公开(公告)号：CN1512596A

公开(公告)日：2004-07-14

申请号：CN200310109779.2

申请日：2003-12-16

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴志容 ,  李基龙 ,  朴惠香

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/136 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管(TFT)，包含轻掺杂漏区(LDD)或偏移区，其中，形成薄膜晶体管，以便多晶硅衬底中的主晶粒边界不位于轻掺杂漏区(LDD)或偏移区中。

公开(公告)号：CN101335302A

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200810131753.0

申请日：2008-06-27

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 梁泰勋 ,  朴炳建 ,  徐晋旭 ,  李基龙 ,  李吉远

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/36 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277

Abstract: 本发明提供薄膜晶体管和有机发光二极管显示器以及它们的制造方法。该薄膜晶体管包括：基板；半导体层，设置在所述基板上，包括沟道区以及源和漏区，且利用金属催化剂被结晶；栅电极，设置得对应于所述半导体层的预定区域；栅绝缘层，设置在所述栅电极和所述半导体层之间以使所述半导体层与所述栅电极绝缘；以及源和漏电极，分别电连接到所述半导体层的所述源和漏区。在所述半导体层的所述沟道区中，在垂直方向上距所述半导体层的表面150以内的所述金属催化剂形成得具有超过0且不超过6.5×1017原子每cm3的浓度。所述有机发光二极管显示器包括该薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN101330004A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200810128532.8

申请日：2008-06-19

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 梁泰勋 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  朴炳建 ,  李吉远

IPC: H01L21/20 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02694 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/78654

Abstract: 本发明提供制造多晶硅(poly－Si)层的方法，包括：提供基板，在该基板上形成非晶硅(a－Si)层，在该非晶硅层上形成厚度约为10至50的热氧化层，以及将该基板退火以采用金属催化剂层的金属催化剂将非晶硅层晶化为多晶硅层。因此，该非晶硅层可以通过超晶粒硅(SGS)晶化方法晶化为多晶硅层。而且，该热氧化层可以在非晶硅层的脱氢期间形成，从而可以省略SGS晶化方法所需的形成盖层的附加工艺，由此简化了制造工艺。本发明还涉及薄膜晶体管、其制造方法以及有机发光二极管显示装置。

公开(公告)号：CN101211985A

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200710306610.4

申请日：2007-12-28

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  梁泰勋 ,  徐晋旭 ,  李基龙

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1281

Abstract: 本发明提供了一种通过减少留在半导体层中的晶化诱导金属的量而能够改进电学特性和漏电流特性的薄膜晶体管及其制造方法和包括该薄膜晶体管的有机发光二极管显示装置。本发明的薄膜晶体管的制造方法包括以下步骤：在基底上形成第一非晶硅层；通过利用晶化诱导金属使第一非晶硅层晶化为第一多晶硅层；在第一多晶硅层上形成第二非晶硅层；向第二非晶硅层中注入杂质；将第一多晶硅层和第二非晶硅层退火。第一多晶硅层中的晶化诱导金属被转移到第二非晶硅层中，第二非晶硅层被晶化为第二多晶硅层。

公开(公告)号：CN1983570A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200610166981.2

申请日：2006-12-13

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 梁泰勋 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  朴炳建

IPC: H01L23/00 ,  H01L29/786 ,  H01L27/32 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  C30B29/06

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L27/1277

Abstract: 提供了一种多晶硅层、采用所述多晶硅层的平板显示器和制造所述多晶硅层的方法。在基板上形成非晶硅层。在非晶硅层上形成第一图案层、第二图案层和金属催化剂层。形成第一图案层和第二图案层以界定一个至少400μm2的区域，金属催化剂层的金属催化剂在所述区域内扩散到非晶硅层内。通过扩散的金属催化剂使晶种区结晶。在结晶区从晶种区生长之后，在结晶区上形成半导体层，从而制造具有良好特性的薄膜晶体管。采用其制造平板显示器。

