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    显示基板及其制造方法以及具有该显示基板的显示装置
    32.
    发明公开
    显示基板及其制造方法以及具有该显示基板的显示装置 无效

    公开(公告)号：CN101071242A

    公开(公告)日：2007-11-14

    申请号：CN200710079815.3

    申请日：2007-02-14

    Applicant: 三星电子株式会社

    Inventor： 柳春基

    IPC: G02F1/1362

    CPC classification number: G02F1/13458 ,  G02F1/136213 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255

    Abstract: 一种具有高孔径比的显示基板，包括栅极和源极金属图案、第一和第二栅极绝缘层、以及像素电极。栅极金属图案包括栅极线、栅电极、和第一存储电极。第一栅极绝缘层覆盖栅电极和第一存储电极中的至少一个。第二栅极绝缘层被图案化，以露出第一存储电极上的第一栅极绝缘层。源极金属图案包括与源极线和第一存储电极上的第一栅极绝缘层接触的第二存储电极。像素电极电连接至开关元件。因此，可以获得具有高孔径比的显示基板，以增强显示图像的亮度。

    薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
    34.
    发明公开
    薄膜晶体管阵列面板及其制造方法 无效

    公开(公告)号：CN1790723A

    公开(公告)日：2006-06-21

    申请号：CN200510119903.2

    申请日：2005-09-23

    Applicant: 三星电子株式会社

    Inventor： 郑震九 ,  柳春基 ,  朴庆珉

    IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336

    Abstract: 提供了一种薄膜晶体管阵列面板，其包括：具有显示区域和驱动器的基板；多晶硅层，形成于基板上，并包括沟道、源和漏区和设置在沟道区与源和漏区之间、且具有低于源和漏区的杂质浓度的轻掺杂区；形成于多晶硅层上的栅极绝缘层；形成于栅极绝缘层上并与多晶硅层的沟道区交叠而且掺杂有杂质的杂质层；形成于杂质层上的栅极；覆盖栅极并具有分别暴露出源和漏区的第一和第二接触孔的层间绝缘层；以及通过第一和第二接触孔分别连接到源和漏区的源和漏极。

    用于显示设备的薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
    35.
    发明授权
    用于显示设备的薄膜晶体管阵列面板及其制造方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN101064318B

    公开(公告)日：2010-09-01

    申请号：CN200710005727.9

    申请日：2007-02-13

    Applicant: 三星电子株式会社

    Inventor： 柳春基

    IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  G02F1/1362

    CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/66765

    Abstract: 公开了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，包括：在绝缘基板上形成包括栅电极的栅极线；在栅极线上形成栅极绝缘层、半导体层和刻蚀停止层；使用光刻法同时对刻蚀停止层和半导体层进行刻蚀并形成图案；灰化并且部分地去除在刻蚀停止层和半导体层的刻蚀和形成图案中所使用的光致抗蚀剂膜图案；对由光致抗蚀剂膜图案的已去除部分所暴露的刻蚀停止层进行刻蚀，以形成刻蚀停止组件；在刻蚀停止组件上沉积欧姆接触层和数据金属层；使用光刻法同时对欧姆接触层和数据金属层进行刻蚀，以形成具有源电极的数据线、面对源电极的漏电极、以及在源电极和漏电极下面的欧姆接触组件；在数据线和漏电极上形成钝化层；以及在钝化层上形成像素电极。

    薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
    36.
    发明公开
    薄膜晶体管阵列面板及其制造方法 无效

    公开(公告)号：CN101667572A

    公开(公告)日：2010-03-10

    申请号：CN200910005853.3

    申请日：2009-02-05

    Applicant: 三星电子株式会社

    Inventor： 柳春基

    IPC: H01L27/02 ,  H01L29/786 ,  H01L21/82 ,  H01L21/027 ,  G02F1/1362

    CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1255

    Abstract: 一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法，该薄膜晶体管阵列面板包括：衬底；被设置在衬底上并包括栅极电极的第一栅极线；被设置在与第一栅极线的层相同的层中的存储电极；被设置在第一栅极线和存储电极上的栅极绝缘层；被设置在栅极绝缘层上并包括沟道部分的半导体；被设置在半导体上并包括源极电极的数据线；被设置在半导体上并面向源极电极的漏极电极；被设置在栅极绝缘层、数据线和漏极电极上的钝化层，该钝化层包括使一部分漏极电极暴露的接触孔；和被设置在钝化层上并经由接触孔电连接到漏极电极的像素电极，其中栅极绝缘层和钝化层置于像素电极和衬底之间除对应接触孔的区域以外的区域，并且像素电极经由栅极绝缘层和钝化层与存储电极交叠。

    显示装置及其制造方法
    37.
    发明公开
    显示装置及其制造方法 无效

    公开(公告)号：CN101034235A

    公开(公告)日：2007-09-12

    申请号：CN200610159255.8

    申请日：2006-09-25

    Applicant: 三星电子株式会社

    Inventor： 赵世一 ,  柳春基

    IPC: G02F1/136 ,  G02F1/1333 ,  G09F9/00

    CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1288

    Abstract: 根据本发明的典型实施例的显示装置包括绝缘基板、形成在所述绝缘基板上的第一信号线、与第一信号线相交并与第一信号线绝缘的第二信号线、形成在第二信号线上的覆盖部件和开关元件，所述开关元件具有第一端子、第二端子和第三端子，其中第一端子连接到第一信号线，第二端子连接到第二信号线，像素电极连接到开关元件的第三端子。根据本发明的实施例的覆盖部件减小了形成精细的图案中的蚀刻误差。

    半导体装置的接触部分及其制造方法,包括接触部分的显示装置用薄膜晶体管阵列板及其制造方法
    39.
    发明公开
    半导体装置的接触部分及其制造方法,包括接触部分的显示装置用薄膜晶体管阵列板及其制造方法 失效 转让

    公开(公告)号：CN1623235A

    公开(公告)日：2005-06-01

    申请号：CN02828493.3

    申请日：2002-04-30

    Applicant: 三星电子株式会社

    Inventor： 柳春基

    IPC: H01L29/786

    CPC classification number: G02F1/133555 ,  G02F1/136227 ,  H01L21/76816 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1244 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/66765

    Abstract: 在衬底上形成包括栅极线、栅电极和栅极衬垫并沿横向延伸的栅极布线。随后形成栅极绝缘层，并在其上依次形成半导体层和欧姆接触层。沉积导电材料并对其构图以形成包括与栅极线相交的数据线、源电极、漏电极和数据衬垫的数据布线。在衬底上沉积由氮化硅制成的第一绝缘层，并在第一绝缘层上涂覆由感光有机绝缘材料制成的第二绝缘层。构图第二绝缘层以在其表面上形成凸凹图案和与漏电极相对的、暴露第一绝缘层的第一接触孔。随后，使用光致抗蚀剂图案通过光刻对第一绝缘层和栅极绝缘层一起构图，以形成分别暴露漏电极、栅极衬垫和数据衬垫的接触孔。接着，沉积铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)并对其构图以形成分别连接到漏电极、栅极衬垫和数据衬垫的透光性电极、子栅极衬垫和子数据衬垫。最后，在透光性电极上沉积反射导电材料并构图以形成具有像素区域中相应孔的反射膜。

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