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公开(公告)号：CN101414481B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200810203357.4
申请日：2008-11-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C11/56
Abstract: 本发明涉及基于SiSb复合材料的相变存储器单元，包括逻辑选通单元以及储存介质，其特征在于：所述的储存介质由SiSb材料构成，所述的逻辑选通单元为由n型的SiSb材料层和p型的半导体材料层组成的pn结二极管，所述的作为储存介质的SiSb材料中Si和Sb的原子比为10∶90或5∶95；对应的作为逻辑选通单元中的n型的SiSb材料层中，Si和Sb的原子比为90∶10或95∶5。。本发明采用n型的SiSb半导体与p型硅形成二极管结构，并采用较低硅含量的SiSb相变材料作为存储介质，形成1D1R结构(一个二极管和一个电阻)，从而实现数据的存储功能。
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公开(公告)号：CN102263041A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201010186449.3
申请日：2010-05-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H01L2224/16145 , H01L2224/73204
Abstract: 本发明涉及一种通过键合法实现的多层堆叠电阻转换存储器的制造方法，包括如下步骤：制造含有外围电路和电阻转换存储器的第一圆晶；制造表面有低电阻率重掺杂半导体层的第二圆晶；键合第一圆晶和第二圆晶，通过后续的工艺去除第二圆晶多余部分半导体，可采用背面腐蚀、抛光、或者退火剥离等工艺；继续在键合圆晶上制造选通单元和电阻转换存储单元，获得的多层堆叠电阻转换存储器中的重掺杂半导体为字/位线。本发明采用重掺杂的半导体字/位线取代金属字/位线，能够使工艺与电阻转换存储器工艺兼容，而且具有良好的可靠性。
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公开(公告)号：CN101465383B
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200810205004.8
申请日：2008-12-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/872 , H01L21/82
Abstract: 本发明揭示一种多晶硅肖特基二极管及其制造方法、电阻转换存储器的制造方法。多晶硅肖特基二极管包括多晶硅半导体层、及与多晶硅形成肖特基接触的金属层。所述半导体层为通过金属诱导法、或气相沉积法、或准分子激光脉冲法制备得到的多晶硅材料。所述金属层与多晶硅层之间形成稳定的肖特基接触，所述金属层为金属单质、或为合金。本发明通过多晶硅的沉积辅助以退火处理，使其与特定金属形成肖特基接触制造肖特基二极管，成本上具有竞争力，更有望在三维的立体电阻转换存储电路中得到广泛应用。
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公开(公告)号：CN102122636A
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN201010579606.7
申请日：2010-12-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/822 , H01L21/82 , H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种三维电阻转换存储芯片制备方法。该方法利用电阻转换材料与含有电极阵列的绝缘介质层的直接键合以及改进型智能剥离技术突破了存储单元三维堆叠的温度难题。该方法中采用低温等离子体活化键合技术将包含电极阵列的第一半导体晶圆与包含电阻转换材料和选通管层材料的第二半导体晶圆进行键合；利用不高于400℃低温退火增强键合强度，同时实现低温电阻转换材料转移，即将具有电阻转换材料和选通管层材料的薄膜转移到第一半导体晶圆上，随后在第一半导体晶圆结构上通过半导体工艺，制备存储和选通单元。
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公开(公告)号：CN101299454B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200810038907.1
申请日：2008-06-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种纳米复合相变材料的制备方法。特征在于利用相变材料中各个原素之间不同的化学性能，在相变材料制备过程中通入适量反应气体，使相变材料中的一种或者多种元素在材料生长过程中优先与反应气氛反应并形成固体化合物，与反应剩余相变材料形成复合材料：化合物将相变材料分隔成形状和大小可控的、均匀的、微小的区域，从而把相变材料的相变行为限制在小区域内，减小了相变材料的晶粒；同时因为形成的固体化合物与相变材料间“取长补短”，充分弥补了单一材料的缺点，产生了单一材料所不具备的优越的性能。纳米复合相变材料应用到相变存储器中，不仅提升了相变存储器的加热效率，降低了器件的功耗，而且又提高了器件存储速度、数据保持能力等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102011089A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN201010289914.6
申请日：2010-09-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明揭示了一种制备纳米晶电阻转换材料和单元的方法，包括如下步骤：首先沉积超薄的电阻转换存储材料薄膜，随后通过退火在基底上形成均匀的纳米晶，再者通过功能材料的沉积形成对纳米晶的包覆；重复上述三步，形成具有功能材料包覆的均匀的纳米晶电阻转换存储材料和单元。本发明提出的制备纳米晶电阻转换存储材料的工艺方法，可用于纳米晶电阻转换存储器，解决无法制备均匀纳米晶存储材料的难题。本发明能够大幅度提升存储器的性能，提升器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN101894771A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN201010206329.5
申请日：2010-06-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明揭示了一种多层堆叠电阻转换存储器的制造方法，包括如下步骤：制造半导体第一晶圆；制造半导体第二晶圆；键合第一晶圆和第二晶圆；沉积第一电极材料；通过半导体工艺，在原第一晶圆顶部镶嵌的第一位线上方形成对应的多层结构单元；沉积绝缘介质材料；在所述基底上通过半导体工艺制造沟槽；填充存储材料，并进行回刻工艺，仅保留沟槽内的存储材料；填充第三金属材料层，并进行化学机械抛光平坦化，原位地、免光刻地在沟槽内形成第二字/位线。本发明提出的多层堆叠电阻转换存储器的制造方法，通过键合法实现多层堆叠电阻转换存储器的制造，工艺与电阻转换存储器工艺兼容，而且具有良好的可靠性。
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公开(公告)号：CN101872839A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010188978.7
申请日：2010-05-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种稳定阈值电压的低功耗的相变存储器及其制造方法，该相变存储器包括：上电极、下电极、位于上、下电极之间的相变材料层以及与所述相变材料层接触的保温层；所述相变材料层的厚度大于3nm，并且小于等于d，d为擦操作时在所述相变材料层底面从下电极边缘到非晶区域边缘的最小距离。本发明提出了最佳的相变材料层厚度，一方面能够有效的限制相变区域，保证器件操作时获得稳定的阈值电压，另一方面有效地控制热量分布，提高器件操作的热效率，降低器件功耗。
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公开(公告)号：CN101807545A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN201010130588.4
申请日：2010-03-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/8222 , H01L21/329 , H01L21/324 , H01L21/82
Abstract: 本发明提供一种二极管及电阻转换存储器的制造方法，其中的单晶硅的制备是通过在特定金属上沉积多晶硅薄膜，采用退火工艺，利用特定金属对多晶硅结晶的诱导作用，在较低温度下使多晶硅薄膜结晶形成单晶硅，随后采用半导体工艺制造二极管阵列及基于该种二极管的电阻转换存储器。本发明的特点在于可在较低的温度下制造二极管，且能在多层堆叠的集成电路中获得应用。
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公开(公告)号：CN101794808A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN201010127295.0
申请日：2010-03-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/24 , H01L21/82 , H01L21/763
Abstract: 本发明揭示了一种电阻转换存储器装置及其制造工艺，所述电阻转换存储器装置通过双浅沟道隔离形成二极管阵列，深度不同的第一浅沟道与第二浅沟道非正交相交；第一浅沟道将第一导电类型的重掺杂导电半导体线分隔开，形成多根半导体线；第二浅沟道则在同一重掺杂导电半导体线上方隔离形成多个二极管；二极管对应所需选通的电阻转换存储器单元。
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