公开(公告)号：CN1976043A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200610121900.7

申请日：2004-02-12

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴志容 ,  李乙浩 ,  具在本 ,  李基龙 ,  朴惠香

IPC: H01L27/12 ,  H01L27/15 ,  H01L27/32 ,  G02F1/1362

Abstract: 本发明公开了一种平板显示装置，包括绿色、红色和蓝色像素区，以及用于驱动每个像素并具有相同的有源沟道长度和宽度的驱动薄膜晶体管，其中对于每个像素，包括于驱动薄膜晶体管的有源沟道区中的多晶硅晶界数彼此不同。

公开(公告)号：CN1921124A

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN200610110090.5

申请日：2004-07-16

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴志容 ,  具在本 ,  朴惠香 ,  李基龙 ,  李乙浩

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明涉及一种包括多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置和互补金属氧化物半导体。形成于这种平板显示装置的驱动电路部分和象素部分的薄膜晶体管的有源沟道区域中的多晶硅晶粒的晶粒大小彼此不相同。而且，这种平板显示装置包括彼此具有不同晶粒形状的P型和N型薄膜晶体管。对于诸如电流迁移率这样的电特性，在驱动电路部分中要好于在所述象素部分中。而且，由于晶粒大小在象素部分中比在驱动电路部分中更为均匀，所以在象素部分中具有更好的电流一致性。

公开(公告)号：CN1897223A

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN200610121417.9

申请日：2006-07-12

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴惠香 ,  李基龙

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  H01L21/00 ,  B23K26/073

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/0268 ,  H01L21/02691 ,  H01L27/1285

Abstract: 本发明公开了一种用于薄膜晶体管的多晶薄膜的形成方法、在该方法中使用的掩模以及利用该用于薄膜晶体管的多晶薄膜的形成方法制造平板显示装置的方法。一些实施例能够提供这样的显示设备，其中多晶薄膜被均匀结晶以减少亮度的不均匀。在用于薄膜晶体管的多晶薄膜的形成方法中，非晶材料利用激光和具有一个或多个透射区域组混合结构的掩模结晶，该透射区域组每个都包括一个或多个激光光束能够穿过的透射区域和一个或多个激光光束不能穿过的非透射区域。激光光束被引导到材料的重叠区域。

公开(公告)号：CN1249650C

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：CN200310102978.0

申请日：2003-10-31

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金沃炳 ,  李基龙 ,  朴志容

IPC: G09F9/30 ,  G09G3/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明公开了一种具有优良特性的显示器件，其具有多晶硅衬底，使得Vth和迁移率特性以及亮度特性更均匀。该显示器件包括：一显示区；位于显示区中的多个第一薄膜晶体管；和位于显示区的多晶硅衬底中的主晶粒边界；其中主晶粒边界以-30°～30°的角度向自多个第一薄膜晶体管的每一个的源极流向漏极的第一电流方向倾斜。

公开(公告)号：CN1738011A

公开(公告)日：2006-02-22

申请号：CN200410075870.1

申请日：2004-12-31

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  徐晋旭 ,  梁泰勋 ,  李基龙

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02678 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/66757

Abstract: 本发明提供一种制造薄膜晶体管的方法，包括在衬底上形成非晶硅层的步骤，在非晶硅层上形成帽盖层的步骤，在帽盖层上形成金属催化剂层的步骤，在金属催化剂层上经选择性辐照激光束扩散金属催化剂的步骤，晶化非晶硅层的步骤。本发明具有如下优点：提供了一种制造薄膜晶体管的方法，其中该薄膜晶体管的制造方法通过利用选择性辐照激光束均匀控制低浓度催化剂的扩散以及利用超晶粒硅(super grain silicon)方法在非晶硅层晶化过程中控制晶粒尺寸和晶体生长位置和方向，从而改进了器件的性能并获得了器件的均匀性。