公开(公告)号：CN101384749B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200780005070.4

申请日：2007-01-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 铃木健二 ,  以马利·P·盖德帝 ,  格利特·J·莱乌辛克 ,  原正道 ,  黑岩大祐 ,  石坂忠大

IPC: C23C16/448

CPC classification number: C23C16/4481

Abstract: 本发明描述了与高传导率蒸汽传输系统(40)相耦合的多盘膜前驱体蒸发系统(1)，其用于通过增大膜前驱体的暴露表面积来增大沉积速率。多盘膜前驱体蒸发系统(50)包括一个或多个盘(340)。每个盘被配置为支撑并保持例如固态粉末形式或固态片形式的膜前驱体(350)。另外，每个盘被配置为在加热膜前驱体的同时提供膜前驱体上方的载气的高传导率流动。例如，载气在膜前驱体上方向内流动，并且竖直地向上经过可堆叠盘内的流动通道(318)，并经过固态前驱体蒸发系统中的出口(322)。

公开(公告)号：CN102341902A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN201080010695.1

申请日：2010-03-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 五味淳 ,  水泽宁 ,  波多野达夫 ,  原正道 ,  山本薰 ,  多贺敏 ,  安室千晃

IPC: H01L21/683 ,  C23C16/458 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/68785 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/4586 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明涉及为了在能够真空排气的处理容器内，使用包含有机金属化合物的原料的原料气体在被处理体的表面形成薄膜而载置该被处理体的载置台结构。根据本发明的载置台结构，其特征在于，具备：载置台主体，载置被处理体并且在内部设置有加热器；和基台，以包围上述载置台主体的侧面和底面的状态支撑上述载置台主体，并且在内部设置有流通致冷剂的致冷剂通路，维持在低于原料气体的分解温度且在原料气体的凝固温度或液化温度以上的温度范围。

公开(公告)号：CN102332391A

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN201110204655.7

申请日：2011-07-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 宫下哲也 ,  原正道 ,  水泽宁 ,  平田俊治

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67173 ,  H01L21/67736

Abstract: 本发明提供一种真空处理装置，所解决的课题在于：当在多个处理区域中对各个基板进行真空处理时，一边抑制装置整体的覆盖区轨迹，一边抑制基板移载所需要的时间，使其变短。在负载锁定室(2a、2b)之间，将三个处理单元(11)和搬送组件(12)按照从上游一侧向下游一侧的顺序气密地排列在一列上。另外，配置用于从上游一侧向各个处理单元(11)内移载晶片(W)的晶片搬送装置(24)，并将用于从下游一端的处理单元(11)向负载锁定室(2b)移载晶片(W)的晶片搬送装置(24)设置在搬送组件(12)内。而且，同时进行从负载锁定室(2a)向上游端的处理单元(11)移载晶片(W)、从下游端的处理单元(11)向负载锁定室(2b)移载晶片(W)、和从上游一侧的处理单元(11a)向下游一侧的处理单元(11)移载晶片(W)。

公开(公告)号：CN101802257B

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN200880106580.5

申请日：2008-09-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 原正道 ,  五味淳 ,  前川伸次 ,  多贺敏

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4586 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/46 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/68742

Abstract: 本发明涉及一种载置有被处理基板的基板载置机构，具备：加热板(21)，其具有被处理基板载置面(21a)，埋设有将被处理基板(W)加热至膜堆积的成膜温度的加热体，并具备具有宽径部(94b)和窄径部(94a)的第一升降销插通孔(81a)；调温套，其被形成为至少覆盖被处理基板载置面(21a)以外的表面的，温度为不足成膜温度的非成膜温度，具备具有宽径部(92b)和窄径部(92a)的第二升降销插通孔(81c)；具备能够插通宽径部(94b)的盖部(93b)和能够插通宽径部(94b)和窄径部(94a)双方的轴部(93a)的第一升降销(24b-1)；具备能够插通宽径部(92b)的盖部(91b)和能够插通宽径部(92b)和窄径部(92a)双方的轴部(91a)的第二升降销(24b-2)。

公开(公告)号：CN101065515B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200580040912.0

申请日：2005-10-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 铃木健二 ,  以马利·盖德帝 ,  格利特·J·莱乌辛克 ,  原正道 ,  黑岩大祐

IPC: C23C16/448

CPC classification number: C23C16/4481 ,  C23C16/16

Abstract: 本发明描述了用于与高传导率蒸汽传输系统相耦合的多盘固态前驱体蒸发系统(50、150、300、300’)的可置换前驱体盘，其用于通过增大固态前驱体的暴露表面积来增大沉积速率。多盘固态前驱体蒸发系统(50、150、300、300，)被配置为耦合到薄膜沉积系统(1、100)的处理室(10、110)，并且包括基座盘(330)以及一个或多个可堆叠上部盘(340)。每个盘(330、340)被配置为支撑并保持例如固态粉末形式或固态片形式的膜前驱体(350)。另外，每个盘(330、340)被配置为在加热膜前驱体(350)的同时提供膜前驱体(350)上方的载气的高传导率流动。例如，载气在膜前驱体(350)上方向内流动，并且垂直地向上经过可堆叠盘(370、370’)内部的流动通道(318)，并经过固态前驱体蒸发系统(50、150、300、300’)中的出口(322)。