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公开(公告)号：CN103366806A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310122432.5
申请日：2013-04-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C7/22 , G11C13/00 , G11C13/0004 , G11C13/0061 , G11C13/0069 , G11C29/021 , G11C29/023 , G11C29/028 , G11C2013/0088
Abstract: 提供了一种非易失性存储设备，包括：设置脉冲生成器，被配置为生成设置脉冲；重置脉冲生成器，被配置为基于设置脉冲生成重置脉冲；以及写驱动块，被配置为使用重置脉冲将第二数据写到第二非易失性存储单元，同时使用设置脉冲将第一数据写到第一非易失性存储单元。
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公开(公告)号：CN101140806B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN200710149020.5
申请日：2007-09-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/10
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0004 , G11C13/0064
Abstract: 在非易失性存储设备中，通过在编程操作的第一编程间隔期间，在从多个非易失性存储单元中所选择的多个选择存储单元之中的第一组中编程具有第一逻辑状态的数据，随后在第一编程间隔之后的编程操作的第二编程间隔期间，在所选择的存储单元之中的第二组中编程具有不同于第一逻辑状态的第二逻辑状态的数据，在多个非易失性存储单元上执行编程操作。
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公开(公告)号：CN101140801B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200710148538.7
申请日：2007-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0064 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0069 , G11C2013/0092
Abstract: 一种操作相变随机存取存储器PRAM设备的方法，该方法包括执行编程操作，以将数据存储在该设备的所选PRAM单元中，其中所述编程操作包括多个连续的编程循环。该方法还包括在编程操作的中间挂起编程操作；以及在挂起编程操作之后，响应于继续命令而继续所述编程操作。
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公开(公告)号：CN101004948B
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN200610168825.X
申请日：2006-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0059 , G11C17/16 , G11C17/165
Abstract: 在一个方案中，一种非易失性存储器包括：相变存储单元阵列，包括多个正常相变存储单元和多个伪一次可编程(OTP)相变存储单元；写驱动器，向相变存储单元阵列的正常和伪OTP相变存储单元写入数据；以及OTP控制器，选择性地使写驱动器失效，其中，OTP控制器包括：OTP模式控制器，响应于命令信号，输出OTP模式信号；以及OTP保护控制器，响应于OTP模式信号，选择性地使写驱动器失效，从而根据在OTP保护控制器的OTP控制器存储器中预先存储的OTP控制信号，选择性地使对所访问的伪OTP相变存储单元的编程失效和生效。
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公开(公告)号：CN1959847B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200610144770.9
申请日：2006-09-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0038 , G11C13/0004 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/72
Abstract: 一种相变随机存取存储器设备包括含有多个相变存储器单元的存储器阵列，每个相变存储器单元都包括相变材料和二极管，多个将位线连接到相应数据线的列选择晶体管，所述位线被连接到相变存储器单元，以及将数据线连接到读出放大器单元的控制节点。在写操作模式时，通过提升第一电压获得的控制电压被分别施施加到控制节点以及列选择晶体管的栅极，地电压被施施加到所选择的一个相变存储器单元的字线。在待机模式时，连接到存储器阵列的相变存储器单元的字线和位线被维持在同一电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1885432B
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200610094100.0
申请日：2006-06-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5678 , G11C7/12 , G11C13/0004 , G11C13/0028 , G11C2213/72
Abstract: 相变存储器器件具有字线驱动器布局，以允许减小所述器件核心区域的尺寸。一方面，相变存储器器件包括多个共享字线的存储器单元块，和驱动所述字线的多个字线驱动器。每个字线驱动器包括用于预充电字线的预充电器件和用于放电所述字线的放电器件，和其中，所述预充电器件和放电器件被交替地设置在所述多个存储器单元块之间。
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公开(公告)号：CN101004948A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200610168825.X
申请日：2006-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0059 , G11C17/16 , G11C17/165
Abstract: 在一个方案中，一种非易失性存储器包括：相变存储单元阵列，包括多个正常相变存储单元和多个伪一次可编程(OTP)相变存储单元；写驱动器，向相变存储单元阵列的正常和伪OTP相变存储单元写入数据；以及OTP控制器，选择性地使写驱动器失效。
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公开(公告)号：CN114495183A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111177874.0
申请日：2021-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06V40/13
Abstract: 提供了一种指纹传感器封装件和包括其的智能卡。所述指纹传感器封装件包括：封装基板，包括上表面和与所述上表面相对的下表面，在所述上表面中限定了感测区域和包围所述感测区域的外围区域；多个第一感测图案，布置在所述感测区域中，在第一方向上彼此分开，并且在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；多个第二感测图案，布置在所述感测区域中，在所述第二方向上彼此分开，并且在所述第一方向上延伸；涂覆构件，覆盖所述感测区域；上接地图案，位于所述外围区域中并且与所述涂覆构件分开，以在所述第一方向和所述第二方向上包围所述涂覆构件；以及控制器芯片，位于所述封装基板的所述下表面上。
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公开(公告)号：CN101369457B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN200810129754.1
申请日：2008-08-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/10
CPC classification number: G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/004 , G11C13/0061 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0054 , G11C2013/0071 , G11C2013/0078 , G11C2013/0092 , G11C2211/5622 , G11C2211/5641 , G11C2213/72 , G11C2213/79
Abstract: 将具有三级非易失存储单元的非易失存储装置的设备和操作方法用于在非易失存储单元中存储多于一位的数据。另外，通过写校验操作可以选择性地写入数据，由此提高写操作可靠性。操作方法包括提供具有第一到第三非易失存储单元的存储单元阵列，其中每一个存储单元能够存储分别与第一到第三电阻级对应的第一数据到第三数据之中的一个。每一个电阻级彼此不同。在写操作的第一间隔期间，分别将第一和第三数据写入第一和第三非易失存储单元中。在写操作的第二间隔期间将第二数据写入第二非易失存储单元中。
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公开(公告)号：CN102496387A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110423365.1
申请日：2007-09-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/10
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0004 , G11C13/0064
Abstract: 在非易失性存储设备中，通过在编程操作的第一编程间隔期间，在从多个非易失性存储单元中所选择的多个选择存储单元之中的第一组中编程具有第一逻辑状态的数据，随后在第一编程间隔之后的编程操作的第二编程间隔期间，在所选择的存储单元之中的第二组中编程具有不同于第一逻辑状态的第二逻辑状态的数据，在多个非易失性存储单元上执行编程操作。
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