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公开(公告)号：CN113964131A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202110811914.6
申请日：2021-07-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11578
Abstract: 提供一种非易失性存储器件，其包括使用电阻变化材料的存储单元串。非易失性存储器件的每个存储单元串包括：在第一方向上延伸的半导体层；在第一方向上交替地布置的多个栅极和多个绝缘体；在所述多个栅极与半导体层之间以及在所述多个绝缘体和半导体层之间在第一方向上延伸的栅极绝缘层；以及在半导体层的表面上在第一方向上延伸的电阻变化层。电阻变化层包括包含半导体层的半导体材料和过渡金属氧化物的混合物的金属半导体氧化物。
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公开(公告)号：CN113130508A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202010805334.1
申请日：2020-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11582 , G11C16/24 , G11C16/04
Abstract: 公开了一种垂直非易失性存储器件，其包括使用电阻变化材料的存储单元串。该非易失性存储器件的每个存储单元串包括：半导体层，在第一方向上延伸并具有与第二表面相反的第一表面；多个栅极和多个绝缘体，在第一方向上交替地布置并在垂直于第一方向的第二方向上延伸；栅极绝缘层，在所述多个栅极与半导体层的第一表面之间以及在所述多个绝缘体与半导体层的第一表面之间沿第一方向延伸；以及电介质膜，在半导体层的第二表面上沿第一方向延伸并具有分布在其中的多个可移动的氧空位。
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公开(公告)号：CN113054099A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011549731.3
申请日：2020-12-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开可变电阻存储器件。可变电阻存储器件包括可变电阻层、第一导电元件和第二导电元件。可变电阻层包括第一层和第二层。第一层由第一材料形成。第二层在第一层上且由具有与第一材料的密度不同的密度的第二材料形成。第一导电元件和第二导电元件位于可变电阻层上并且彼此间隔开以在可变电阻层中形成电流路径。电流路径在与第一层和第二层堆叠的方向垂直的方向上。
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公开(公告)号：CN109928746A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201811220408.4
申请日：2018-10-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , C04B35/626 , H01G4/12 , H01G4/10 , H01G4/30
Abstract: 本发明涉及陶瓷电介质、其制造方法、陶瓷电子组件和电子设备。陶瓷电介质包括多个半导体晶粒，所述半导体晶粒包括包含钡(Ba)、钛(Ti)和稀土元素的半导体氧化物。陶瓷电介质还包括位于相邻的半导体晶粒之间且包括受体元素的绝缘性氧化物，所述受体元素包括锰(Mn)、镁(Mg)、铝(Al)、铁(Fe)、钪(Sc)、镓(Ga)、或其组合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101026001B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200610148552.2
申请日：2006-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/15 , G11C19/0808 , G11C19/0841
Abstract: 本发明提供一种磁存储器。该磁存储器包括存储道，其中形成多个磁畴，使得能够以阵列来存储每个由磁畴构成的数据位。存储道由非晶软磁材料形成。
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公开(公告)号：CN101751988A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910253967.X
申请日：2009-12-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C19/0808 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675
Abstract: 提供了一种磁轨、信息存储装置和操作该信息存储装置的方法。所述磁轨包括具有不同长度和不同磁畴壁移动速度的第一磁畴区域和第二磁畴区域。第一磁畴区域和第二磁畴区域中较长的磁畴区域用作信息读/写区域。所述信息存储装置包括磁轨。所述磁轨包括多个磁畴区域和在相邻磁畴区域之间形成的磁畴壁区域。所述多个磁畴区域包括第一磁畴区域和至少一个第二磁畴区域，所述至少一个第二磁畴区域的长度小于第一磁畴区域的长度。所述信息存储装置还包括第一单元和磁畴壁移动单元，其中，所述第一单元被构造为在第一磁畴区域上执行信息记录操作和信息再现操作中的至少一个，所述磁畴壁移动单元被构造为移动磁畴壁区域的磁畴壁。
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公开(公告)号：CN100437932C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200410028392.9
申请日：2004-03-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/822 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L21/0228 , C23C16/40 , C23C16/45525 , C23C16/45529 , C23C16/45531 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/02194 , H01L21/022 , H01L21/02205 , H01L21/02304 , H01L21/3142 , H01L21/31616 , H01L21/31645
Abstract: 本发明提供一种高介电常数氧化物膜的制造法、含该膜的电容器及制造法。制造高k介电氧化物膜的步骤是：(a)将半导体衬底装载到ALD装置中；(b)在半导体衬底上沉积具有第一元素和第二元素的预定成分比的反应材料；和(c)通过氧化反应材料使得第一元素和第二元素同时氧化，在半导体衬底上形成具有所述两种元素的第一高k介电氧化物膜。在该方法中，减小了装置的尺寸，提高了产量，且降低了制造成本。而且该高k介电氧化物膜表现出高介电常数和低泄漏电流和陷阱密度。于是，包括作为介电膜的该高k介电氧化物膜的电容器也表现出低泄漏电流和陷阱密度。
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公开(公告)号：CN101030444A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200710008128.2
申请日：2007-01-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/16 , G11C19/0808
Abstract: 本发明提供一种利用磁畴拖动的磁器件单元及其操作方法。该磁器件单元包括：数据储存单元，包括具有可翻转磁化方向且具有多个毗邻磁畴的自由层、以及与该自由层的一部分对应地形成且具有被钉扎磁化方向的参考层，其中多个数据位区域以阵列形成在该自由层上，该数据位区域的每个以该参考层的有效尺寸单元形成，使得该数据储存单元以阵列储存多位数据；第一输入部分，电连接到该自由层的该数据位区域的至少一个和该参考层以施加写信号和读信号中的至少一种；以及第二输入部分，电连接到该自由层以将储存在该自由层的该数据位区域中的数据向相邻数据位区域拖动，且施加用于磁畴拖动的拖动信号。
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公开(公告)号：CN101009217A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200610153176.6
申请日：2002-10-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/82 , H01L21/822
CPC classification number: H01L28/56 , H01L21/3141 , H01L21/321 , H01L27/0629 , H01L28/55 , H01L28/65
Abstract: 本发明涉及一种制造电容器的方法。该方法包括：在铂族金属下部电极的表面吸附CO；将下部电极放置在还原气氛中，以产生晶格氧；利用晶格氧，通过利用薄介电层前体实施原子层沉积工艺，形成薄介电层；以及在薄介电层上形成铂族金属上部电极。
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