公开(公告)号：CN102647180A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201210023601.5

申请日：2012-02-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁亨洙 ,  金镐正 ,  崔贤植

IPC: H03K19/094

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C11/5678 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  H03K19/1733

Abstract: 逻辑电路包括至少一个可变电阻器件，该至少一个可变电阻器件被配置成，该至少一个可变电阻器件的电阻值根据至少一个选择的值而变化。该选择的值是从输入信号的电压和电流当中选择的，并且该至少一个可变电阻器件被配置成记忆该电阻值。逻辑电路被配置成通过设置记忆的电阻值来存储多电平数据。

公开(公告)号：CN101174470B

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN200710089844.8

申请日：2007-04-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金镐正

IPC: G11C16/32 ,  G11C16/26 ,  G11C16/14

CPC classification number: G11C16/0483 ,  G11C16/08 ,  G11C16/28

Abstract: 一种非易失性存储器件包括存储单元阵列和电压控制单元。存储单元阵列包括各自包含多个单元串的多个存储块。每个单元串包括第一选择晶体管、第二选择晶体管、以及串联连接在第一选择晶体管和第二选择晶体管之间的至少一个存储单元晶体管。电压控制单元响应于与所述多个存储块相对应的多个块选择信号，将第一选择线电压和字线电压分别提供给连接到第一选择晶体管的第一选择线以及连接到存储单元晶体管的字线，并且与块选择信号无关地将第二选择线电压直接提供给连接到第二选择晶体管的第二选择线。

公开(公告)号：CN102237793A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN201110097514.X

申请日：2011-04-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金镐正

IPC: H02M3/156 ,  H02M3/157 ,  H02M3/158 ,  H02M1/08

CPC classification number: H03K17/166 ,  H03K17/08122 ,  H03K17/0822 ,  H03K17/167 ,  H03K2217/0063 ,  H03K2217/0081

Abstract: 提供一种包括开关设备和控制单元的驱动电路、电力设备以及包括其的电动设备。所述开关设备具有控制端和输出端。所述控制单元被配置为对用于控制开关设备的驱动电压达到目标电平所需的上升时间进行控制，以使得在控制端和输出端之间的电压被保持为小于或等于临界电压。当在控制端和输出端之间的电压大于临界电压时，在控制端和输出端之间生成泄漏电流。

公开(公告)号：CN102065247A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN201010525974.3

申请日：2010-10-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金镐正 ,  郑佑仁 ,  申在光 ,  金善日 ,  宋利宪 ,  金昌桢 ,  田尚勋

IPC: H04N5/335 ,  H04N5/341 ,  H01L27/146

CPC classification number: H04N9/045 ,  H01L27/14643 ,  H04N5/3745

Abstract: 一种图像传感器及其操作方法。一种图像传感器包括：包括多个像素的像素阵列。所述多个像素中的每一个包括：光传感器，其电压-电流特性根据入射光的能量而改变，并且该光传感器产生由入射光的能量确定的感测电流；复位单元，其根据用于复位所述多个像素中的至少一个的复位信号而激活以产生基准电流；以及转换单元，其将感测电流和基准电流分别转换为感测电压和基准电压。

公开(公告)号：CN101013598B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200710007943.7

申请日：2007-02-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 牟炫宣 ,  金镐正

IPC: G11C16/04 ,  G11C16/08

CPC classification number: G11C7/18 ,  G11C11/5628 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/0483 ,  G11C2211/5642

Abstract: 一种非易失性半导体存储器件，包括3电平非易失性存储单元的存储器阵列。所述存储器阵列包括分别连接到第一偶位线和第一奇位线的存储单元的第一偶串和奇串，和分别连接到第二偶位线和第二奇位线的存储单元的第二偶串和奇串。第一偶位线和第一奇位线在数据编程和读取操作期间选择性地连接到第一公共位线，并且第二偶位线和第二奇位线在数据编程和读取操作期间选择性地连接到第二公共位线。该器件使用对应于3电平非易失性存储单元的3个阈值电压分布的数据的3个位来编程和读取存储单元对中的数据。

公开(公告)号：CN111800621B

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202010146180.X

申请日：2020-03-05

Applicant: 三星电子株式会社 ,  首尔市立大学校产学协力团

Inventor： 金镐正 ,  金起彻 ,  金容奎

IPC: H04N13/106 ,  H04N13/15 ,  H04N13/139

Abstract: 提供了一种图像处理方法和设备。该图像处理设备包括：接收器，配置为接收图像；和处理器，配置为通过对于接收到的图像数据执行傅里叶计算生成第一数据；通过对于第一数据执行棱镜相位计算生成第二数据；通过将第一数据与第二数据相加生成第三数据；和基于第三数据执行编码。

公开(公告)号：CN113542713B

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202110659059.1

申请日：2017-07-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金镐正 ,  金容奎 ,  宋薰 ,  李泓锡

IPC: H04N13/15 ,  H04N13/106 ,  H04N13/161 ,  H04N13/271

Abstract: 一种用于处理三维(3D)图像的方法，所述方法包括：通过将颜色图像的行与深度图像的行进行组合来获取帧；根据深度水平将所述颜色图像的单行分成多行；对所述多行执行初次傅立叶变换；通过对作为执行所述初次傅立叶变换的结果而获得的变换行进行相加来生成单个相加行；以及对所述单个相加行执行二次傅立叶变换。

公开(公告)号：CN106485669B

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN201610740690.3

申请日：2016-08-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金镐正 ,  宋薰 ,  李泓锡

IPC: G06T5/00

Abstract: 一种图像处理方法包括：通过在行方向上对具有行和列的数据执行一维(1D)快速傅立叶变换(FFT)来生成第一数据；通过在列方向上对第一数据的一部分执行1D FFT来生成第二数据；以及存储第二数据的一部分。

公开(公告)号：CN111722514A

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN202010171085.5

申请日：2020-03-12

Applicant: 三星电子株式会社 ,  高丽大学校世宗产学协力团

Inventor： 宋薰 ,  金辉 ,  朴宗夏 ,  金镐正 ,  金容奎

IPC: G03H1/26 ,  G03H1/08 ,  G06T3/00 ,  G06T7/50 ,  G06F17/14

Abstract: 一种用于处理三维全息图像的方法，包括：从三维物体的深度数据获得深度图像；将每个深度图像划分成预定数量的子图像；通过执行傅立叶变换以计算每个子图像中包括的物体数据在计算机生成的全息图(CGH)平面中的干涉图案来获得对应于每个子图像的CGH块的干涉图案；以及使用所获得的CGH块的干涉图案来生成三维物体的CGH。

公开(公告)号：CN106412552B

公开(公告)日：2020-03-03

申请号：CN201610630127.0

申请日：2016-08-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金允泰 ,  金镐正 ,  李泓锡

IPC: H04N13/261

Abstract: 一种用于从低分辨率图像生成全息图像的方法和装置，其中该低分辨率图像被变换成低分辨率复图像，该低分辨率复图像被插值成高分辨率复图像。通过变换低分辨率图像的更少像素，可减少计算量并且可提高用于生成全息图像的处理速度。