公开(公告)号：CN101068038A

公开(公告)日：2007-11-07

申请号：CN200610159882.1

申请日：2006-11-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 埃尔·M·布里姆 ,  李殷洪 ,  赵重来

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

CPC classification number: H01L45/04 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明提供一种包括可变电阻材料的非易失性存储器件。该非易失性存储器件包括：下电极；形成在该下电极上的缓冲层，该缓冲层由氧化物构成；形成在该缓冲层上的氧化物层，该氧化物层具有可变电阻特性；以及形成在该氧化物层上的上电极。

公开(公告)号：CN101064359A

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200610142401.6

申请日：2006-10-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵重来 ,  李殷洪 ,  埃尔·M·布里姆 ,  文昌郁

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  H01L27/10 ,  H01L27/115 ,  G11C13/00 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

CPC classification number: H01L27/101 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/52 ,  H01L29/24 ,  H01L29/8615 ,  H01L45/04 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明公开了一种包括可变电阻材料的非易失存储器件，该非易失存储器件包括：下电极；在下电极上形成的第一氧化物层；在第一氧化物层上形成且具有可变电阻特性的第二氧化物层；形成于第二氧化物层上的缓冲层；以及形成于缓冲层上的上电极。

公开(公告)号：CN101022120A

公开(公告)日：2007-08-22

申请号：CN200610164044.3

申请日：2006-12-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐东硕 ,  李殷洪 ,  卢振瑞

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  H01L21/82 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

Abstract: 提供一种用于由阈值电压控制的相变随机存取存储器(PRAM)的编程方法，包括：利用编程来确定硫族化合物材料的无定形状态，从而形成具有与逻辑高和逻辑低相对应的阈值电压的编程区域；以及在编程期间控制编程脉冲的后沿，从而控制硫族化合物材料的淬火速度，以便调整硫族化合物材料的阈值电压。因此，与逻辑低或逻辑高相对应的编程脉冲能够具有均匀的幅度，而不管相应的逻辑电平为何。结果，PRAM器件的可靠性能够得到提高。

公开(公告)号：CN1734773A

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN200510092281.9

申请日：2005-06-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴允童 ,  李兆远 ,  金桢雨 ,  李殷洪 ,  徐顺爱 ,  金元柱 ,  蔡熙顺 ,  蔡洙杜 ,  宋利宪

IPC: H01L27/112 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8246 ,  H01L21/8247

CPC classification number: G11C11/5621 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11551

Abstract: 提供了一种互补非易失性存储器件及其操作和制造方法，包括该器件的逻辑器件和半导体器件，以及用于该器件的读电路。所述互补非易失性存储器件包括第一非易失性存储器和第二非易失性存储器，它们被顺序的堆叠并具有互补关系。

公开(公告)号：CN1607668A

公开(公告)日：2005-04-20

申请号：CN200410095200.6

申请日：2004-10-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金汶庆 ,  金桢雨 ,  李兆远 ,  李殷洪 ,  蔡熙顺

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8242

CPC classification number: G11C16/0475 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/792

Abstract: 一种SONOS存储器，包括：具有源区和漏区以及沟道区的半导体层，和在半导体层上的上部堆叠结构，其与半导体层一起形成上部SONOS存储器。在半导体层下的下部堆叠结构与半导体层一起形成下部SONOS存储器。还提供一种制造和操作SONOS存储器的方法。可以不按照窄设计规则而制造出具有高封装密度的SONOS存储器。