公开(公告)号：CN106716113B

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201580050063.0

申请日：2015-07-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张炅哲 ,  韩宇燮 ,  李承桓 ,  李宰源 ,  郑敏亨

IPC: G01N23/04 ,  A61B6/00

Abstract: X射线成像设备包括X射线检测装置、被配置为容纳X射线检测装置的容纳单元、以及被配置为被容纳在容纳单元中和从容纳单元中排出的滤线器托盘。滤线器托盘包括基座和第一板，X射线检测装置安装在第一板上，并且第一板被配置为相对于基座旋转。

公开(公告)号：CN103794686B

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201310513215.9

申请日：2013-10-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金台勋 ,  金成埈 ,  金容一 ,  柳荣浩 ,  孙明洛 ,  李守烈 ,  李承桓 ,  张泰盛 ,  皇甫秀珉

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/10 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L33/0079

Abstract: 本发明公开了半导体发光器件及其制造方法，其中的一种制造半导体发光器件的方法包括在半导体单晶生长衬底上形成隔离图案。在半导体单晶生长衬底上由隔离图案限定的一个芯片单元区域中顺序生长第一导电型半导体层、有源层、和第二导电型半导体层，并且形成反射金属层以覆盖发光结构和隔离图案。在反射金属层上形成支撑衬底，并且从发光结构上去除半导体单晶生长衬底。然后将支撑衬底切割为单独的发光器件。

公开(公告)号：CN106716113A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201580050063.0

申请日：2015-07-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张炅哲 ,  韩宇燮 ,  李承桓 ,  李宰源 ,  郑敏亨

IPC: G01N23/02 ,  G01N23/04 ,  A61B6/00

Abstract: X射线成像设备包括X射线检测装置、被配置为容纳X射线检测装置的容纳单元、以及被配置为被容纳在容纳单元中和从容纳单元中排出的滤线器托盘。滤线器托盘包括基座和第一板，X射线检测装置安装在第一板上，并且第一板被配置为相对于基座旋转。

公开(公告)号：CN101267471B

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN200710307191.6

申请日：2007-11-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金顺玉 ,  朴赞佑 ,  李承桓

IPC: G06F3/0481 ,  G06F3/0484 ,  H04M1/725

CPC classification number: G06F3/0488 ,  G06F3/0481 ,  G06F3/04812 ,  G06F3/04892 ,  H04M1/72544 ,  H04M1/72583 ,  H04M2250/56

Abstract: 提供一种用于移动终端的空闲屏幕布置结构和空闲屏幕显示方法。该空闲屏幕布置结构包括：基础空闲屏幕；以及布置在基础空闲屏幕周围四个或八个方向上的多个不同的延伸空闲屏幕。在显示单元上显示基础空闲屏幕和延伸空闲屏幕中的第一空闲屏幕。响应于屏幕切换事件的输入，显示基础空闲屏幕和延伸空闲屏幕中与第一空闲屏幕不同的第二空闲屏幕来代替第一空闲屏幕。例如，当指针被移动到显示单元上的屏幕切换区域时，将第一空闲屏幕切换到第二空闲屏幕。基础和延伸空闲屏幕可以具有指向特定功能的快捷方式，而且以循环或非循环方式在彼此间切换。

公开(公告)号：CN1284747A

公开(公告)日：2001-02-21

申请号：CN00108946.3

申请日：2000-05-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金荣宽 ,  朴兴秀 ,  朴泳旭 ,  李相忍 ,  张允僖 ,  李钟镐 ,  崔城济 ,  李承桓 ,  林载顺 ,  李周远

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/283 ,  H01L21/314 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L21/28194 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 一种半导体器件,包括:由硅族材料构成的第一电极、依次将反应物加到第一电极上形成的绝缘层、和其逸出功大于第一电极的逸出功的第二电极,此第二电极是在绝缘层上形成的。在电容器结构中,第一电极和第二电极可以分别是下层电极和上层电极。在晶体管结构中,第一电极和第二电极可以分别是硅衬底和栅极。绝缘层可以通过原子层析出法来形成。因此,在这种半导体器件中,有可能提高绝缘层的绝缘性能和增大电容器结构中的电容量。