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公开(公告)号：CN111161991B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN201911081919.7
申请日：2019-11-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种基片支承器，其包括支承基片的第1支承区域和支承聚焦环的第2支承区域。第2支承区域在周向延伸。基片支承器具有导电结构和保持件。导电结构包括导电路径和连接部件。导电路径在第2支承区域的径向上的外侧提供端子区域，并从该端子区域向下方延伸。连接部件将聚焦环与端子区域彼此电连接。连接部件以面向聚焦环的在该连接部件的径向上的外侧向下方延伸的面的方式配置在端子区域上。保持件以向下方按压连接部件，并且使连接部件按压聚焦环的面的方式保持该连接部件。由此，基片支承器能够在抑制对保持聚焦环的静电引力进行抵抗的力的产生的同时提供可与聚焦环连接的电气通路。
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公开(公告)号：CN110379757B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN201910293463.4
申请日：2019-04-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 佐佐木康晴
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明提供静电卡盘、基板处理装置以及基板保持方法，在具有翘曲的基板被支承台保持的情况下提高基板与静电卡盘的密合性。一个实施方式所涉及的静电卡盘具备用于产生对基板进行吸附的静电力的多个电极以及用于载置基板的表面，多个电极的各个电极配置于沿径向和周向划分出的多个区域的各个区域。一个实施方式所涉及的基板处理装置具备：静电卡盘，其具备多个电极和用于载置基板的表面；以及控制装置，其控制对多个电极的各个电极施加直流电压的定时，其中，多个电极的各个电极通过被施加直流电压来产生用于对基板进行吸附的静电力，多个电极的各个电极配置于沿径向和周向划分出的多个区域的各个区域。
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公开(公告)号：CN111095500B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN201980004527.2
申请日：2019-06-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/683 , H05H1/46
Abstract: 提供一种载置台，该载置台具有：板状构件，其具有载置被处理体的载置面和与所述载置面相对的背面，形成有贯通所述载置面和所述背面的通孔；和埋入构件，其配置到所述通孔的内部，在所述埋入构件的表面设置有凹部和凸部中的至少任一者。
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公开(公告)号：CN113793794A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202111085961.3
申请日：2018-09-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其在进行偏置电功率的大小的切换的等离子体处理中，抑制形成在被处理基片上的倾斜。等离子体处理装置包括：基座，能够被施加在对被处理基片进行等离子体处理期间中能够切换大小的偏置电功率；静电卡盘，其设置在基座上，能够在中央部载置被处理基片，在外周部以包围被处理基片的方式载置聚焦环；和电介质层，其配置在静电卡盘的外周部与基座或聚焦环之间，具有使静电卡盘的外周部的静电电容与静电卡盘的中央部的静电电容之差减少的静电电容。
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公开(公告)号：CN109427534B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201810995793.3
申请日：2018-08-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/687
Abstract: 本发明的目的在于提供一种容易进行被处理体从静电卡盘的脱离的脱离控制方法和等离子体处理装置。使被静电吸附于静电卡盘的被处理体脱离的脱离控制方法具有以下工序：在利用支承机构升起所述被处理体的期间，一边向静电卡盘的电极施加规定的静电电压一边使被处理体脱离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111668085A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010502543.9
申请日：2018-06-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，能够抑制聚焦环的吸附力的降低。在静电吸盘(25)的外周部(25b)载置聚焦环(30)，在内部以与聚焦环(30)相对地设置有电极板(29)。直流电源(28)在等离子体处理的期间中，对电极板(29)周期性地施加不同极性的电压，或者阶段性地施加绝对值大的电压。
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公开(公告)号：CN111095496A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201980004301.2
申请日：2019-06-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/683 , H05H1/46
Abstract: 本发明的一例示性实施方式所涉及的静电卡盘具有第1区域及第2区域。第1区域具有第1上表面。第1区域构成为保持载置于第1上表面上的基板。第2区域具有第2上表面。第2区域以包围第1区域的方式沿周向延伸。第2区域构成为支撑搭载于第2上表面上的聚焦环。第1上表面和第2上表面沿单一的平坦面延伸。第1区域和第2区域在其之间提供将第1上表面与第2上表面彼此分开的空间。
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公开(公告)号：CN107887246A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201710838643.7
申请日：2017-09-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种能够防止异常放电的载置台和等离子体处理装置，该等离子体处理装置具备该载置台。载置台(2)具备静电卡盘(6)、基材(2a)、气体用隔离件(204)以及销(31)。静电卡盘具有供晶圆(W)载置的载置面(21)和与载置面(21)相对的背面(22)，在载置面形成有第1贯通孔(17)。基材(2a)与静电卡盘(6)的背面(22)接合，形成有与第1贯通孔(17)连通的第2贯通孔(18)。气体用隔离件呈筒状，被插入于第2贯通孔(18)。销(31)被收容于第1贯通孔(17)和气体用隔离件(204)。销(31)与第1贯通孔(17)以及气体用隔离件(204)各自的内壁隔开间隙地配置，第1贯通孔与销之间的间隙比气体用隔离件与销之间的间隙大。
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公开(公告)号：CN104120409A
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201410328055.5
申请日：2010-10-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67248 , H01L21/67109
Abstract: 本发明提供一种能够使基板的温度快速上升、并且能够减少热能的损失的基板载置台的温度控制系统。基座的制冷剂循环系统包括制冷剂供给装置、高温介质储存罐和第一阀组，该基座内置有加热器单元和热介质流路、且载置被实施等离子蚀刻处理的晶圆，上述制冷剂供给装置与热介质流路相连接而将温度比较低的制冷剂供给到热介质流路中，上述高温介质储存罐配置在热介质流路与制冷剂供给装置之间且用于储存温度比较高的高温介质，上述第一阀组配置在制冷剂供给装置与热介质流路之间、以及高温介质储存罐与热介质流路之间，在使基座的温度上升时，利用该第一阀组停止自制冷剂供给装置向热介质流路供给制冷剂、且自高温介质储存罐向热介质流路供给高温介质。
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公开(公告)号：CN102822948A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201180015563.2
申请日：2011-03-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 佐佐木康晴
IPC: H01L21/3065 , H05B3/10 , H05B3/20
CPC classification number: H01L21/67103 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32724
Abstract: 本发明提供一种区域温度控制结构体。该区域温度控制结构体为具有被控制为不同的温度的两个以上的区域的结构体，其抑制沿着各区域的排列方向的导热来保持温度差，并且对于来自与各区域的排列方向交叉的方向的输入热确保顺畅地传导热来抑制产生热点。该区域温度控制结构体具有表面温度被控制为各自不同的温度的两个以上的区域和配置在上述两个区域彼此之间的各向异性导热材料层。该各向异性导热材料层沿着两个以上的区域的排列方向的热导率小于与两个以上的区域的排列方向交叉的方向上的热导率。
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