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公开(公告)号：CN107527649B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201710328898.9
申请日：2017-05-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/408 , G11C8/10 , G11C8/06
Abstract: 本发明公开了一种存储器器件，其包括连接到字线和第一位线的第一存储器单元，连接到所述字线和第二位线的第二存储器单元，被配置为选择字线的行解码器，以及列解码器。所述行解码器和所述第一存储器单元之间的第一距离比所述行解码器和所述第二存储器单元之间的第二距离短。所述列解码器基于当第一存储器单元被激活的时间点来选择第一位线。
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公开(公告)号：CN107545920B9
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201710485044.1
申请日：2017-06-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/408 , G11C11/4093 , G11C11/4096
Abstract: 公开了存储器设备、包括存储器设备的存储器封装以及包括存储器设备的存储器模块。存储器封装包括配置为响应于来自外部设备的第一芯片选择信号而操作的第一存储器设备、配置为响应于来自外部设备的第二芯片选择信号而操作的第二存储器设备以及配置为响应于来自外部设备的第三芯片选择信号而操作的第三存储器设备。第三存储器设备包括缓冲单元，该缓冲单元通过内部数据线与第三存储器设备的内部电路连接，通过第一存储器数据线与第一存储器设备连接，通过第二存储器数据线与第二存储器设备连接，并且通过数据线与外部设备连接。
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公开(公告)号：CN114242135A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202110993705.8
申请日：2021-08-27
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金灿景
Abstract: 本公开涉及了电阻存储器装置以及读取电阻存储器装置中数据的方法。电阻存储器装置包括电阻存储器单元、被连接到电阻存储器单元的一端的源线、被连接到电阻存储器单元的另一端的位线、以及被连接到源线和位线的感测电路。感测电路被配置为基于流过电阻存储器单元的读取电流生成从第一电压电平上拉到第二电压电平的上拉信号，基于读取电流生成从第三电压电平下拉到第四电压电平的下拉信号，以及基于所生成的上拉信号和所生成的下拉信号之间的差来确定存储在电阻存储器单元中的数据。
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公开(公告)号：CN107423230B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201710357927.4
申请日：2017-05-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/02 , G06F12/0893 , G06F11/10
Abstract: 公开了存储模块、具有该存储模块的计算系统以及测试计算系统的标签错误方法。该计算系统的方法包括：在处理器处将命令和地址输出到存储器模块；从存储器模块接收指示将对应于地址的标签与存储在存储器模块中的标签进行比较的结果的匹配/不匹配比特；在处理器处通过使用多数表决根据匹配/未匹配比特中确定高速缓存命中/未命中；以及在处理器处将所确定的高速缓存命中/未命中的信息输出到存储器模块。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110890113A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201910680939.X
申请日：2019-07-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种包括第一非易失性存储器设备和第二非易失性存储器设备的存储设备及其操作方法。该方法包括：检测突然断电；响应于检测到的突然断电，暂停第一非易失性存储器设备中正在执行的操作；将关于所暂停操作的暂停信息写入第二非易失性存储器设备；并且在突然断电之后的通电时，基于写入第二非易失性存储器设备的暂停信息，对第一非易失性存储器设备执行块管理操作。
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公开(公告)号：CN103426461B
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201310185288.X
申请日：2013-05-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/165 , G06F12/0246 , G11C11/161 , G11C11/1653 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1693
Abstract: 公开了一种磁性随机存取存储器（MRAM）、包括其的存储模块和存储系统、以及MRAM的控制方法。MRAM包括被配置为根据磁化方向在至少两个状态之间变化的磁性存储单元，以及支持多个工作模式的模式寄存器。
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公开(公告)号：CN107545920A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710485044.1
申请日：2017-06-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/408 , G11C11/4093 , G11C11/4096
CPC classification number: G11C16/10 , G11C5/04 , G11C7/06 , G11C7/1018 , G11C7/1057 , G11C7/1066 , G11C11/4093 , H01L2224/48145
Abstract: 公开了存储器设备、包括存储器设备的存储器封装以及包括存储器设备的存储器模块。存储器封装包括配置为响应于来自外部设备的第一芯片选择信号而操作的第一存储器设备、配置为响应于来自外部设备的第二芯片选择信号而操作的第二存储器设备以及配置为响应于来自外部设备的第三芯片选择信号而操作的第三存储器设备。第三存储器设备包括缓冲单元，该缓冲单元通过内部数据线与第三存储器设备的内部电路连接，通过第一存储器数据线与第一存储器设备连接，通过第二存储器数据线与第二存储器设备连接，并且通过数据线与外部设备连接。
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公开(公告)号：CN107527642A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710456913.8
申请日：2017-06-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/4091 , G11C5/025 , G11C5/04 , G11C8/12 , G11C11/4087 , G11C11/4093 , G11C11/4097 , G11C2207/107 , G11C7/12 , G11C7/18 , G11C8/08 , G11C8/10 , G11C8/14
Abstract: 本发明涉及一种存储器器件和存储器模块。所述存储器器件可包括：连接至字线和位线的存储器单元；第一位线感测放大器，其通过位线连接至存储器单元，并且构造为放大位线的信号；以及第二位线感测放大器，其邻近于第一位线感测放大器布置，并且不连接至位线。可通过从处理器接收的地址选择第二位线感测放大器，并且可根据从处理器接收的命令将数据存储在第二位线感测放大器中或者从第二位线感测放大器输出数据。在本文所述的一些方面，存储器器件可包括高速操作的缓冲存储器，从而提高了存储器模块的性能。
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公开(公告)号：CN107256716A
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201710454316.1
申请日：2013-05-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/165 , G06F12/0246 , G11C11/161 , G11C11/1653 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1693
Abstract: 公开了一种磁性随机存取存储器(MRAM)、包括其的存储模块和存储系统、以及MRAM的控制方法。MRAM包括被配置为根据磁化方向在至少两个状态之间变化的磁性存储单元，以及支持多个工作模式的模式寄存器。
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