公开(公告)号：CN101807509B

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201010147501.4

申请日：2007-03-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 舆石公

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和聚焦环。本发明的目的是在对半导体晶片等被处理基板进行等离子体处理时，进一步减少周边部下面的沉积物的产生。当使被处理基板(W)载置在配置于处理腔室(10)内的载置台(11)上，通过施加高频电压，使处理腔室(10)内产生等离子体，对被处理基板(W)进行处理时，在载置台(11)上载置的被处理基板(W)的周边部下方，形成使由等离子体生成的离子向被处理基板(W)的周边部下面加速的电场，由此使离子与被处理基板(W)的周边部下面碰撞，从而减少沉积物的产生。

公开(公告)号：CN102263026A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN201110206125.6

申请日：2005-06-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 舆石公 ,  杉本胜 ,  日向邦彦 ,  小林典之 ,  舆水地盐 ,  大谷龙二 ,  吉备和雄 ,  齐藤昌司 ,  松本直树 ,  大矢欣伸 ,  岩田学 ,  矢野大介 ,  山泽阳平 ,  花冈秀敏 ,  速水利泰 ,  山崎广树 ,  佐藤学

IPC: H01L21/311 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和方法。本发明的等离子体处理方法的特征在于：在处理容器内，将第一电极和支承被处理基板的第二电极相对配置，一边向所述第一电极施加频率相对较高的第一高频电力、并向所述第二电极施加频率相对较低的第二高频电力，一边向所述处理容器内供给处理气体，以生成该处理气体的等离子体，对被支承在所述第二电极上的被处理基板进行等离子体处理，该等离子体处理方法具有：向所述第一电极施加直流电压的工序；和一边向所述第一电极施加直流电压，一边对所述被处理基板进行等离子体处理的工序，在对被支承在所述第二电极上的被处理基板的绝缘膜进行蚀刻时，使用CF4、Ar、N2、CHF3的组合作为所述处理气体。

公开(公告)号：CN1973363B

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN200580020518.0

申请日：2005-06-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 舆石公 ,  杉本胜 ,  日向邦彦 ,  小林典之 ,  舆水地盐 ,  大谷龙二 ,  吉备和雄 ,  齐藤昌司 ,  松本直树 ,  大矢欣伸 ,  岩田学 ,  矢野大介 ,  山泽阳平 ,  花冈秀敏 ,  速水利泰 ,  山崎广树 ,  佐藤学

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种在上部电极(34)和下部电极(16)之间生成处理气体的等离子体、对晶片(W)进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻装置，该等离子体蚀刻装置还包括向上部电极(34)施加直流电压的可变直流电源(50)，其施加直流电压，使得上部电极(34)表面的自偏压Vdc的绝对值增大至可得到对该表面的适度的溅射效果的程度，并且使得上部电极(34)的等离子体鞘的厚度增厚至可形成期望的缩小的等离子体的程度。

公开(公告)号：CN101807509A

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN201010147501.4

申请日：2007-03-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 舆石公

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和聚焦环。本发明的目的是在对半导体晶片等被处理基板进行等离子体处理时，进一步减少周边部下面的沉积物的产生。当使被处理基板(W)载置在配置于处理腔室(10)内的载置台(11)上，通过施加高频电压，使处理腔室(10)内产生等离子体，对被处理基板(W)进行处理时，在载置台(11)上载置的被处理基板(W)的周边部下方，形成使由等离子体生成的离子向被处理基板(W)的周边部下面加速的电场，由此使离子与被处理基板(W)的周边部下面碰撞，从而减少沉积物的产生。

公开(公告)号：CN101038849B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200710088375.8

申请日：2007-03-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 舆石公

IPC: H01J37/00 ,  H01J37/32 ,  H05H1/00 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明的目的是在对半导体晶片等被处理基板进行等离子体处理时，进一步减少周边部下面的沉积物的产生。当使被处理基板(W)载置在配置于处理腔室(10)内的载置台(11)上，通过施加高频电压，使处理腔室(10)内产生等离子体，对被处理基板(W)进行处理时，在载置台(11)上载置的被处理基板(W)的周边部下方，形成使由等离子体生成的离子向被处理基板(W)的周边部下面加速的电场，由此使离子与被处理基板(W)的周边部下面碰撞，从而减少沉积物的产生。

公开(公告)号：CN101431854A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200810168380.4

申请日：2006-03-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松本直树 ,  舆水地盐 ,  舆石公

IPC: H05H1/46 ,  H01J37/32 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32532

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置。其具有：收容被处理基板并能够真空排气的处理容器；在处理容器内对置配置的第一电极和第二电极；将高频电力施加到所述第一电极的高频电源；将直流电压施加到所述第一电极的直流电源；和将处理气体供给到处理容器内的处理气体供给单元。在第一电极与第二电极之间生成处理气体的等离子体并对被处理基板进行等离子体处理。其中，第一电极具有电极支承部件和设置于电极支承部件的等离子体侧的多个电极板，在多个电极板的每一个电极板与电极支承部件之间插有电介质膜，多个电极板分别通过开关与直流电源连接，来自直流电源的直流电压能够选择性地施加于多个电极板。

公开(公告)号：CN100446637C

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200610067101.6

申请日：2006-03-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松本直树 ,  舆水地盐 ,  舆石公

IPC: H05H1/46 ,  H01J37/32 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32532

Abstract: 本发明提供一种不论等离子体的状态如何，都可以容易地确保等离子体的均匀性的等离子体处理装置和等离子体处理方法。在上部电极(34)与下部电极(16)之间生成处理气体的等离子体并对晶片(W)进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻装置中，高频电源(48)和可变直流电源(50)与上部电极(34)连接。上部电极(34)具有外侧部分(36a)和内侧部分(36b)，来自高频电源(48)的高频电流在外侧部分(36a)和内侧部分(36b)二者中流过，来自可变直流电源(50)的直流电源在内侧部分(36a)中流过但实际上不在外侧部分(36b)中流过。

公开(公告)号：CN101038849A

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN200710088375.8

申请日：2007-03-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 舆石公

IPC: H01J37/00 ,  H01J37/32 ,  H05H1/00 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明的目的是在对半导体晶片等被处理基板进行等离子体处理时，进一步减少周边部下面的沉积物的产生。当使被处理基板(W)载置在配置于处理腔室(10)内的载置台(11)上，通过施加高频电压，使处理腔室(10)内产生等离子体，对被处理基板(W)进行处理时，在载置台(11)上载置的被处理基板(W)的周边部下方，形成使由等离子体生成的离子向被处理基板(W)的周边部下面加速的电场，由此使离子与被处理基板(W)的周边部下面碰撞，从而减少沉积物的产生。

公开(公告)号：CN1842243A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200610067101.6

申请日：2006-03-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松本直树 ,  舆水地盐 ,  舆石公

IPC: H05H1/46 ,  H01J37/32 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32532

Abstract: 本发明提供一种不论等离子体的状态如何，都可以容易地确保等离子体的均匀性的等离子体处理装置和等离子体处理方法。在上部电极(34)与下部电极(16)之间生成处理气体的等离子体并对晶片(W)进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻装置中，高频电源(48)和可变直流电源(50)与上部电极(34)连接。上部电极(34)具有外侧部分(36a)和内侧部分(36b)，来自高频电源(48)的高频电流在外侧部分(36a)和内侧部分(36b)二者中流过，来自可变直流电源(50)的直流电源在内侧部分(36a)中流过但实际上不在外侧部分(36b)中流过。