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公开(公告)号：CN101349665B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200810042479.X
申请日：2008-09-04
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01N27/00
Abstract: 本发明公开一种微电子器件技术领域的吸附与电离互补增强的气体传感器，包括极化电极、栅格电极和吸附式气敏装置，栅格电极位于极化电极和吸附式气敏装置之间，栅格电极与极化电极之间的气体间隙构成放电区域，栅格电极与吸附式气敏装置之间的气体间隙构成离子漂移区域；极化电极面向栅格电极一侧表面布置有极化电极电极材料；栅格电极具有镂空的几何特征，使得中性分子、带电粒子或者光量子在放电区域与离子漂移区域之间能够实现物质交换；吸附式气敏装置面向栅格电极一侧的表面布置有叉指式电极，在叉指式电极表面布置有吸附性气敏材料。本发明提高标定和识别气体成分的精度，大幅提高选择性；扩大敏感范围；解决中毒问题。
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公开(公告)号：CN101408514B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200810042478.5
申请日：2008-09-04
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01N21/67
Abstract: 本发明公开一种基于气体放电光谱分析的气体传感器及其检测气体的方法，传感器包括极化电极、栅格电极、带通滤光片和光敏装置，栅格电极、带通滤光片处于极化电极和光敏装置之间，栅格电极与极化电极之间的气体间隙构成放电区域，栅格电极具有镂空的结构，能够使放电区域内外的气体连通；带通滤光片能够选择性地使得放电区域由目标气体产生的特征光辐射通过；光敏装置仅能够接收由目标气体产生的特征辐射，并且能够将其转换为电信号；通过检测光敏装置的电信号输出，可定性或者定量地对目标气体的成分与浓度进行分析。该传感器能够集成化地片上制造，能够形成片上化、阵列化、微型化的气体放电光谱分析装置。
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公开(公告)号：CN101236871B
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200810033994.1
申请日：2008-02-28
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种硅基介质阻挡型一维纳米电极结构，属于微型电子器件领域。本发明由上部和下部两个硅基片键合而成，下部硅基片局部有凹坑结构，凹坑中布置有图形化的一维纳米材料膜，一维纳米材料膜的下部布置有图形化的金属导电层。本发明应用于基于气体放电的电子器件，有利于器件的微型化，有利于器件的集成化、批量制造。由于可以避免热平衡等离子体对电极的热损伤，有利于器件稳定性和寿命的提高。由于介质阻挡层可以大大降低局部发生短路的几率，因此利于电极间隙的减小，使器件可以在更低的操作电压下工作。
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公开(公告)号：CN100543583C
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200610023238.1
申请日：2006-01-12
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种微细加工技术领域的在感光材料表面覆盖并图形化碳基纳米结构的方法，首先制备碳纳米管薄膜，然后制备感光材料图形，最后进行反应离子辅助等离子体增强气相沉积，即使用反应离子辅助等离子体刻蚀技术刻蚀碳纳米管薄膜，同时利用形成的复合等离子体在感光材料层表面形成新的碳基纳米结构，所使用的刻蚀气体，必须能够依靠物理轰击、化学反应或者两者的综合作用刻蚀碳纳米管，即能够将碳纳米管分解成为碳基纳米颗粒，从而形成复合等离子体。本发明形成的碳基纳米结构与基体可以有很好的结合力，很好的垂直取向性和密度、高度的一致性，同时，其密度、长度可以被控制，并适于加工实现阵列化设计和批量生产，因此有着广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN101408514A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200810042478.5
申请日：2008-09-04
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01N21/67
Abstract: 本发明公开一种基于气体放电光谱分析的气体传感器及其检测气体的方法，传感器包括极化电极、栅格电极、带通滤光片和光敏装置，栅格电极、带通滤光片处于极化电极和光敏装置之间，栅格电极与极化电极之间的气体间隙构成放电区域，栅格电极具有镂空的结构，能够使放电区域内外的气体连通；带通滤光片能够选择性地使得放电区域由目标气体产生的特征光辐射通过；光敏装置仅能够接收由目标气体产生的特征辐射，并且能够将其转换为电信号；通过检测光敏装置的电信号输出，可定性或者定量地对目标气体的成分与浓度进行分析。该传感器能够集成化地片上制造，能够形成片上化、阵列化、微型化的气体放电光谱分析装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101381005A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200810201599.X
