公开(公告)号：CN1897270B

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN200610099012.X

申请日：2006-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李制勋 ,  郑敞午 ,  赵范锡 ,  裵良浩

IPC: H01L23/522 ,  H01L27/12 ,  H01L21/768 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/12 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/3011 ,  Y10T29/49117 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种布线结构、一种用于制造布线的方法、一种薄膜晶体管(TFT)基板、以及一种用于制造TFT基板的方法。布线结构包括形成在基板上并且包括氮化铜的阻隔层，以及形成在阻隔层上并且包括铜或铜合金的铜导电层。

公开(公告)号：CN1761049B

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN200510098150.1

申请日：2005-09-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵范锡 ,  裵良浩 ,  李制勋 ,  郑敞午

IPC: H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  G02F1/136 ,  H05B33/12 ,  H05B33/10

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/3276 ,  Y10S438/924

Abstract: 本发明提供了一种TFT阵列面板和该TFT阵列面板的制造方法，所述TFT阵列面板具有信号线，该信号线包括由含Al金属制成的下层和由钼合金(Mo合金)制成的上层，所述钼合金包括钼(Mo)以及铌(Nb)、钒(V)和钛(Ti)中的至少一种。因此，防止了有可能在蚀刻工艺中出现的底切、悬垂和鼠咬现象，并且提供了具有电阻率低且接触特性良好的信号线的TFT阵列面板。

公开(公告)号：CN101657885A

公开(公告)日：2010-02-24

申请号：CN200880011578.X

申请日：2008-02-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昌桢 ,  李制勋

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C14/0036 ,  C23C14/086 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869

Abstract: 提供形成氧化物半导体层的方法和使用该形成氧化物半导体层的方法制造半导体器件的方法。该方法包括：将氧化物半导体靶安装在腔室中；将基底装到该腔室中；将该腔室抽真空；在将氧气和溅射气体注入到该腔室中的同时将直流功率施加到该氧化物半导体靶上；和通过将该溅射气体的等离子体施加到该氧化物半导体靶上而在该基底表面上形成氧化物半导体层。在此，该氧化物半导体靶可具有1kΩ或更小的电阻。该氧化物半导体靶可具有x(第一氧化物)·y(第二氧化物)·z(第三氧化物)的组成，其中x、y和z为摩尔比。所述第一至第三氧化物各自可为Ga 2 O 3 、HfO 2 、In 2 O 3 和ZnO之一但彼此不同。该氧化物半导体靶可为Ga 2 O 3 、HfO 2 、In 2 O 3 和ZnO之一。

公开(公告)号：CN101359693A

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200810161179.3

申请日：2008-06-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李制勋 ,  金度贤 ,  李殷国 ,  郑敞午

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288

Abstract: 本发明提供薄膜晶体管，包括：半导体图案、源极和漏极电极及栅极电极，在基础基板上形成半导体图案，并且该半导体图案包括金属氧化物。在该半导体图案上形成源极和漏极电极，使得该源极和漏极电极彼此空间分离，并且该源极和漏极电极的轮廓基本上与半导体图案的轮廓相同。在源极和漏极电极之间的区域中设置栅极电极，使得栅极电极的部分与源极和漏极电极重叠。因此，光引起的漏电流被最小化。结果，提高了薄膜晶体管的特性，减少了残留图像以提高显示质量，并提高了制造工艺的稳定性。本发明还提供阵列基板及其制造方法。

公开(公告)号：CN101226901A

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200710300775.0

申请日：2007-12-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李殷国 ,  金度贤 ,  郑敞午 ,  李制勋 ,  林淳权

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L27/12 ,  H01L23/532 ,  H01L29/786 ,  H01L29/43 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/45 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管基板及其制造方法。制造薄膜晶体管基板的方法包括在基板上形成包括栅极线、栅电极和下部栅极垫片电极的第一导电图形组，在其上形成有该第一导电图形组的基板上形成栅极绝缘层，在该栅极绝缘层上形成与该栅电极重叠的氧化物半导体图形，以及在其上形成有该氧化物半导体图形的基板上形成第一导电层和第二导电层，并且图形化该第一导电层和第二导电层以形成第二导电图形组，其包括数据线、源电极、漏电极和数据垫片。

公开(公告)号：CN1964067A

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200610138550.5

申请日：2006-11-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李制勋 ,  金时烈 ,  金度贤 ,  金炳范 ,  郑敞午 ,  李埈泳 ,  裵良浩 ,  康盛旭

IPC: H01L29/43 ,  H01L29/786 ,  H01L21/283 ,  H01L21/768 ,  H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L29/458 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/124 ,  H01L29/4908 ,  Y10T428/12903

Abstract: 本发明公开了一种含有能够被蚀刻的铜以具有可靠轮廓的导电结构，其中，铜层不被腐蚀或氧化，该导电结构包括形成于绝缘或半导体基板上的屏障层以及随后的铜层、阻挡层和覆盖层。铜层包含铜或铜合金。屏障层包含钼(Mo)、氮化钼(MoN)、或钼合金(包括MoW、MoTi、MoNb或MoZr中的至少一种)。阻挡层包含氮化铜、氧化铜或氮氧化铜。覆盖层包含钼、氮化钼(MoN)或钼合金(包括MoW、MoTi、MoNb和MoZr中的至少一种)。

公开(公告)号：CN1913146A

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN200610112109.X

申请日：2006-08-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵范锡 ,  李制勋 ,  郑敞午 ,  裵良浩

IPC: H01L23/532 ,  H01L27/12 ,  H01L21/768 ,  H01L21/84 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/124

Abstract: 本发明提供了一种具有改进粘附力和优良导电性的薄膜导体，一种制造薄膜导体的方法，一种包括薄膜导体的薄膜晶体管(TFT)面板，以及一种制造TFT面板的方法。该薄膜导体包括：粘附层，含有氧化反应金属或硅化反应金属和银；银导电层，形成于粘附层上，以及保护层，形成于所述银导电层上，并含有氧化反应金属和银。