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公开(公告)号：CN114448378A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202110768025.6
申请日：2021-07-07
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H03H9/02
Abstract: 提供一种体声波谐振器及声波谐振器。所述体声波谐振器包括：基板；谐振部，包括顺序地堆叠在所述基板上的第一电极、压电层和第二电极；以及温度补偿层，设置在所述压电层的上方和下方中的至少一个处，其中，所述温度补偿层的材料的热膨胀系数的符号与所述压电层的材料的热膨胀系数的符号相反，并且其中，所述温度补偿层的厚度与所述压电层的厚度的关系满足下式：0.25≤温度补偿层的厚度/压电层的厚度≤0.33。
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公开(公告)号：CN108233888B
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN201711382939.9
申请日：2017-12-20
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种体声波谐振器及包括该体声波谐振器的滤波器。所述体声波谐振器包括：基板；及谐振部，包括顺序地设置在所述基板上的第一电极、压电层和第二电极。所述第一电极和所述第二电极中的任意一个或两个包括钼(Mo)和钽(Ta)的合金。
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公开(公告)号：CN107689781B
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN201710060870.1
申请日：2017-01-25
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 提供了一种体声波谐振器、滤波器和体声波谐振器的制造方法，所述体声波谐振器包括：基板；第一电极，设置在基板之上；压电主体，设置在第一电极上，并包括多个压电层，所述多个压电层中的每个包括具有掺杂材料的氮化铝；第二电极，设置在压电主体上，其中，所述多个压电层中的至少一个是在压应力下形成的受压压电层。
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公开(公告)号：CN112087215A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN201911291846.4
申请日：2019-12-16
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 提供一种体声波谐振器。所述体声波谐振器包括：基板，包括外部连接电极；连接层，连接到所述外部连接电极且设置在所述基板上；第一电极，被设置为覆盖所述连接层的至少一部分；压电层，被设置为覆盖所述第一电极的至少一部分；以及第二电极，被设置为覆盖所述压电层的至少一部分。所述连接层可被设置为围绕腔，并且可连接到所述第一电极和所述第二电极。
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公开(公告)号：CN111510098A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201910707478.0
申请日：2019-08-01
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供一种体声波谐振器，所述体声波谐振器包括：基板；种子层，设置在所述基板上；第一电极，设置在所述种子层上并包括包含钪(Sc)的铝合金层；压电层，设置在所述第一电极上并包括具有阳离子(Al)极性的层；以及第二电极，设置在所述压电层上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109217840A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810676270.2
申请日：2018-06-27
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种声波谐振器及用于制造声波谐振器的方法。所述声波谐振器包括基板、中央部分、延伸部分和阻挡层。在所述中央部分中，第一电极、压电层和第二电极依次堆叠在所述基板上。所述延伸部分被构造为从所述中央部分延伸并包括设置在所述压电层下方的插入层。所述阻挡层设置在所述第一电极和所述压电层之间。
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公开(公告)号：CN108988818A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201810251593.7
申请日：2018-03-26
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H03H9/174 , H03H3/02 , H03H9/131 , H03H2003/023
Abstract: 本发明提供一种声波谐振器及用于制造声波谐振器的方法。所述声波谐振器包括：膜层，设置在绝缘层上；腔，通过所述绝缘层和所述膜层形成；谐振部，设置在所述腔上，并具有堆叠在所述腔上的第一电极、压电层和第二电极；保护层，设置在所述谐振部上；以及疏水层，形成在所述保护层上。
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公开(公告)号：CN108574468A
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201810027856.6
申请日：2018-01-11
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种薄膜体声波谐振器以及制造薄膜体声波谐振器的方法。所述薄膜体声波谐振器包括：第一电极，设置在基板上；压电体，设置在所述第一电极上并包括添加有掺杂剂的AlN；以及第二电极，设置在所述压电体上并与所述第一电极相对，使得所述压电体介于所述第二电极和所述第一电极之间，其中，所述掺杂剂包括0.1原子％至24原子％的Ta和0.1原子％至23原子％的Nb中的任意一者。
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