申请日：2008-10-23
Applicant: 上海交通大学
IPC: B64G1/40
Abstract: 本发明公开一种航空航天技术领域和微电子技术领域的多级式离子射流装置与方法。所述装置包括第一、第二加速电极和末端镂空电极，第一和第二加速电极交替排列，构成多级电极结构，每两个相邻的第一和第二加速电极之间设置有绝缘层使得两者相互绝缘，末端镂空电极位于多级电极结构的末端，末端镂空电极和与其相邻的第一加速电极或第二加速电极之间设置有绝缘层使得两者相互绝缘。所述方法利用极化电极阵列尖端部分的电场收敛效应，使得电极邻近区域的电场强度增强，从而电离邻近区域的气体分子，采用多级式离子射流装置结构，施加电压，形成离子射流。本发明能够提高电离效率，降低工作电压，在多种气体－等离子体环境下工作。
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公开(公告)号：CN101349665A
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200810042479.X
申请日：2008-09-04
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01N27/00
Abstract: 本发明公开一种微电子器件技术领域的吸附与电离互补增强的气体传感器，包括极化电极、栅格电极和吸附式气敏装置，栅格电极位于极化电极和吸附式气敏装置之间，栅格电极与极化电极之间的气体间隙构成放电区域，栅格电极与吸附式气敏装置之间的气体间隙构成离子漂移区域；极化电极面向栅格电极一侧表面布置有极化电极电极材料；栅格电极具有镂空的几何特征，使得中性分子、带电粒子或者光量子在放电区域与离子漂移区域之间能够实现物质交换；吸附式气敏装置面向栅格电极一侧的表面布置有叉指式电极，在叉指式电极表面布置有吸附性气敏材料。本发明提高标定和识别气体成分的精度，大幅提高选择性；扩大敏感范围；解决中毒问题。
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公开(公告)号：CN1807359A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200610023239.6
申请日：2006-01-12
Applicant: 上海交通大学
IPC: C04B41/53
Abstract: 一种微细加工技术领域的顺次多种等离子体处理碳纳米管薄膜表面形貌的方法。本发明用不同种刻蚀气体顺次对碳纳米管薄膜进行等离子体表面处理，具体为：先是一次或者多次使用化学反应性气体，对碳纳米管薄膜进行反应离子辅助等离子体处理；然后使用物理作用性气体，对碳纳米管薄膜进行等离子体表面处理。本发明能在完全无序排布的碳纳米管薄膜的基础上，使碳纳米管在薄膜表面的露出高度、密度得到调制，经过处理后的碳纳米管薄膜的表面形貌，露出高度、密度均匀，有很好的垂直取向性。本发明可极大地优化薄膜表面质量，并完全兼容于各种基于微电子加工技术，适于加工实现阵列化设计和批量生产。
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公开(公告)号：CN1770353A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200510030262.3
申请日：2005-09-30
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种适用于场致电子器件的碳纳米管侧壁电极结构，属于传感器和电子光学器件领域。本发明包括：基片和碳纳米管侧壁电极，基片表面支撑和排列碳纳米管侧壁电极，所述的基片由一种或多种导电材料、半导体材料和绝缘材料组合而成，基层为单层或者多层，基层或者进行图形化从而形成平面或者立体结构，所述的碳纳米管侧壁电极中的碳纳米管暴露于阴极和阳极侧壁。本发明具有电极结构简单，电极间距可以在微电子制造技术的精度范围内有效控制，本发明的碳纳米管侧壁电极同时将碳纳米管应用于阳极和阴极，充分和有效地利用和发挥了碳纳米管电极的性能优势和微电子制造工艺的加工技术优势。
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公开(公告)号：CN113658837B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202110937648.1
申请日：2021-08-16
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开一种引导自由电子透过固体的方法及结构。所述固体的外表面具有相对的第一界面和第二界面，第一界面和第二界面之间具有多个空腔结构；所述方法包括：控制固体的第一界面接触自由电子；向固体施加电场，使得聚集在空腔结构的至少部分自由电子从第二界面逸出。本发明能够使得能量范围更宽的自由电子透过，大大提高电子束技术的应用范围，解决传统电子束技术普遍存在的高能电子的韧致辐射等副产物问题。本发明所提出方法的实现结构利于通过微电子加工技术或激光技术、微纳增材制造技术加工实现，对集成度要求高的电子束系统应用适应性强。
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