖。