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公开(公告)号：CN105390513A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510520083.1
申请日：2015-08-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/14603 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/14614 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14641 , H04N5/37452 , H04N5/37457
Abstract: 提供了以全局快门模式操作的图像传感器的单位像素。所述单位像素包括：光电二极管区域，包括被配置为累积在第一时间段期间从入射光生成的光电荷的光电二极管；以及存储二极管区域，包括被配置为从光电二极管接收和存储光电荷的存储二极管。光电二极管对应于聚焦入射光的微镜。
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公开(公告)号：CN1828919A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200610006729.5
申请日：2006-02-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14603 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H04N5/37457
Abstract: CMOS有源像素传感器阵列包括多个单元块。单元块包括：在平面上在第一方向上设置的N对光电二极管区；分别对应于光电二极管区的2N个传输晶体管，其中每个传输晶体管形成于相应的光电二极管区的角部，且其中对于每对光电二极管区，两个相应的传输晶体管对称地彼此相对；N个浮置扩散节点，其中每个浮置扩散节点分别设置于一对光电二极管区之间，且其中每个浮置扩散节点由两个相应的传输晶体管和相应一对光电二极管区共用；耦合浮置扩散节点的至少一条金属线；用于复位浮置扩散节点的电压的复位晶体管；以及包括用于取样浮置扩散节点的至少一个晶体管的读出电路，其中复位晶体管和读出电路设置于该对光电二极管区之间。
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公开(公告)号：CN110739320B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN201910191275.0
申请日：2019-03-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种基于飞行时间(ToF)的三维(3D)图像传感器以及包括该图像传感器的电子设备。该基于飞行时间的三维图像传感器包括：至少两个第一光栅极，对称地布置在像素的中心部分中；至少两个第一栅极，被配置为去除在所述至少两个第一光栅极中产生的溢出电荷；以及第一栅极组。所述至少两个第一栅极对称地布置在像素的外部部分中。第一栅极组包括被配置为存储和传输在所述至少两个第一光栅极中产生的电荷的多个栅极。第一栅极组被布置在像素的外部部分中。
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公开(公告)号：CN117133783A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202310560074.X
申请日：2023-05-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括：衬底，所述衬底具有多个单位像素；设置在所述衬底中并且构成所述多个单位像素的光电器件部分和存储器件部分；器件隔离结构，所述器件隔离结构设置在所述衬底中并且将所述多个单位像素分开；以及溢出栅极，所述溢出栅极根据特定电压在所述光电器件部分与所述存储器件部分之间提供溢出路径，其中，所述器件隔离结构在所述光电器件部分与所述存储器件部分之间的边界处部分地敞开。
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公开(公告)号：CN116805634A
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202310289908.8
申请日：2023-03-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种CMOS图像传感器包括：包括多个单元像素区域的衬底。衬底包括：被配置为接收光的第一表面；与第一表面相对的第二表面；设置在衬底中并且被配置为将多个单元像素区域彼此隔离的深器件隔离部，其中，深器件隔离部从第一表面朝向第二表面延伸并且具有从第一表面测量的第一深度；在多个单元像素区域中的每一个中形成在衬底中的光电转换部；以及设置在衬底的多个单元像素区域中的每一个中并且在平面图中被深器件隔离部围绕的第一垂直反射结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114649357A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202111489635.9
申请日：2021-12-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/374
Abstract: 一种存储从光电转换层溢出的电荷的图像传感器，包括：(1)基底，包括第一表面和与第一表面相对并且光入射到其上的第二表面，(2)基底中的光电转换层，(3)沿着光电转换层设置在基底上的隔离膜，(4)设置在隔离膜中的存储导电图案，(5)设置在基底的第一表面上的传输栅极，(6)设置在光电转换层和隔离膜之间的第一杂质注入区，以及(7)设置在基底的第一表面上并连接到传输栅极的第二杂质注入区。第一杂质注入区和第二杂质注入区电连接。
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公开(公告)号：CN111627946A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010122853.8
申请日：2020-02-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/378
Abstract: 图像传感器包括偏振器阵列和深度像素阵列。偏振器阵列可包括在彼此交叉的第一方向和第二方向上布置的第一单位像素至第四单位像素，并且可包括分别设置在第一单位像素至第四单位像素中的偏振光栅。第一单位像素至第四单位像素的偏振光栅可具有彼此不同的偏振方向。深度像素阵列可包括分别对应于第一单位像素至第四单位像素的深度像素。深度像素中的每一个可包括光电转换装置和共同连接至光电转换装置的第一读取电路和第二读取电路。
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公开(公告)号：CN111293129A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201911232659.9
申请日：2019-12-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括半导体基板，该半导体基板包括第一表面和第二表面并且还包括阱区和第一浮置扩散区，阱区和第一浮置扩散区中的每个与第一表面相邻。图像传感器包括第一垂直传输栅极和第二垂直传输栅极，第一垂直传输栅极和第二垂直传输栅极被隔离而不彼此直接接触并且每个从半导体基板的第一表面且在半导体基板的厚度方向上延伸穿过阱区的至少一部分。图像传感器包括在第一垂直传输栅极和第一浮置扩散区之间并在半导体基板的第一表面上的第一存储栅极。图像传感器包括在第一存储栅极和第一浮置扩散区之间并在半导体基板的第一表面上的第一分接头传输栅极。
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公开(公告)号：CN110310965A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910137817.6
申请日：2019-02-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了图像传感器。图像传感器包括基底，所述基底包括像素区域、第一表面和与第一表面相对的第二表面。图像传感器包括位于第一表面上并且构造为响应于像素区域中的入射光产生电荷的第一光电门和第二光电门。此外，图像传感器包括第一微透镜和第二微透镜，所述第一微透镜和第二微透镜位于第二表面上并且构造为使入射光朝向第一光电门和第二光电门传输。
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公开(公告)号：CN110248124A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910090962.3
申请日：2019-01-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N5/378
Abstract: 提供图像传感器、包括其的图像检测系统以及操作其的方法。所述图像传感器可包括被配置为响应于入射在像素上的光生成图像信号的像素。像素可包括被配置为在感测时间段期间收集由入射在像素上的光产生的电荷的电荷收集电路以及浮置扩散区。所述图像传感器还可包括被配置为存储所述电荷并在感测时间段之后的转移时间段期间被配置为将所述电荷的至少一部分转移到浮置扩散区的存储单元。从存储单元转移到浮置扩散区的电荷量可由施加到存储单元的存储控制端的存储控制信号的电压电平来控制。
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