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公开(公告)号:CN105315679A
公开(公告)日:2016-02-10
申请号:CN201410779783.8
申请日:2014-12-16
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明提供一种形成二氧化硅基层的组成物及制造二氧化硅基层的方法,所述形成二氧化硅基层的组成物,包含:选自氢化聚硅氮烷、氢化聚环氧硅氮烷或它们的组合的二氧化硅基化合物;以及溶剂,其中,具有0.2μm到1μm粒子直径的粒子的数目少于或等于10/mL。本发明提供的用以形成二氧化硅基层的组成物可以减少粒子的产生,因此能极小化形成的层中的缺陷。
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公开(公告)号:CN104513613A
公开(公告)日:2015-04-15
申请号:CN201410487212.7
申请日:2014-09-22
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D183/16 , C09D183/00
CPC classification number: C09D183/16 , B05D3/0254 , B05D2518/10 , C01B33/126 , C08G77/54 , C08G77/62 , C09D183/14 , Y10T428/24479
Abstract: 本发明公开了一种用于形成基于二氧化硅的层的组合物和基于二氧化硅的层。该组合物包含具有20,000至160,000的重均分子量的含硅聚合物以及溶剂。另外,本发明还公开了一种用于制造基于二氧化硅的层的方法。
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